【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】塵ＰおよびレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去する。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに液状の被覆剤Ｃを塗布して、基板Ｗの周縁部Ｅに付着した塵Ｐを液状の被覆剤Ｃによって覆う。そして、基板周縁部Ｅに付着した塵Ｐを覆う被覆剤Ｃを硬化させることで、当該塵Ｐを硬化された被覆剤Ｃの内部に捕捉する。したがって、被覆剤Ｃを基板Ｗの周縁部Ｅから除去することで、基板Ｗの周縁部Ｅから塵Ｐを除去することができる。さらに、基板Ｗの周縁部Ｅに被覆剤Ｃを塗布した後に、基板表面ＷfにフォトレジストＲを塗布するため、基板Ｗの周縁部Ｅでは、フォトレジストＲは被覆剤Ｃの上に塗布される。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅから被覆剤Ｃを除去した際には、被覆剤Ｃの上に塗布されたフォトレジストＲも被覆剤Ｃとともに基板Ｗの周縁部Ｅから除去される。こうして、塵ＰおよびフォトレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去できる。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 処理液の濃度を直接検出できるため、独立した濃度制御が行え、しかも、レンズの温度変化による測定誤差が生じにくいため、基板の薬液処理を精度良く行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 燐酸と希釈液を混合してなる処理液中に基板を浸漬して処理を行う基板処理装置において、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段７を備え、濃度検出手段７は、処理液を内部に導入して流通させる光透過部１５１と、それに所定の波長の光を照射する発光部１５２と、そこからの光を光透過部１５１を介して受光する受光部１５３と、発光部１５２から発光された光を光透過部１５１に集光させる第１のレンズ１５４と、光透過部１５１を通過した光を受光部１５３に集光する第２のレンズ１５５と、これらの少なくともいずれかを冷却する冷却機構１６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用することなく、基板から膜を剥離して製造コストおよび環境負荷を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】界面ＢＦでの超短パルスレーザービームのフルエンスが基板加工閾値よりも大きく、かつ膜加工閾値よりも小さくなるように設定された、超短パルスレーザービームが薄膜Ｆを介して界面ＢＦに照射される。このため、当該界面ＢＦでのレーザー照射部分で基板Ｗが選択的に加工されて基板Ｗと薄膜Ｆの結合が低下して薄膜Ｆが剥離される。このように薄膜Ｆに対して物理的あるいは化学的に作用させることなく、いわゆるドライ処理によってレーザー照射を行った部分の薄膜Ｆを選択的に剥離させることができる。したがって、薬液を使用することなく、薄膜Ｆを剥離させることができ、製造コストおよび環境負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＨＦ処理後に実施されるＨＰＭ処理またはＡＰＭ処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Ｈ_２Ｏ_２の導入時点と同時かＨ_２Ｏ_２の導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Ｈ_２Ｏ_２と、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 （もっと読む）

【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。処理流体導入口２５から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Ｗに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板Ｗ上の窒化膜がエッチングされる。処理室１１の内壁は、処理室ヒータユニット５０によって加熱される。均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を低減すると共に、スループットの減少を抑制または防止する。
【解決手段】エッチング成分と増粘剤とを含む薬液が、第１スピンチャック８によって第１チャンバ１２で保持された基板Ｗに供給される。その後、薬液が基板Ｗに保持された状態で当該基板Ｗが第１チャンバ１２から第２チャンバ２５に搬送される。このような動作が繰り返し行われ、薬液が保持された複数枚の基板Ｗが、第２チャンバ２５に搬入される。第２チャンバ２５に搬入された複数枚の基板Ｗは、薬液を保持した状態で複数の基板保持部材２４に保持される。そして、第２チャンバ２５での滞在時間が所定時間に達したものから順に、複数の基板保持部材２４に保持された複数枚の基板Ｗが第２チャンバ２５から搬出される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な優れた基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】フッ素を含有する溶媒からの遊離フッ素による、チャンバの腐食や半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】超臨界乾燥装置は、密閉可能な第１容器と、前記第１容器内に設けられたフッ素吸着剤と、前記第１容器内に設けられ、半導体基板を収容する第２容器と、前記第１容器の内部を加熱するヒータと、前記第１容器に連結された配管と、前記配管に設けられたバルブと、を備える。フッ素含有溶媒の加熱により発生した遊離フッ素はフッ素吸着剤に吸着される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板（ウエハ３）を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 （もっと読む）