【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄を効果的かつ安定して実施することが可能な洗浄装置、当該洗浄装置に用いられる溶存気体濃度測定装置の校正方法および溶存気体濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った校正方法は、液体に溶存する気体の濃度を測定する測定装置を校正する校正方法であって、液体に溶存する気体の濃度を変化させて、液体に超音波を照射したときに生じる発光の強度がピークを示す当該気体の濃度を基準濃度として予め決定する工程（Ｓ１０）を実施する。次に、液体中の気体の濃度を変化させながら液体に超音波を照射することにより、発光の強度がピークを示すときに、校正する対象である測定装置により洗浄液中の窒素の濃度を測定して、当該窒素の濃度の測定値を決定する工程（Ｓ２０）を実施する。測定値と基準濃度とに基づいて、校正する対象である測定装置を校正する工程（Ｓ３０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌ中から金属イオンを除去することができ、基板処理装置１は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する基板処理機構部２と、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌを基板処理機構部２に送る送液部２９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 処理液の濃度を直接検出できるため、独立した濃度制御が行え、しかも、レンズの温度変化による測定誤差が生じにくいため、基板の薬液処理を精度良く行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 燐酸と希釈液を混合してなる処理液中に基板を浸漬して処理を行う基板処理装置において、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段７を備え、濃度検出手段７は、処理液を内部に導入して流通させる光透過部１５１と、それに所定の波長の光を照射する発光部１５２と、そこからの光を光透過部１５１を介して受光する受光部１５３と、発光部１５２から発光された光を光透過部１５１に集光させる第１のレンズ１５４と、光透過部１５１を通過した光を受光部１５３に集光する第２のレンズ１５５と、これらの少なくともいずれかを冷却する冷却機構１６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊および残渣の発生を抑制または防止すること。
【解決手段】フッ化水素を含むＨＦベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを基板に供給することにより、不要物をエッチングして基板から除去する除去工程（Ｓ２）が行われる。また、除去工程と並行して、基板上の溶剤を蒸発させる蒸発工程（Ｓ２）が行われる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法により２つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１では、被処理基板の回転保持部２１を囲むように設けられた第１、第２のカップ５１、５２は、回転する被処理基板Ｗから飛散した処理液を下方側へ案内し、第１の駆動部６１０及び第２の駆動部６２０は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第１のカップ５１及び第２のカップ５２昇降させる。制御部７は、第１、第２のカップ５１、５２の同時上昇時、第１のカップ５１の上昇速度を第２のカップ５２の上昇速度よりも大きくし、第１のカップ５１またはその第１の昇降部材は、前記第２のカップ５２またはその第２の昇降部材に下方側から重なり合って、第１の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第１のカップ５１と第２のカップ５２とを同時に上昇させる （もっと読む）

【課題】ラジオ周波数応用のためのベース基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁体上の半導体タイプ基板の製造のためのベース基板を製造する方法に関し、方法は、（ａ）５００Ω．ｃｍより大きい電気抵抗を有するシリコン基板（１）を提供するステップと、（ｂ）基板（１）の表面上に存在する在来の酸化物および／またはドーパントを除去するために、基板（１）の表面を洗浄するステップと、（ｃ）基板（１）上に、誘電体層（２）を形成するステップと、（ｄ）層（２）上に、多結晶シリコン層（３）を形成するステップとを備え、ステップ（ｂ）（ｃ）および（ｄ）は、同一のエンクロージャ（１０）内で連続的に実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダマシンプロセスによる銅の充填において、銅シード層の完全性を失わないように行う。
【解決手段】誘電体層に半導体結線形状を形成するための方法は、誘電体層上に形成された形成されたバリア層上、および誘電体層のエッチング形状内に、銅シード層を蒸着する工程を含む。次いで、銅シード層は、酸化された層を銅シード層から除去するために処理を施される。次いで、その方法は、処理された銅シード層上に銅充填層を電気メッキする工程に進む。銅充填層は、誘電体層のエッチング形状を満たすよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１において、液処理ユニット２は、処理液により基板Ｗに対して液処理を行い、給液用配管５６１、５６２は、一端側が液処理ユニット２に接続され、他端側がその下方側に引き回されていて、当該液処理ユニット２に処理液を供給する。筐体基体４６は、この給液用配管５６１、５６２に介在する通流制御機器群４０２が取り付けられ、筐体基体４６内に、液処理装置１の側方に位置するメンテナンス領域に臨むように各々設けられ、通流制御機器群４０２よりも上流側の給液用配管５６１を着脱するための上流側の接続ポート４０３、及び下流側の給液用配管５６２を着脱するための下流側の接続ポート４０６を備える。 （もっと読む）

【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して液処理を行うための複数の液処理ユニット２が互いに横方向に並べて配置され、液処理ユニット２内の雰囲気を排気する排気管３は、これら複数の液処理ユニット２の下方側に、当該液処理ユニット２の並びに沿って伸びるように配置され、給液用の通流制御機器群４は前記排気管３の下方側に設けられている。給液用主配管５及び排液用主配管６は、これら通流制御機器群４の下方側にて複数の液処理ユニット２の並びに沿って各々伸びるように設けられ、前記給液用主配管５からは、複数の給液用分岐管が分岐して、前記給液用の通流制御機器４０２を介して各液処理ユニット２に接続され、前記排液用主配管６からは複数の排液用分岐管が分岐して各液処理ユニットに接続されている。 （もっと読む）