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Fターム[5F157AA81]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の形状、形態 (6,397) | 半導体製造プロセスとの関係 (1,020)

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【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】1種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。1種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 (もっと読む)


【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド21と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド21の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド22を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 (もっと読む)


【課題】シリコン層表面の溶解を防止しつつ、エピタキシャル成長により形成された凝集性異物を除去する。清浄な表面を有し、膜厚が均一なシリコン層を形成する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル成長によりシリコン層を形成した後に、シリコン層の表面を酸化する。このシリコン層の表面を洗浄して、エピタキシャル成長時にシリコン層の表面に発生した異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板20上に窒化ガリウム層30を有する基板生産物1を製造する方法であって、窒化ガリウム基板10の表面10aにイオン注入を行う工程と、表面10aを洗浄する工程と、表面10aと支持基板20の表面20aとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板10のうち表面10aを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層30を支持基板20上に形成する工程とを含む。表面10aを洗浄する工程の際、洗浄後の表面10aにおけるFe,Cr,Ni,及びSiの密度を合計で1×1018[cm−3]以下とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの汚染物質をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】物質から汚染物質をクリーニングするために、酸クリーナー、続いて、アルカリクリーナーを用いて半導体ウェハをクリーニングする方法が提供される。酸クリーナーは実質的に全ての金属汚染物質を除去し、一方で、アルカリクリーナーは実質的に全ての非金属汚染物質、例えば、有機物質および粒子状物質を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション110では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のpHレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約6.5ないし14に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 (もっと読む)


【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション(金属化)層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 (もっと読む)


【課題】早期乾燥を阻止する装置、システム、及び方法
【解決手段】製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための装置、システム、及び方法は、洗浄のために基板を受け取ることと、1つ又は2つ以上の製造工程中に残された汚染物質及び製造ケミストリを基板の表面から除去するために基板の表面に対して湿式洗浄工程を実施することと、飽和ガスケミストリを特定することと、その特定された飽和ガスケミストリを、移行領域内において飽和ガスケミストリに曝露される基板の表面が湿気を保持して基板の表面の早期乾燥を阻止するように、移行領域内において適用することとを含む。飽和ガスケミストリは、2つの相次ぐ湿式洗浄工程間において適用される。 (もっと読む)


【課題】油性汚染物質と無機汚染物質とを簡便に効率よく洗浄でき、火気安全性と環境保全性とに優れた簡易な組成のウェーハ用洗浄剤を提供する。
【解決手段】ウェーハ用洗浄剤は、引火点を90〜150℃とする飽和又は不飽和の炭化水素の5〜25重量%と、
-O-(-C2p-O-)-H(式中、R-は炭素数6〜10のアルキル基、pは2〜3の数、qは1〜2の数を示す。)で表わされるグリコールのモノエーテルの5〜65重量%と、
-O-(-R-O-)-H(式中、R-は炭素数8〜18のアルキル基、又は炭素数8〜18のアルケニル基、-R-は炭素数2〜3のアルキレン基、rは4〜20の数を示す。)で表わされるポリオキシアルキレンのモノエーテルの5〜30重量%と、
水の5〜25重量%とからなり、40℃における動粘度が10mm/S以下のものである。 (もっと読む)


【課題】電極無損耗の処理システムとプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】処理システムは、第一流体を利用し、被処理物体に対し処理を実行する。処理システムはベースとプラズマ生成装置を有する。ベースは被処理物体を載置する。プラズマ生成装置は第一流体をイオン化する。プラズマ生成装置は少なくとも一つの導引素子と少なくとも一つの電極素子を有する。導引素子は経路を有し、第一流体は経路に沿って第一位置と第二位置を順に通過する。電極素子は第一電極と第二電極を有し、第一電極は第一位置に対応し、第二電極は第二位置に対応する。第一電極、第二電極は第一位置と第二位置の間の第一流体を励起して第二流体を生成し、第二流体はベース上の物体に対し表面処理、活性化、洗浄、フォトレジスト灰化、あるいは、エッチング処理を実行する。 (もっと読む)


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