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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置1は、ワークセット2を保持して回転可能な保持テーブル3と、ワークセット2の上方に配設されエッチング液40を滴下するエッチングノズル4と、保持テーブル3に保持したワークセット2の周囲に配設されワークセット2の側面に向けて水を供給する水供給手段5とを備え、水供給手段5は、水供給源51と、水供給バルブ52と、水供給ノズル50とを少なくとも備え、水供給ノズル50は、リング形状に形成されワークセット2の周囲からワークセット2の側面に向かう方向に複数の水供給口50aを備えている。そして、水供給ノズル50から供給される水がエッチング液40を薄めて洗い流すことにより、樹脂21及びワークWの下面Waのエッチングを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】混合すると反応熱を生じる第1処理液と第2処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第1および第2処理液を供給する第1供給部(32、200)と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第1および第2処理液を供給する第2供給部(120,130)とを備えている。第1供給部および第2供給部にはそれぞれ、第1処理液を供給する第1処理液供給管と第2処理液を供給する第2処理液供給管が接続されている。第1供給部は、第1および第2処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第2供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第1処理液を吐出する複数の第1吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第2処理液を吐出する複数の第2吐出口とを有している。 (もっと読む)


【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】経年劣化によるシート状カバー部材の巻き取り不具合を無くすことができる筐体カバー機構を提供すること。
【解決手段】筐体カバー機構1はシート状カバー部材10と移動機構11とを備えている。シート状カバー部材10は筐体3の開口部3aを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有する。移動機構11はシート状カバー部材10の固定端部10bに装着された回転軸12の一端に連結された第一のプーリ13と第二のプーリ14とプーリ13,14に巻回した無端ベルト15と無端ベルト15に固定された係合部材16とシート状カバー部材10の自由端部10aに装着されたカバー部材引張部材18と直動アクチュエータ19と押動部材20を備えている。開放位置と閉塞位置との間を往復運動をするピストン部材24とシリンダ23とを有する。カバー部材引張部材18と係合部材16の間に配設され且つピストン部材24に固定されている。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材621に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Tを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tのうち回転防止部材82が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材82を下降させて、被保持面Tのうち回転防止部材82が接触していた部分を露出させ、洗浄部材621を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tの未洗浄部分を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品との間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ1の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部4を含む表面を一般式[1]で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


(Rは一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の1価の炭化水素基、Rはそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の炭化水素基を含む1価の有機基、aは0〜2の整数である。) (もっと読む)


【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第1の移動速度と基板の第1の回転速度とを決定する予備工程S51、S52と、基板の周縁領域より中心側で第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第1の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程S53と、基板の周縁領域より中心側で基板の第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第1の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程S54と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程S56と、を含む基板洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置100はウエハWを上方から支持する回転自在の基板支持部10と、基板支持部10の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハWに対して供給するトッププレートノズル10nとを備えている。トッププレートノズル10nは基板支持部10に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル10nを基板支持部10から離間した状態でトッププレートノズル10nからリンス液をウエハWに対して供給する。トッププレートノズル10nを基板支持部10に接近させた状態で、トッププレートノズル10nからリンス液を基板支持部10の下面に供給して洗浄する。 (もっと読む)


【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


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