【課題】基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】１つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ第１処理液供給ノズルおよび第２処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ（４０，４２，４４）と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口（５０ｎ）が形成された筒状の第１カップ外周筒（５０Ａ）と、その外側の第２カップ外周筒（５０Ｂ）を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒５０Ａ、５０Ｂを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム４８を移動させて、基板Ｗのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材４０を基板Ｗのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム４８の移動に伴って、２流体ノズル７０を該２流体ノズル７０から回転中の基板Ｗの表面に向けて流体を噴出させて該表面の２流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、２流体ノズル７０からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材４０を基板Ｗの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２１と、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆い、基板保持部２１に保持された基板を覆う処理空間３０を形成する天板３２と、を備えている。処理空間３０においては、薬液ノズル８２ａにより、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して薬液が供給され、置換ノズル８２ｃにより、処理空間３０の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間３０に供給されるようになっている。また、置換ノズル８２ｃは、処理空間３０内に進出した進出位置と処理空間３０から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム８２ｒによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 （もっと読む）

【課題】パターンが形成された基板表面に粘着部材を当接させた後で当該粘着部材を剥ぎ取って基板表面から付着物を除去する基板処理技術において、優れた付着物の除去率およびダメージ抑制性能を安定的に得る。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに対する粘着テープＴによる貼り剥がし洗浄を行う前に、基板Ｗのノッチ位置を検出し、そのノッチ検出時点でのパターンの向きに基づいて基板Ｗを回転させてパターンの向きが剥離方向Ｘと平行となるように、パターンの向きと剥離方向との相対的な方向関係を適正化する。そして、洗浄ヘッド７がノッチ検出位置Ｐ２から（−Ｘ）方向に移動して粘着テープＴによる貼り剥がし洗浄が実行される。 （もっと読む）

【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ２４は、例えば消耗セラミックライナ６０、基板加熱台座部８０及び処理キット１１４等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ５２のガス出口チャネル６２を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル４０に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール９０が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート８２を備える。処理キットは、トッププレート１１６、トップライナ１１８、ガス分散プレート１２０、ボトムライナ１２２及びフォーカスリング１２４を備える。 （もっと読む）

【課題】大口径の基板に対する裏面洗浄性の確保及び裏面洗浄性の向上を図ると共に、裏面洗浄液の省薬液化を図れるようにした基板裏面洗浄方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転するウエハの表面に処理液を供給（レジスト塗布）した後、ウエハ裏面に洗浄液を緩やかに拡散すべく第１の回転数で回転して洗浄液を供給する洗浄液吐出工程と、第１の回転数より高速の第２の回転数で回転してウエハ裏面の洗浄液を急速に拡散して振り切る洗浄液振り切り工程と、を交互に複数回繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構５により基板９が回転することにより、基板９上から除電液が除去された後、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液とＳＰＭ液との混合による悪影響（例えば、除電液中の水とＳＰＭ液中の硫酸との反応熱による基板９の損傷）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットＳＰＩＮ１〜ＳＰＩＮ１２を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部２１が作成するための方法である。この方法は、制御部２１が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部２１が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、内部空間Ｓ１を有するチャンバー２と、チャンバー２内で基板Ｗを保持して回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３と、チャンバー２内で基板Ｗの上面に対向する遮断板４と、遮断板４と基板Ｗとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構５と、基板Ｗに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Ｗの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル２９と、処理液ノズル２９に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 （もっと読む）