【課題】大口径の基板に対する裏面洗浄性の確保及び裏面洗浄性の向上を図ると共に、裏面洗浄液の省薬液化を図れるようにした基板裏面洗浄方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転するウエハの表面に処理液を供給（レジスト塗布）した後、ウエハ裏面に洗浄液を緩やかに拡散すべく第１の回転数で回転して洗浄液を供給する洗浄液吐出工程と、第１の回転数より高速の第２の回転数で回転してウエハ裏面の洗浄液を急速に拡散して振り切る洗浄液振り切り工程と、を交互に複数回繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構５により基板９が回転することにより、基板９上から除電液が除去された後、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液とＳＰＭ液との混合による悪影響（例えば、除電液中の水とＳＰＭ液中の硫酸との反応熱による基板９の損傷）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットＳＰＩＮ１〜ＳＰＩＮ１２を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部２１が作成するための方法である。この方法は、制御部２１が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部２１が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】塵ＰおよびレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去する。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに液状の被覆剤Ｃを塗布して、基板Ｗの周縁部Ｅに付着した塵Ｐを液状の被覆剤Ｃによって覆う。そして、基板周縁部Ｅに付着した塵Ｐを覆う被覆剤Ｃを硬化させることで、当該塵Ｐを硬化された被覆剤Ｃの内部に捕捉する。したがって、被覆剤Ｃを基板Ｗの周縁部Ｅから除去することで、基板Ｗの周縁部Ｅから塵Ｐを除去することができる。さらに、基板Ｗの周縁部Ｅに被覆剤Ｃを塗布した後に、基板表面ＷfにフォトレジストＲを塗布するため、基板Ｗの周縁部Ｅでは、フォトレジストＲは被覆剤Ｃの上に塗布される。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅから被覆剤Ｃを除去した際には、被覆剤Ｃの上に塗布されたフォトレジストＲも被覆剤Ｃとともに基板Ｗの周縁部Ｅから除去される。こうして、塵ＰおよびフォトレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去できる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液に含まれているレジスト成分を起因とする、半導体ウェハのパターン欠陥を抑制する。
【解決手段】図１に示すように、半導体ウェハ上の感光膜を液浸露光する（ステップＳ１０）。なお、感光膜上には、トップコート膜が設けられていない。次に、半導体ウェハをアルカリ性の現像液に浸す（ステップＳ２０）。次に、アルカリ性の現像液に浸した半導体ウェハを超純水によって洗浄する（ステップＳ３０）。そして、二酸化炭素を含んだ水を用い、半導体ウェハを洗浄する（ステップＳ４０）。 （もっと読む）

【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットＳＰＩＮを有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定する方法である。制御部２１は、第１の基板群に対して処理ユニットＳＰＩＮの使用権を設定する第１使用権を設定する。また、制御部２１は、処理ユニットＳＰＩＮの使用権が第１の基板群に対して設定されているときに、第１の基板群の基板の処理ユニットＳＰＩＮによる処理を表す第１処理ブロックの配置を許容する一方で、他の基板群の基板の処理ユニットＳＰＩＮによる処理を表す処理ブロックの配置を禁止する。さらに、制御部２１は、第１の基板群に対する処理ユニットＳＰＩＮの使用権を削除し、その後に、第２の基板群に対して処理ユニットＳＰＩＮの使用権を設定する。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４に供給される液体が流通する液体流路５５が形成された供給部４３と、液体流路５５を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第１接続路６４が形成された第１拡散板４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板Ｗの周縁部Ｅに形成された傾斜面Ｂf、Ｂrに付着した汚染物質を、粘着ローラー８４を用いて効果的に除去することを可能とする。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに粘着剤層８４aを介して当接する粘着ローラー８４を、回転させながら基板Ｗの周縁部Ｗに沿って基板Ｗに対して相対的に移動させる（移動動作）。しかも、この移動動作の実行中に、基板Ｗの周縁部Ｅが粘着剤層８４aに食い込んだ状態で、粘着剤層８４aを基板Ｗに対して相対的に回転軸方向Ｄf、Ｄbへ移動させ、これによって傾斜面Ｂf、Ｂrに粘着剤層８４aを接触させている。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅに形成された傾斜面Ｂf、Ｂrに付着したパーティクルを粘着ローラー８４の粘着剤層８４aで捕捉して、効果的に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部１１と、制御部１００と、制御部１００の指令により基板Ｗの表面Ｓに処理用の液体を供給する液体供給部１８と、基板保持部１１と基板Ｗの裏面Ｂの間に形成される裏面空間領域３２に、制御部１００の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系１５と、制御部１００の指令により裏面空間領域３２内の空間圧力を制御するエアー吸引系１６を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板回転機構５により回転する基板９の上面９１に向けて処理液供給部３から液体が吐出される。処理液供給部３は、硫酸供給部３１、過酸化水素水供給部３２、混合液生成部３３およびノズル３４を備える。基板処理装置１では、硫酸供給部３１により加熱された硫酸がノズル３４から基板９に供給され、基板９に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部３１からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部３２からの過酸化水素水とが混合液生成部３３にて混合されてＳＰＭ液が生成され、ＳＰＭ液が基板９に供給されてＳＰＭ処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９上に供給された高温のＳＰＭ液の温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＰＭ処理の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体５３２がＤＩＷの液膜ＬＦを介して基板Ｗの表面Ｗｆに近接した状態で０℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体５３２の下面の外周縁近傍に供給され、基板Ｗの表面Ｗｆと氷体５３２とに挟まれるＤＩＷが凝固して凝固領域ＦＲが形成される。これによって、凝固領域ＦＲでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Ｗの表面Ｗｆに対するパーティクルＰＴなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域ＦＲに取り込まれる。そして、凍結ヘッド５３が基板Ｗに対して相対移動することで凝固領域ＦＲが基板Ｗの表面Ｗｆから剥離され、パーティクルＰＴも一緒に基板Ｗの表面Ｗｆから除去される。 （もっと読む）

【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４の長手方向Ｘ１の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部４６とを含む。一対のガイド部４６は、長手方向Ｘ１に間隔を空けて対向する一対のガイド面６６をそれぞれ含む。一対のガイド部４６のそれぞれには、ガイド面６６より凹んだ凹部６８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）