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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット50は、第1シャフト541、ボールねじナット542およびスプラインナット543を有するボールねじスプライン54を備え、第1シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ56の第2シャフト561は、第1シャフトに略平行であり、第1シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第1シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第2シャフトには互いに係合する第1および第2平歯車571,572がそれぞれ固定され、第1シャフトを昇降する際に、第2シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 (もっと読む)


【課題】基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプ5と、処理液供給路6と、処理液供給路6から分岐した第1、第2および第3分岐路11,12,13とを有する。基板処理装置は、さらに、第1、第2および第3分岐路11,12,13にそれぞれ接続され、第1、第2および第3処理ユニット1,2,3にそれぞれ配置された第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3を有する。第1、第2および第3分岐路11,12,13には、第1、第2および第3一次側バルブP1,P2,P3が介装されている。制御装置7は、第1一次側バルブP1を閉じるときに、ポンプ5を駆動状態に保持したまま、第2一次側バルブP2または第3一次側バルブP3を開く。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 (もっと読む)


【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス14を、ノズル出口21に至る混合ガス供給路1で冷却源3により冷却して前記ノズル出口21から断熱膨張させながら真空処理室4内に噴出させて、反応性クラスタ45を生成し、この反応性クラスタ45を真空処理室4内の基板5に噴射して基板表面51を加工するようにしたから、反応性クラスタ45の加工性能を高めることができ、基板5の損傷が少なく、かつ高速で基板5の加工を行うことができるようにした。 (もっと読む)


【課題】ゲルマニウム層が露出した基板表面を洗浄でき、かつゲルマニウム層の膜減り抑制と優れた洗浄効率とを両立できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム層が露出した基板表面に洗浄液を供給する基板洗浄方法であって、洗浄液として、アルカリ物質の添加によってpHが7より大きい値に調整されたオゾン水を用いる。基板処理装置は、ゲルマニウム層が露出した表面を有する基板Wを保持するスピンチャック12と、スピンチャック12に保持された基板Wの表面に、アルカリ物質の添加によってpHが7より大きい値に調整されたオゾン水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給機構20とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されている基板Wの外周より外側に配置されているカップ6とを含む。カップ6は、気体吐出口から基板W上に向けて気体を吐出することにより、基板Wの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Wの上面がパーティクルやミストから保護される。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハ21に対してSPM液を吐出する吐出機構50と、吐出機構50に硫酸を供給する第1液供給機構12と、吐出機構50に過酸化水素水を供給する第2液供給機構14と、を備えている。第1液供給機構12は、第1温度に加熱された第1の液を保持する一次温調機構30と、一次温調機構30に接続された二次温調機構40と、二次温調機構40と吐出機構50を接続する吐出ライン51と、を有している。二次温調機構40は、一次温調機構30の第1循環ライン33から分岐し、一次温調機構30に戻る第2循環ライン41と、第2循環ライン41に設けられ、第1の液を第1温度よりも高い供給温度に加熱する第2加熱器42と、を有している。吐出ライン51は、第2加熱器42よりも下流側で第2循環ライン41から切替弁44を介して分岐している。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を溶解または融解させた処理液で置換し、充填する、処理液充填工程、
前記凹部に充填された前記処理液から固体の昇華性物質を析出させる、固体析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を加熱により融解した充填用融液で置換し、充填する、融液充填工程、
前記凹部に充填された前記融液を冷却することにより固体の昇華性物質を析出させる、冷却析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有するウェハの洗浄方法であって、前記充填用融液が、含有する昇華性物質の融点以上、融点+25℃以下の温度範囲内で充填用処理剤を融解させた融液であることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】薬液処理中あるいは天板の洗浄中に、天板に付着した薬液または洗浄液が望ましくない態様で飛散することを防止する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部(21)と、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズル(82)と、基板保持部に保持されたときの基板の周縁の外方に位置するよう設けられた、処理液ノズルにより基板に供給された後の処理液を受けるためのカップ(40)と、基板保持部に保持された基板を上方から覆う天板(32)と、天板を回転させる天板回転駆動機構と、天板の周縁を囲んで天板の外方に位置するように設けられ、天板から飛散する液体を受ける環状の液受け空間(132)を有する液受け部材(130)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】複数の基板保持部材を備えた受け渡し機構を利用して、効率的に基板を搬送することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は処理された基板Wを基板収納部100に戻すにあたり、搬送機構5を用いて処理済みの基板Wを中間受け渡し部41bに搬送する。受け渡し機構2が、中間受け渡し部41a、41bから処理済みの基板Wを取り出して基板収納部100に受け渡す際に、制御部7は、前記基板収納部100からセットで取り出された第1の基板Wと第2の基板Wとのうち、先に処理を終えた前記第1の基板Wが中間受け渡し部41bに受け渡された後、後続の基板Wが中間受け渡し部41bに受け渡されることを待って両方の基板Wを一緒に搬送するか、後続の基板Wを待たずに前記第1の基板Wを搬送するかを判断する。 (もっと読む)


【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール14において、エッジホイール14の外周面に基板10の端部と係合する溝13を形成し、該溝13から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル18を備え、該放射状チャネル18に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル18を吸引することにより、基板10とエッジホイール14との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル18に流体を供給することにより、基板10の端部を濡らすことも可能にする。 (もっと読む)


【課題】除去処理体の処理部材で有効に除去処理できる有効除去範囲を拡大させて、基板処理装置での処理時間を短縮してスループットを向上させること。
【解決手段】本発明では、基板(2)の表面に処理部材(38)を押圧した状態で基板(2)に対して相対的に移動しながら基板(2)の表面から除去対象物を除去する基板処理装置(1)、及び同基板処理装置(1)の処理部材(38)、並びに基板処理方法において、処理部材(38)は、円環状に形成され、所定の硬度を有する基準硬度処理部(40)と、基準硬度処理部(40)に隣接し、基準硬度処理部(40)よりも硬度の低い低硬度処理部(41,42)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の高圧流体からシール部材を保護して、長期間、清浄な状態で使用することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は搬入出領域2を介して処理容器1内に搬入された被処理基板Wに対して高圧流体を用いて処理を行い、蓋体3は処理容器1に当接して、搬入出領域2を気密に塞ぐ。規制機構26は蓋体3が処理容器1内の圧力により後退することを規制し、シール部材12は、蓋体3が搬入出領域2を塞いだときに、この搬入出領域2を囲んだ状態で蓋体3と処理容器1との間に介在する。保護シート13は、シール部材12を高圧流体との接触から保護するために、当該シール部材12を覆うように設けられ、前記高圧流体に対する耐食性を有する材料により構成されている。 (もっと読む)


【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 (もっと読む)


【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハWを保持するウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、隙間142に溶剤を供給する溶剤供給部150と、隙間142にリンス液を供給するリンス液供給部151と、隙間142に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部152とが設けられている。溶剤供給部150からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、リンス液供給部151からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、不活性ガス供給部152からの不活性ガスによって接合面Wが乾燥されて、当該接合面Wが洗浄される。 (もっと読む)


【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハW表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル5を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハWの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハWに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハW上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハW表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 (もっと読む)


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