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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、工程が遂行される空間を提供するハウジング4100と、ハウジング4100の内部に基板Sを支持する支持部材4300と、ハウジング4100へ工程流体を供給する供給ポートと、供給ポートと支持部材4300との間に配置されて工程流体が基板Sへ直接噴射されることを遮断する遮断プレート4610を含む遮断部材4600と、ハウジング4100から工程流体を排気する排出ポート4700と、を含む。 (もっと読む)


【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の高圧流体からシール部材を保護して、長期間、清浄な状態で使用することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は搬入出領域2を介して処理容器1内に搬入された被処理基板Wに対して高圧流体を用いて処理を行い、蓋体3は処理容器1に当接して、搬入出領域2を気密に塞ぐ。規制機構26は蓋体3が処理容器1内の圧力により後退することを規制し、シール部材12は、蓋体3が搬入出領域2を塞いだときに、この搬入出領域2を囲んだ状態で蓋体3と処理容器1との間に介在する。保護シート13は、シール部材12を高圧流体との接触から保護するために、当該シール部材12を覆うように設けられ、前記高圧流体に対する耐食性を有する材料により構成されている。 (もっと読む)


【課題】フィルタの寿命を延ばすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wに供給される処理液をろ過するフィルタ16を内部で保持するハウジング17と、ハウジング17に保持されている状態のフィルタ16に液滴を衝突させるスプレーノズル23とを含む。フィルタ16に付着している異物は、液滴の衝突によって除去される。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201と、現像液ノズル142との間に設けられた中間貯槽203と、現像液に直流電圧を印加する電極204と、電極204に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット205と、中間貯槽203へ洗浄液を供給する洗浄液供給管210と、中間貯槽203から洗浄液を排出する廃液管220と、を有している。電極204は、中間貯槽203に設けられている。 (もっと読む)


【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台112と、試料台112の側面の消耗を低減するための試料台保護部材(206、203、200)とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材(図面上では203)を冷却するための冷却用ガス流路205を有する。また、イオンを試料台保護部材200へ引き込む導体リング201や、試料台保護部材203と試料128との距離を調整する機構(204、250〜252、260、132)を有する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル3のガス吐出口30に対して上面37aが平面となった整流部材37を近接対向配置し、ガス吐出口30から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材37を配置し、ガス吐出口30周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器1内にウエハWを搬入出する搬入出口2を囲むように、処理容器1と蓋体3との間に第1のシール部材11及び第2のシール部材12を搬入出口2側から処理容器1の外側に向かってこの順番で配置して、第1のシール部材11については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第1のシール部材11に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域13に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域13における圧力が処理容器内1の圧力よりも低く且つ処理容器1の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第2のシール部材12により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 (もっと読む)


【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる2流体ノズル及び同2流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、液体吐出部(48)から吐出した処理液と気体吐出口(52)から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する2流体ノズル(34)及び同2流体ノズル(34)を用いた基板液処理装置(1)並びに基板液処理方法において、液体吐出部(48)は、気体吐出口(52)の内側に円周中心部に対して外側方向へ向けて処理液を吐出する複数の液体吐出口(47)を同一円周上に配置することにした。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201から現像液ノズル142へ現像液を供給するための現像液供給管202と、現像液供給管202に設けられ、現像液供給管202中の現像液に直流電圧を印加する電極212と、電極212に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット213と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源216と、現像液供給管202に接続され、洗浄液供給源216から現像液供給管202に洗浄液を供給するための洗浄液供給管215と、現像液供給管202における電極213が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管202から排出する廃液管220と、を有している。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第1の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の吐出ヘッドから基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理液を吐出する処理が終了して待機位置に帰還した処理液ノズルの吐出ヘッド61を下降させて待機ポット70の収容部75に収容する。洗浄液噴出部76から吐出ヘッド61に向けて洗浄液を噴出し、処理中に吐出ヘッド61に付着した処理液を洗い流す。続いて、洗浄液噴出を停止し、待機ポット70に設けられた乾燥ガス噴出部77から斜め下方に向けて乾燥用ガスを噴出する。そして、収容部75から吐出ヘッド61を徐々に引き上げる。その吐出ヘッド61に乾燥用ガスを吹き付けることによって、吐出ヘッド61に付着していた洗浄液を吹き飛ばして乾燥させる。洗浄後に処理位置に移動した吐出ヘッド61から基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】CとNとを含む混合ガスをプラズマ化してCN活性種を生成し、生成したCN活性種により半導体基体11の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体11の表面の半導体層を前記CN活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部22と、処理部22内に設けられ、基板が載置される載置台32と、載置台32の中心を回転軸として、載置台32に載置されている基板を載置台32とともに回転させる回転部35と、基板の表面に、処理部22の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部34と、気体供給部34を移動させる第1の移動部84とを有する。気体供給部34により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 (もっと読む)


【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】1枚の基板Wの処理が終了してノズルアーム62が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部75の2本の乾燥ガスノズルからノズルアーム62に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム62の先端側が横切るように旋回駆動部63が3本のノズルアーム62を揺動させている。これによって、基板Wの処理後に処理液が付着していた3本のノズルアーム62が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Wの処理中に処理液が付着したノズルアーム62による汚染を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハWに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハWの表面の自然酸化膜11を溶解させることにより、前記自然酸化膜11の表面に付着している付着物10について、ウエハWの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハWの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜12に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハWに照射して、付着物10を除去する。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード70は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したSPM液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板32の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル82aが一のノズル支持アーム82qにより支持されており、このノズル支持アーム82qは、天板32の下方にノズル82aが位置するような天板洗浄位置と、天板32の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 (もっと読む)


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