シリコンウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって、ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を用いて洗浄される。本発明の別の態様は、回転ブラシをローラー（１１０）で置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。洗浄材のウェブ（１１６）を各ローラーと基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。
（もっと読む）

超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
（もっと読む）

本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
（もっと読む）

特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】枚葉式ウエハ洗浄システムにおいて処理後の残留物を除去するための方法が提供されている。その方法は、基板の上に配置された近接ヘッドに、加熱された第１の流体を供給する動作から始まる。次に、第１の流体のメニスカスが、基板の表面と、近接ヘッドの対向する表面との間に生成される。基板は、近接ヘッドの下で直線的に移動される。また、枚葉式ウエハ洗浄システムも提供されている。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
（もっと読む）

電極アセンブリ結合剤の可能性のある化学腐食を制御し、又は無くするシリコン電極アセンブリ汚染除去洗浄方法及び溶液は、フッ化アンモニウム、過酸化水素、酢酸、場合によっては酢酸アンモニウム、及び脱イオン水を含む。 （もっと読む）

洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）

【課題】
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子（Backside Particles(BSP’s)）を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し；前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し；そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

１個の円板状基板を保持するための手段、円板状基板の表面上にリンス液を供給するための手段、エアゾールを発生させるための手段、及び円板状基板の表面上に前記エアゾールを供給するための手段を備えた円板状基板の乾燥装置が明らかにされる。更に、１個の円板状基板を準備し、円板状基板の表面にリンス液を適用し、円板状基板の表面にエアゾールを適用する諸段階を含み、ここに、エアゾールは分散相として乾燥用液体及び連続相として不活性気体よりなる円板状基板の乾燥方法が明らかにされる。エアゾールの供給中、液体の少なくも一部分が円板状基板上にあり、エアゾールの滴は液体面において凝結する。
（もっと読む）

処理すべき円板状基板に重なり得る寸法と形状とを有する第１のプレート（１０）、円板状基板（Ｗ）を０．２から５ｍｍの距離で前記第１のプレートと平行に保持するための保持手段（２２）、前記第１のプレートに対して実質的に直角な回転軸線（Ａ）まわりに円板状基板（Ｗ）を回転させるための回転手段（３７）、処理中に前記第１のプレート（１０）と円板状基板（Ｗ）との間の第１の間隙（１１）内に流体を導くために第１の間隙内に第１の分配用開口（１６）を有する第１の分配用手段（１４）、及び前記第１の分配用開口（１６）の位置を第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）に移動させるための移動手段（３４）であって、前記第１の位置（Ｐ１）の回転軸線（Ａ）までの距離が前記第２の位置（Ｐ２）の回転軸線（Ａ）までの距離より小さい前記移動手段を備えた円板状基板の湿式処理装置が開示される。
（もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

基板が回転自在な支持体と接触する領域に、毛細管部材を設けた、単一ウエハ用の処理チャンバ内で、基板を乾燥させるための装置及び方法。毛細管部材は、毛細管力により、基板と支持体間に閉じこめられた如何なる液体も接触領域において、中に引き込むことにより、基板のエッジエクスクルージョン領域を減らし、これにより産出量を増やす。本発明は、基板の周囲領域とだけ接触させる形で、基板を実質的に水平方向に支持する固定治具からなる回転自在な支持体を有し、固定治具は、毛細管部材からなる接触面を１以上有している。
（もっと読む）

基板（１０５）を処理する超臨界流体を用いる処理システム（１００）は、コーティングを有する内側部材を有すると開示されている。例えば、内側部材におけるコーティングは処理中の汚染を低減することができる。更に、その処理システムを用いる方法について開示されている。

（もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

（もっと読む）

半導体ウェハを処理するためのプロセスチャンバ。プロセスチャンバは、少なくとも１つのロータを含む。このロータは、ウェハの受け入れおよび／または処理に適合する。また、プロセスチャンバの最上部には、チルト可能なリムも含む。このリムは、非傾斜位置から傾斜位置までチルトする。ウェハは、リムがその傾斜位置にあるとき、プロセスチャンバに取り入れら得るし、また、プロセスチャンバから取り出され得る。このプロセスチャンバは、チルト可能なリムより下で囲み、上向きに配置されたシュラウドを備え得るし、また、チルト可能なリムの内部に配置された排気口をさらに備え得る。
（もっと読む）

本出願は、基板を乾燥させるためのシステムを説明し、そのシステムは、チャンバと、チャンバ内に位置決めされた上部エッジを有する内側容器とを含む。プロセス流体が、内側容器の中へ向けられ、そして、上部エッジを越えて流れ落ちる。内側容器の上部エッジが下げられ、それによって、基板の表面を横断するカスケードレベルを下げ、それと同時に、乾燥蒸気が、チャンバの中へ流し込まれる。カスケードレベルが、基板の表面を横断するように減少するにつれて、基板表面は、乾燥蒸気に曝される。境界層を薄くすることを使用した乾燥を促進するために、高周波超音波エネルギーが、内側容器の中へ送出されてもよい。 （もっと読む）