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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】ノズル支持アームに複数設けられたノズルの全体の投影面積を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に流体を供給する複数のノズル(82a,82a’)と、複数のノズルを支持するノズル支持アーム(82)と、ノズル支持アームを当該ノズル支持アームの長手方向軸線周りに回転させる回転機構(86A)と、を備え、複数のノズルの吐出口(82a1,82a1’)は、ノズル支持アーム長手方向軸線周りの異なる周方向位置に配置され、ノズル支持アームの回転位相に依存して前記複数のノズルうちのいずれか一つの吐出口が基板保持部により保持された基板の方を向くように設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理時間(スループット)等の要素との関連性を考慮しつつ、流体ノズルの移動速度をより簡易かつ最適に制御して、基板の全表面に亘るより均一な洗浄や乾燥等の処理ができるようにした基板処理方法及び基板処理ユニットを提供する。
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板が汚れるのを抑えること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の第一面に噴霧状の液状体を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された前記基板の外周に前記第一面とは反対の第二面又は前記基板の端部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と、前記基板保持部に保持された前記基板に対して前記ノズルから前記液状体が吐出されている状態で、前記気体噴出部に前記気体を噴出させる制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハWの上方に設けられ、ウエハWに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル65と、処理流体ノズル65に薬液を供給する処理流体供給機構70と、処理流体ノズル65によりウエハWに薬液が吐出される際にウエハWを上方から覆うことができるカバー機構60と、を備えている。カバー機構60は、カバー機構60がウエハWを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構78により上下方向に駆動される。また液処理装置10は、カバー機構60が上昇位置にある時にウエハWをカバー機構60から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード31をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハWの上方に設けられ、ウエハWに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル65と、処理流体ノズル65に薬液を供給する処理流体供給機構70と、処理流体ノズル65によりウエハWに薬液が吐出される際にウエハWを上方から覆うことができるカバー機構60と、を備えている。カバー機構60は、カバー機構60がウエハWを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構78により上下方向に駆動される。また液処理装置10は、カバー機構60が上昇位置にある時にカバー機構60とウエハWとの間でウエハWをカバー機構60から遮蔽することができる遮蔽機構30をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄液を基板裏面側の接着剤に接触させないようにしながら、確実かつ効率的に基板表面を洗浄できるようにする。
【解決手段】基板洗浄装置10は、基板12を下向き姿勢で支持できる基板支持部16と、液体支持面22を有する洗浄板24であって、基板支持部16に支持された基板12の第1面12aに液体支持面22が所定寸法の隙間Gを介して対向できる作業位置に、上向き姿勢で配置される洗浄板24と、洗浄板24の液体支持面22の中央領域22aに洗浄液を供給する洗浄液供給部26と、洗浄板24を、液体支持面22に略直交する洗浄板軸線24aを中心に回転させる洗浄板駆動部28とを備える。基板洗浄装置10は、洗浄板軸線24aを中心に回転する洗浄板24の液体支持面22に沿って流動する洗浄液を、基板12の第1面12aに接触させて、第1面12aを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート1100及びインデックスロボット1200を有するインデックス部1000と、基板処理を遂行する処理部200と、処理部200とインデックス部1000との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット4000と、を含み、処理部200は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 (もっと読む)


【課題】ロール洗浄部材の形状の最適化を図り、基板表面を高い洗浄度で効率的に洗浄して、基板表面に残存するディフェクト数を低減できるようにする。
【解決手段】表面に多数のノジュールを有し基板の直径のほぼ全長に亘って直線状に延びて基板表面との間に洗浄エリアを形成するロール洗浄部材と基板とを共に一方向に回転させつつ、ノジュールと基板表面とを互いに接触させて該表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、洗浄エリア(長さL)上のロール洗浄部材16と基板Wの相対回転速度が相対的に低い順方向洗浄エリア(長さL)では、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対回転速度が相対的に高い逆方向洗浄エリア(長さL)よりも少ない面積でノジュール16aと基板Wの表面とを互いに接触させる。 (もっと読む)


【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Wを液処理する液処理装置1において、基板Wを水平に支持し、回転可能な支持部材10と、支持部材10の外周部13との間に環状間隙GPを形成する間隙形成部材20と、基板Wに上方から処理液を供給する液供給部材30と、環状間隙GPを取り囲み、環状間隙GPを介して、回転する基板Wから振り切られる処理液を回収するカップ40と、間隙形成部材20を昇降させる昇降機構122とを有する。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液(SL)を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質(SS)で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハWを液処理する液処理装置1において、ウエハWを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材10と、ウエハ支持部材10の上方を覆いウエハ支持部材10と共にウエハWを液処理するための処理室Sを形成するカバー20と、カバー20の外周部23とウエハ支持部材10の外周部13との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー20を昇降させる昇降機構132と、処理室S内に配置され、回転するウエハWに処理液を供給する液供給部材30(40)と、ウエハ支持部材10によりウエハWを支持していない状態で、カバー20の位置を閉位置に設定し、液供給部材30(40)により処理室S内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー20の位置を開位置に変更する制御装置70とを有する。 (もっと読む)


【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Wを液処理する液処理装置1において、基板Wを水平に支持し、基板Wと共に回転可能な支持部材10と、支持部材10と共に基板Wを液処理するための処理室Sを形成し、処理室S内に気体を流入させる開口部24を備えるカバー20と、処理室S内において基板Wに上方から処理液を供給する液供給部材30と、支持部材10の外周部13とカバー20の外周部23との間に形成される環状間隙GPを取り囲み、環状間隙GPを介して、回転する基板Wから振り切られる処理液を受け取るカップ40と、環状間隙GPを調節する調節機構122と、処理室Sの開口部24に液供給部材30を接近または離間させる移動機構132とを有する。 (もっと読む)


【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器1では基板W表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ2は供給ライン51を介して処理容器1に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ51よりも吐出流量の大きな循環ポンプ3にて、処理容器1内の流体を循環ライン53に循環させた後、処理容器1内の流体を排出ライン52から排出する。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ1の、少なくとも凹部4表面に撥水性保護膜10を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式[1]及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が50質量%以上である。


は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基。Rはそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基。aは0乃至2の整数。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】簡素な手法により2つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置1では、被処理基板の回転保持部21を囲むように設けられた第1、第2のカップ51、52は、回転する被処理基板Wから飛散した処理液を下方側へ案内し、第1の駆動部610及び第2の駆動部620は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第1のカップ51及び第2のカップ52昇降させる。制御部7は、第1、第2のカップ51、52の同時上昇時、第1のカップ51の上昇速度を第2のカップ52の上昇速度よりも大きくし、第1のカップ51またはその第1の昇降部材は、前記第2のカップ52またはその第2の昇降部材に下方側から重なり合って、第1の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第1のカップ51と第2のカップ52とを同時に上昇させる (もっと読む)


【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 (もっと読む)


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