【課題】切削加工後のワークを傷付けずに、ワーク表面の付着物を効果的に除去して、洗浄品質を向上させる。
【解決手段】ノズル４１に接続した給水管４５には、純水中にマイクロナノバブルＢを発生させるマイクロナノバブル発生器４９が接続され、ノズル４１の先端はワークＷの被洗浄部近傍に配置されている。ノズル４１の吐出口部には圧力維持バルブ５１が設けられ、マイクロナノバブル発生器４９で生成した加圧過飽和状態のマイクロナノバブルＢを含む洗浄水Ｃが、洗浄中にノズル４１から吐出して、ワークＷの被洗浄部に至近距離から供給する。 （もっと読む）

【課題】高速回転するスピンナーテーブルからフレームとともにウエーハが脱落しないようにすることを目的とする。
【解決手段】ウエーハＷを洗浄する洗浄装置２Ａに備えるフレーム保持手段３０は、フレーム４の下部４ｂを支持するフレーム支持部３１と、フレーム４の上部４ａを押さえスピンナーテーブル２０の回転中心に対して等角度に配設された複数のフレーム押さえ部３２とを備え、フレーム押さえ部３２は、アーム部３００と、上部３０１に形成されたフレーム４を押圧する爪部３１０と、下部３０２に形成された錘部３２０と、爪部３１０がフレーム４の上部４ａを押圧するようにアーム部３００を回転可能に支持する支点軸３３０と、を備え、錘部３２０にはスピンナーテーブル２０の回転時に遠心力に加え揚力が生じるように翼３２１が形成され、フレーム押さえ部３２がフレーム４を押さえてウエーハＷがスピンナーテーブル２０から脱落するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】カップ中部５１およびカップ下部５２は基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ中部５１はカップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂの上方に配置される。また、側壁部５５が、カップ中部５１およびカップ下部５２の周囲を取り囲むように設けられる。カップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂとカップ中部５１の下面５１ａとの間隔は、基板Ｗの外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、カップ中部５１およびカップ下部５２の外周部で下面５１ａと上面５２ｂとの間に間隙Ｓが形成される。側壁部５５の内周面５５ａは、間隙Ｓの外方で間隙Ｓから離間しかつ間隙Ｓを取り囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近（微細気泡発生領域）を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第１の領域に接触して、前記基板を保持する第１の基板保持手段と、前記第１の領域以外の前記裏面の第２の領域に接触して、前記基板を保持する第２の基板保持手段と、前記第１の基板保持手段又は前記第２の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第１の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第２の基板保持手段の接触面を洗浄する第２の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１がローラー２で搬送され、ジェット洗浄ノズル３及び最終リンスノズル４で洗浄される。最終リンスノズル４に純水が供給される。最終リンスノズル４からの洗浄排水がタンク７に流入し、ポンプ９からノズル３に供給される。タンク７内の菌体数が増加した場合、タンク７内の水をオゾン水供給装置１２に循環通水し、タンク７内にオゾン水を供給し、殺菌する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】ＨＦガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ１１と、真空チェンバ１１内でガラス基板１００を保持する基板ステージ１２と、真空チェンバ１１内にガラス基板１００を処理する処理ガスを供給するガス供給機構２０と、基板ステージ１２の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ１２に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド１３と、真空チェンバ１１内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ１１内を洗浄水１１０で洗浄するシャワーヘッド３１と、真空チェンバ１１内に貯留した洗浄水１１０を排水する排水機構４０と、を備える。 （もっと読む）