【課題】疎水性ウェーハを洗浄する優れた方法および装置を提供する。
【解決手段】疎水性ウェーハを洗浄するために界面活性剤を使用する方法および装置が提供される。第１の態様では、本方法は、純ＤＩ水をウェーハへ供給することなくウェーハを洗浄および乾燥することができる。第２の態様では、本方法は、界面活性剤溶液がウェーハからリンスされると直ちに、またはその前にＤＩ水の供給が停止するように、短い時間だけ純ＤＩ水をウェーハへ供給することによってウェーハを洗浄することができ、その後、ウェーハが乾燥される。別の態様では、疎水性ウェーハは、洗浄装置間で移送される間、界面活性剤で湿潤されたままであり、希釈界面活性剤により、または短時間のＤＩ水の噴霧によりリンスされた後、乾燥される。 （もっと読む）

平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材７１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００における搬送方向の両側の、ガラス基板１００の端縁に近接する位置において、ガラス基板１００の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の端縁と液寄せ部材７１との距離Ｄは２ｍｍ以下となっている。また、液寄せ部材７１の上面の高さ位置は、ガラス基板１００の表面の高さ位置より、Ｈだけ高くなっている。このＨの値は、処理液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】液の使用量を低減することができるとともに、被処理体間での処理の程度のバラツキを抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続した液供給機構４０と、主配管に設けられた主開閉弁２２と、主配管から分岐した複数の分岐管２５と、各分岐管と接続した複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液を供給する第１液供給管４１ｂと、第２液を供給する第２液源４２ａと、を有し、第１液と第２液とを混合器内で混合してなる混合液を、主配管に一側から供給する。主開閉弁は、処理ユニット内で被処理体が処理されている際、主配管を液供給機構に対して他側から閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。
【解決手段】 被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー８内のスピンチャック９上に載せ、光熱変換層２のうち、被処理基板から露出する部分２ａを、アルカリ性水溶液１１で除去した後、高圧洗浄用ノズル１２で洗浄する。その後、被処理基板３の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】異なる温度の二つの液を、それぞれ、所望の温度で吐出することができる処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置１０は、第１の液を吐出する吐出開口３０ａを有した第１供給ライン３０と、第２の液を吐出する吐出開口４５ａを有した第２供給ライン４５と、第１および第２の供給ラインの吐出開口を支持する支持部材６０を有した処理ユニット５０と、を有する。支持部材は、前記仕切り部材６３を有する。第１および第２供給ラインの一方が仕切り部材の一側を延び、他方が仕切り部材の他側を延びている。 （もっと読む）

【課題】 被洗浄物上から付着物を効果的に除去可能な被洗浄物の洗浄方法を提供することである。
【解決手段】 スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄する被洗浄物の洗浄方法であって、被洗浄物を該スピンナテーブルで保持する保持ステップと、該スピンナテーブルで保持された該被洗浄物上に少なくとも凝集剤を含む洗浄液を供給して、該被洗浄物上に付着している付着物を凝集させて付着物凝集塊を形成する洗浄ステップと、該洗浄ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させつつ該被洗浄物上に純水を噴出して、該被洗浄物上の該付着物凝集塊を該被洗浄物上から除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させて該被洗浄物を乾燥させる乾燥ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 （もっと読む）

【課題】送り出し部から処理液を供給ノズルを介して基板に吐出するにあたり、処理液の流量の監視と、処理液中の気泡のトラップとを同一の機器により行うこと。
【解決手段】気密な容器の上部に開口し、送り出し部から処理液が送り出される第１の流路と、当該容器の底部に接続され、途中に開閉バルブが設けられた第２の流路と、この第１の流路から滴下される液滴の落下軌跡を横切るように光軸が形成された光電センサーと、光電センサーからの検知信号に基づいて処理液の流量を計測する流量監視部と、容器の上部に設けられ、排気バルブを介して大気に開口する排気路と、前記容器内の液面レベルが下限レベルに達したか否かを監視し、下限レベルに達したときに、開閉バルブを閉じると共に排気バルブを開放し、送り出し部から容器内に処理液を送り出す制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜（金属膜や有機膜など）とが積層された被処理体を処理する場合においても、凸形状部が倒壊することを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、本体部Ｗ_ｉと、本体部Ｗ_ｉに設けられた複数の凸形状部Ｗ_ｍとを有し、無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜とが積層された被処理体Ｗを処理する。液処理装置は、被処理体Ｗの本体部Ｗ_ｉを支持する支持部５０と、支持部５０によって支持された被処理体Ｗに、疎水化液を供給する疎水化液供給機構３０と、疎水化液供給機構３０によって疎水化液が供給された後の被処理体Ｗに、リンス液を供給するリンス液供給部２２と、を備えている。疎水化液供給機構３０は、無機膜を疎水化するための第一疎水化液を被処理体Ｗに供給する第一疎水化液供給部３２と、異質膜を疎水化するための第二疎水化液を被処理体Ｗに供給する第二疎水化液供給部３７とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＶＯＣ濃度を積極的に増大させてＶＯＣ濃度を平準化させ、ＶＯＣの除去効率を向上させた排ガス処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。次いで、前記循環部に連結された揮発成分処理部において、平準化された濃度を有する前記有機溶剤の揮発成分を捕獲除去する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で有機ガス供給装置から供給される混合ガス中の有機ガス濃度を検出できる有機ガス濃度検出方法、及び有機ガス供給装置を提供すること。
【解決手段】ガス導入管１２及びガス吐出管１３を備えたバブリングタンク１１内にＩＰＡ等の有機溶剤を収容し、該タンク内の有機溶剤１０４中に不活性ガスを通気して気化させ、ガス吐出管１３から不活性ガスと有機ガスの混合ガスを吐出す有機ガス供給装置において、ガス導入管１２に第１マスフローコントローラ１５を設け、ガス吐出管１３にマスフローメータ１６を設け、第１マスフローコントローラ１５からのガス流量測定値とマスフローメータ１６のガス流量測定値から、混合ガス中の有機ガス濃度を検出する。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】洗浄により得られるウェーハの品質を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定の洗浄液をウェーハＷに吐出して、ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置１において、ウェーハＷに洗浄液を吐出するために、ウェーハＷを収容するスピン槽５を備え、スピン槽５におけるノズル１７が設けられたノズルキャップ１６の表面を、水に対する接触角が９０度以上のＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）により構成するようにする。係るウェーハ洗浄装置１によると、ノズルキャップ１６における洗浄液の残留を低減することができ、得られるウェーハＷの品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置の露光空間を構成する部材を良好に洗浄することにより、露光不良によるデバイスの欠陥を低減する露光装置及び露光装置の洗浄方法を得ることを課題とする。
【解決手段】露光装置の投影光学系の最終面とこの最終面に対向する基板ステージの表面との間の空間を形成する部材を洗浄するために、洗浄液又はリンス液を吐出する洗浄ノズルと、この洗浄ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルに前記リンス液を供給するリンス液供給手段と、前記洗浄液供給手段及び前記リンス液供給手段の供給を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、前記洗浄ノズルから洗浄液を吐出する前後に、前記リンス液を洗浄液の吐出に連続して供給するように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜太陽電池パネルに一定間隔で設けられた多数のスクライブ内に付着するパーティクルを確実に除去でき、しかも表面の成膜面に傷を付けたり成膜を剥離したりするおそれがない高圧液噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 薄膜太陽電池パネルＸの各スクライブＸ２の位置に対応して噴射ノズル３をノズルホルダー２の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列し、ノズルホルダー２をその両側の支持部１３・１４でノズルホルダーの長手方向に移動自在に支持し、太陽電池パネルＸをスクライブＸ２に平行に相対的に搬送しながら、ノズルホルダー２の各噴射ノズル３から一本の直線状に噴射する高圧液を太陽電池パネルＸの多数のスクライブＸ２に対し平行に噴射させて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に極めて薄い処理液の液膜を保持しつつ、基板に処理液による処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】スピンチャック２により保持されたウエハＷの上面に対向棒１４が対向配置される。対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに、鉛直方向への移動が許容された状態で支持されている。対向棒１４が、スピンチャック２により回転されるウエハＷの上面に近接されて、ウエハＷの上面に保持される薬液の液膜に接触すると、薬液の液膜から対向棒１４に与えられる揚力により、対向棒１４に鉛直上向きの離反方向力が作用し、対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに対して鉛直上向きに相対変位する。対向棒１４は、その離反方向力と対向棒１４に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至るキャピラリ２と、上記キャピラリ２が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル１と、上記噴射ノズル１に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管４とを備え、上記キャピラリ２における噴射ガス供給管４の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ２を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ２内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ２内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ２内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）