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Fターム[5F157AB12]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596)

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【課題】切削加工後のワークを傷付けずに、ワーク表面の付着物を効果的に除去して、洗浄品質を向上させる。
【解決手段】ノズル41に接続した給水管45には、純水中にマイクロナノバブルBを発生させるマイクロナノバブル発生器49が接続され、ノズル41の先端はワークWの被洗浄部近傍に配置されている。ノズル41の吐出口部には圧力維持バルブ51が設けられ、マイクロナノバブル発生器49で生成した加圧過飽和状態のマイクロナノバブルBを含む洗浄水Cが、洗浄中にノズル41から吐出して、ワークWの被洗浄部に至近距離から供給する。 (もっと読む)


【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラ9と、処理液吐出口21が形成され、この処理液吐出口21とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル2と、処理液保持面31を備え、処理液吐出口21と処理液保持面31との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の表面に供給された処理液がガラス基板100の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ5と、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部4とを備える。 (もっと読む)


【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ24は、例えば消耗セラミックライナ60、基板加熱台座部80及び処理キット114等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ52のガス出口チャネル62を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル40に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール90が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート82を備える。処理キットは、トッププレート116、トップライナ118、ガス分散プレート120、ボトムライナ122及びフォーカスリング124を備える。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および/または支持部材94の外側周辺部に近接して入口(340)を有する。また、障壁板556が、外側周辺部(566)、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面(560)、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路(330)を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面(180,224,268)を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の洗浄面と反対側の面に液体が付着するを防ぐことが可能な枚葉式の基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転可能な回転板と、前記回転板の周縁に沿って設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の上端に設けられ、前記基板の周縁を支持することにより前記基板を案内可能な案内部と、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板に対して上方から液体を供給する供給部とを備え、前記案内部が、前記回転板の周方向に沿って少なくとも3つ以上設けられ、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板の表面よりも高い高さを有する液処理装置により上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ1を所定間隔をもって起立状態でX方向に整列させて収容する反応処理槽10と、反応処理槽10の底面に設けられ、反応処理槽10にフッ化水素ガスを供給するガス供給口11とを備え、ガス供給口11は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ12を有する。フィルタ12によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ1の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ1上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプ5と、処理液供給路6と、処理液供給路6から分岐した第1、第2および第3分岐路11,12,13とを有する。基板処理装置は、さらに、第1、第2および第3分岐路11,12,13にそれぞれ接続され、第1、第2および第3処理ユニット1,2,3にそれぞれ配置された第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3を有する。第1、第2および第3分岐路11,12,13には、第1、第2および第3一次側バルブP1,P2,P3が介装されている。制御装置7は、第1一次側バルブP1を閉じるときに、ポンプ5を駆動状態に保持したまま、第2一次側バルブP2または第3一次側バルブP3を開く。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板の一括搬送および1枚の基板の枚葉搬送の切換えに要する時間を短縮することができ、構成も簡略化できる基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬出入機構4は、複数枚の基板Wを積層状態で一括して保持するバッチハンド40と、このバッチハンド40を進退させるバッチハンド進退機構と、1枚の基板Wを保持する枚葉ハンド39と、この枚葉ハンド39を進退させる枚葉ハンド進退機構と、バッチハンド進退機構および枚葉ハンド進退機構を保持する保持ベース41と、保持ベース41を上下動させる昇降ブロック43と、前記保持ベース41を鉛直方向に沿う旋回ブロック42とを含む。 (もっと読む)


【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】CMP処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するように環状フレームを支持するフレーム支持工程と、該粘着テープに配設されたウエーハを挟むように該粘着テープ側及びウエーハ側に一対の帯電板を位置付けるとともに該帯電板に直流高電圧を印加して該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する電圧印加工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第3配管33において第1分岐管41が接続されている部位45よりも下流側の位置の部位51に、第2分岐管47の上流側の一端が接続されており、第2分岐管47の下流側は第1回収タンク23に接続されている。制御部が、開閉弁43及び開閉弁49を開にし、開閉弁53を閉にした状態で、ヒータ35及び駆動ポンプ39をONにした後に、ヒータ35により加熱された処理液は、第3配管33から第2分岐管47に流れて、第1回収タンク23に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第1回収タンク23に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第1回収タンク23において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。 (もっと読む)


【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水DIWによる洗浄処理においては、図3(a)に示すように基板Wの微細パターンmpが純水DIWで覆われているが、乾燥処理時においては、図3(b)に示すように基板Wの微細パターンmpの側方に純水DIWが排出される。したがって、基板Wの上面に形成されている隣接した微細パターンmpの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水DIWの表面張力によって微細パターンmpが倒壊することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ41と、スポンジ41に処理液を供給する貯留槽40と、基板Wを保持する基板搬送ロボット21とを含む。基板搬送ロボット21は、スポンジ41と基板Wとを相対移動させてスポンジ41と基板Wの下面とを接触させることにより、スポンジ41に吸収されている処理液を基板Wの下面に供給させる。 (もっと読む)


【課題】処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置1は、被処理体Wに対して処理液を供給して被処理体Wを液処理する複数の液処理部3と、複数の液処理部3内の雰囲気を排出する共通排気路6と、液処理部3の各々と共通排気路6とを連結する個別排気路35と、個別排気路35に開閉自在に設けられた開閉機構5と、共通排気路6に外気を取り込む外気取込部65と、を備えている。共通排気路6には、外気取込部65から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁が設けられている。制御部100は、開閉機構5の各々の開閉状態に基づいて、取込量調整弁の開度を制御するようになっている。 (もっと読む)


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