【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】１つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ第１処理液供給ノズルおよび第２処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ（４０，４２，４４）と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口（５０ｎ）が形成された筒状の第１カップ外周筒（５０Ａ）と、その外側の第２カップ外周筒（５０Ｂ）を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒５０Ａ、５０Ｂを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２１と、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆い、基板保持部２１に保持された基板を覆う処理空間３０を形成する天板３２と、を備えている。処理空間３０においては、薬液ノズル８２ａにより、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して薬液が供給され、置換ノズル８２ｃにより、処理空間３０の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間３０に供給されるようになっている。また、置換ノズル８２ｃは、処理空間３０内に進出した進出位置と処理空間３０から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム８２ｒによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板９を１枚ずつ処理する枚葉処理装置１、比抵抗がＳＰＭ液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部７１、および、基板９に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部７５を備える。基板処理装置１０では、カートリッジ７３に保持された複数の基板９が、除電液貯溜部７１内の除電液に浸漬され、基板９の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部７５による乾燥処理の終了後に、処理液供給部３により基板９の上面９１上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットＳＰＩＮ１〜ＳＰＩＮ１２を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部２１が作成するための方法である。この方法は、制御部２１が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部２１が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、キャリア２に液処理を施す液処理部１０と、液処理後のキャリア２が搬送される搬送部２０とを有する。搬送部２０は、搬送レール２１と、液切処理部２２とを有する。液切処理部２２は、回転テーブル２４と、回転テーブル２４上に固定され、搬送レール２１から搬送されるキャリア２を水平状態に保持する回転レール２３と、回転テーブル２４を回転駆動し、回転レール２３に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 （もっと読む）

【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽１内でのリンス処理が完了した後に待機位置ＷＰで置換処理を行うために、単に基板Ｗを待機位置ＷＰに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりＤＩＷ蒸気が基板Ｗに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、ＤＩＷ蒸気の動圧によって基板Ｗに付着しているＤＩＷが下方へ押し流されて基板Ｗに残存するＤＩＷ量が低下する。また、基板ＷのうちＤＩＷ蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってＤＩＷの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 （もっと読む）