【課題】薬液処理時における薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板の温度調整を効率良く行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持する基板保持部材（２２）と、基板保持部材を回転させる回転機構（２５）と、基板保持部材に保持された基板に加熱された薬液を供給する薬液ノズル（５６ａ）と、基板保持部材に保持された基板の上方を覆うトッププレート（５０）と、トッププレートの上方から、トッププレートを透過させて、所定の波長の光を基板保持部材に保持された基板に照射することにより薬液処理中に基板を加熱する少なくとも１つのＬＥＤランプ（６２）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化と流通させる液体の清浄度向上との両立を図り、液体の供給停止後に生じる使用部における液垂れを抑制することができる新たな構造を備えた液体供給装置を提供する。
【解決手段】液体の供給部１０と、液体の使用部２０と、供給部から使用部へ液体を流通させる供給配管部３０とを有する液体供給装置１Ａであって、供給配管部は、供給部側から供給される液体を流通させる主配管部３１と、主配管部に接続されるアスピレータ５０と、アスピレータにより分岐され使用部側に液体を供給する使用側配管部３２及び副配管部３３と、副配管部に接続され開閉機能を有する弁１６とを備えており、アスピレータの主流路側に主配管部及び副配管部が接続され、アスピレータの吸引流路側に使用側配管部が接続される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに、ＤＩＷにポリスチレン微粒子Ｐを分散させた処理液Ｌによる液膜ＬＰを形成する。冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Ｗに対し走査移動させて、液膜ＬＰを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Ｐが凝固核となって氷塊ＩＣの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット５０は、第１シャフト５４１、ボールねじナット５４２およびスプラインナット５４３を有するボールねじスプライン５４を備え、第１シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ５６の第２シャフト５６１は、第１シャフトに略平行であり、第１シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第１シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第２シャフトには互いに係合する第１および第２平歯車５７１，５７２がそれぞれ固定され、第１シャフトを昇降する際に、第２シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８１と、ノズル８１を支持するノズル支持アーム８２とを備えている。ノズル支持アーム８２には吸引機構７１が設けられている。この吸引機構７１は、ノズル支持アーム８２の表面に形成された吸引部７８と、吸引部７８を介してノズル支持アーム８２の表面に付着した液滴を吸引する吸引管７３と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール１４において、エッジホイール１４の外周面に基板１０の端部と係合する溝１３を形成し、該溝１３から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル１８を備え、該放射状チャネル１８に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル１８を吸引することにより、基板１０とエッジホイール１４との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル１８に流体を供給することにより、基板１０の端部を濡らすことも可能にする。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル３のノズル筐体３１１の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ３１２を形成する。フランジ３１２の下面３１２ａが基板表面Ｗｆに近接対向配置される。ノズル筐体３１１の中央下部に設けたガス吐出口３０から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Ｗｆとフランジ３１２の下面３１２ａとの間隙空間を基板表面Ｗｆに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の吐出ヘッドから基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理液を吐出する処理が終了して待機位置に帰還した処理液ノズルの吐出ヘッド６１を下降させて待機ポット７０の収容部７５に収容する。洗浄液噴出部７６から吐出ヘッド６１に向けて洗浄液を噴出し、処理中に吐出ヘッド６１に付着した処理液を洗い流す。続いて、洗浄液噴出を停止し、待機ポット７０に設けられた乾燥ガス噴出部７７から斜め下方に向けて乾燥用ガスを噴出する。そして、収容部７５から吐出ヘッド６１を徐々に引き上げる。その吐出ヘッド６１に乾燥用ガスを吹き付けることによって、吐出ヘッド６１に付着していた洗浄液を吹き飛ばして乾燥させる。洗浄後に処理位置に移動した吐出ヘッド６１から基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部２２と、処理部２２内に設けられ、基板が載置される載置台３２と、載置台３２の中心を回転軸として、載置台３２に載置されている基板を載置台３２とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に、処理部２２の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部３４と、気体供給部３４を移動させる第１の移動部８４とを有する。気体供給部３４により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】１枚の基板Ｗの処理が終了してノズルアーム６２が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部７５の２本の乾燥ガスノズルからノズルアーム６２に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム６２の先端側が横切るように旋回駆動部６３が３本のノズルアーム６２を揺動させている。これによって、基板Ｗの処理後に処理液が付着していた３本のノズルアーム６２が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Ｗの処理中に処理液が付着したノズルアーム６２による汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理時に天板に付着したヒュームが、ＳＰＭ処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板３２は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード７０は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置及びこれを利用する超臨界流体排出方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、超臨界流体が提供される容器と、前記容器から前記超臨界流体が排出されるベントラインと、前記ベントラインに設置されて超臨界流体の凍結を防止する凍結防止ユニットと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）