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Fターム[5F157AB14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596) | 狭むもの、複数の支持手段で挟むもの (475)

Fターム[5F157AB14]に分類される特許

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【課題】比較的簡単な手順によって、Si−H終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、HF系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、HF濃度が2500ppm以下のHF水溶液でリンスする希薄DHFリンス工程と、を備え、前記HF系薬液は、前記希薄DHFリンス工程で用いられるHF水溶液よりも高いHF濃度を有するHF水溶液からなるか、若しくは複数種のHF系薬剤を混合してなる。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置及びこれを利用する超臨界流体排出方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、超臨界流体が提供される容器と、前記容器から前記超臨界流体が排出されるベントラインと、前記ベントラインに設置されて超臨界流体の凍結を防止する凍結防止ユニットと、を含む。 (もっと読む)


【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Wの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器31内に高圧流体を供給する際、流体供給路351に設けられた遮断部を開き、流量調整部354により流量を調整した状態で開閉弁352を開いて処理容器31に高圧流体を導入し(または原料流体を処理容器31内で高圧流体に変化させ)、基板Wの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁352と減圧弁342とを開き、処理容器31に接続された排出路341を介して流体供給路351と処理容器31とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Wを当該処理容器31から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の洗浄エリアに基板の回転速度とロール洗浄部材の回転速度の相対速度がゼロとなる点(領域)が存在しても、基板の表面をその全域に亘ってより均一に洗浄できるようにする。
【解決手段】基板Wの直径方向に沿って延びるロール洗浄部材16を基板Wの表面に接触させつつ、ロール洗浄部材16と基板Wを共に回転させて基板Wの表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、ロール洗浄部材16及び基板Wの少なくとも一方の回転速度または基板の回転方向をスクラブ洗浄処理中に変更する。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームに複数設けられたノズルの全体の投影面積を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に流体を供給する複数のノズル(82a,82a’)と、複数のノズルを支持するノズル支持アーム(82)と、ノズル支持アームを当該ノズル支持アームの長手方向軸線周りに回転させる回転機構(86A)と、を備え、複数のノズルの吐出口(82a1,82a1’)は、ノズル支持アーム長手方向軸線周りの異なる周方向位置に配置され、ノズル支持アームの回転位相に依存して前記複数のノズルうちのいずれか一つの吐出口が基板保持部により保持された基板の方を向くように設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理時間(スループット)等の要素との関連性を考慮しつつ、流体ノズルの移動速度をより簡易かつ最適に制御して、基板の全表面に亘るより均一な洗浄や乾燥等の処理ができるようにした基板処理方法及び基板処理ユニットを提供する。
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】ロール洗浄部材の形状の最適化を図り、基板表面を高い洗浄度で効率的に洗浄して、基板表面に残存するディフェクト数を低減できるようにする。
【解決手段】表面に多数のノジュールを有し基板の直径のほぼ全長に亘って直線状に延びて基板表面との間に洗浄エリアを形成するロール洗浄部材と基板とを共に一方向に回転させつつ、ノジュールと基板表面とを互いに接触させて該表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、洗浄エリア(長さL)上のロール洗浄部材16と基板Wの相対回転速度が相対的に低い順方向洗浄エリア(長さL)では、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対回転速度が相対的に高い逆方向洗浄エリア(長さL)よりも少ない面積でノジュール16aと基板Wの表面とを互いに接触させる。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液(SL)を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質(SS)で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第1の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第1の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。保護液ノズル6は、保護液が基板Wの上面に沿って噴射領域T1の方に流れるように基板Wの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域T1が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域T1に衝突させる。 (もっと読む)


【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル11は中心に開口11gを有する円環状で、本体11aの外側の側面11bには上下2列に並んだ多数の外側気体吐出穴11cが、開口11gの側面11dには1列に並んだ多数の内側気体吐出穴11eが形成される。処理中に、基板Wは外側気体吐出穴11c、内側気体吐出穴11eからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Tが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Pが付着したウエハWを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハWの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターCをウエハWの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターCの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群T及び複合化合物Pを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターCの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハWへの再付着を防止する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wは、表面Wfを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック2に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル5から基板Wの表面Wfに疎水化剤が供給されて、基板Wの表面Wfが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル97から基板Wの表面Wfに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル3から基板Wの表面Wfに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル6から基板Wの表面Wfに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 (もっと読む)


【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板5に噴出する処理流体ノズル7と、基板5から処理流体を回収する回収装置8とを具備している。基板5を処理流体ノズル7からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板5に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 (もっと読む)


【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板を保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wに向けて処理液の液滴を吐出するノズル4とを含む。ノズル4には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口33が一列に並べられた列L1が複数列配置されている。ノズル4はノズルアーム18に保持されて、スピンチャック2に保持された基板Wの主面に垂直な垂直方向D1から見たときに基板Wの主面の回転中心C1を通る軌跡X1に沿って移動する。ノズル4は、垂直方向D1から見たときに複数の列L1と軌跡X1とが交差するようにノズルアーム18に保持される。 (もっと読む)


【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される(S2)。その後、水酸基を含まない第1溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第1溶剤に置換される(S4、S5)。その後、水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される(S6)。 (もっと読む)


【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート520が設けられる。スピンプレート520には、基板保持機構700の支持部720が取り付けられる。支持部720により軸部730が軸部730の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン710が、軸部730により周方向に回転可能に保持される。軸部730が回転することにより、保持ピン710の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン710の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部730においては、ねじN1が締め込まれることにより保持ピン710の周方向の回転が阻止され、ねじN1が緩められることにより保持ピン710の周方向の回転が許容される。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース23に保持された基板Wの表面Wfに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル3を基板の回転中心AOから基板周縁まで回動アーム35によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル3を基板上方から離れた待機位置(点線)に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル3直下に設けたガス回収ユニット300により回収し、処理空間SPに冷却ガスが流出するのを防止する。 (もっと読む)


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