【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された液膜に超音波振動を付与する基板処理装置および基板処理方法において基板へのダメージを低減する。
【解決手段】基板表面Ｗｆ上にＨＦＥ液（第１処理液）の液膜ＬＦ１が形成され、さらにＨＦＥ液の液膜ＬＦ１上にＤＩＷ（第２処理液）の液膜ＬＦ２が形成される。そして、この液膜ＬＦ２に対して超音波振動が付与される。したがって、超音波振動の付与により液膜ＬＦ２で発生した衝撃波の全てが液膜ＬＦ１を介して基板表面Ｗｆに到達するのではなく、その一部は両液膜ＬＦ１、ＬＦ２の間に形成された界面ＢＦにより反射される。また、界面ＢＦを通過してきた衝撃波は液膜ＬＦ１を通過して基板表面Ｗｆに達するまでの間に減衰される。したがって、超音波振動より液膜ＬＦ２中で発生して基板表面Ｗｆに与えられる衝撃波のエネルギーが効果的に低減される。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部４５と、ノズル部４５に処理液を供給する供給系７０とノズル部４５とを接続する供給流路６８ａを絞る絞り部１３２ａと、絞り部１３２ａの両側の供給流路６８ａ内の圧力を計測する圧力計測部１３２ｂと、供給流路６８ａ上に設けられた流量制御弁１３３と、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。流量制御部１３４は、第１の流量Ｆ１で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの両側の圧力差に基づいて流量制御弁１３３を制御し、第１の流量Ｆ１よりも小さい第２の流量Ｆ２で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの片側の圧力に基づいて流量制御弁１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】排液系に異常が発生し、カップ内に排液がオーバーフローした場合でも、排液が排気系に流れ込むことを防止できる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板を水平に保持する基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転部３と、基板に処理液を供給する処理液供給機構８５と、基板保持部２の外周側に設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、液収容部５６よりも回転中心側に設けられた環状の空間部９９ａ、９９ｂとを備えたカップ５１と、液収容部５６と排液系とを接続する第１の排液流路６１、１１２ｂと、空間部９９ｂと排気系とを接続する排気流路７１と、第１の排液流路１１２ｂの途中に設けられた接続口１１５を介して、空間部９９ａと第１の排液流路１１２ｂとを接続する第２の排液流路１６１と、第２の排液流路１６１上に設けられた液面センサ１６２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の周端部の傾斜部を含めて確実に洗浄や研磨の処理を実施することができるばかりか支持手段も複雑でなく自身の耐久性にも優れた処理手段を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を支持する基板支持手段と、所定の径を有するとともに先端に形成した中心に凹部を形成する平面を処理部としたＰＶＡスポンジからなる処理手段と、基板支持手段に支持させた基板の軸線に対してその処理手段をその軸線が直角になるように処理部を基板の周縁部に向けて所定位置に支持する処理手段の支持手段と、処理手段の支持手段に付設されて処理手段の回転手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に第１処理液（ＨＦＥ）、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル２０、第２処理液供給ノズル１７を備えている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板Ｗの上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがＨＦＥの液膜で緩和されつつ、基板Ｗの洗浄処理が施される。 （もっと読む）

本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも２つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
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【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ４内には、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック１７と、スピンチャック１７の上方に配置された円板状の遮断板１４とが収容されている。遮断板１４の下面には、スピンチャック１７に保持される基板の表面と対向する基板対向面が形成されている。処理チャンバ４の上部に設けられた給気ユニットには、処理チャンバ４内に清浄空気を供給するための給気口６５が形成されている。給気口６５は、下向きの給気口であり、平面視において遮断板１４の周囲を取り囲む円環状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で処理液の帯電を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に薬液を供給するための薬液供給路とを備えている。薬液供給路は、薬液供給ノズルに向けて送られる薬液の温度を処理に適した一定温度に調節する温度調節器２４に介装されている。温度調節器２４は、薬液流路を形成し、導電性を有する伝熱板２４２を備え、伝熱板２４２には、金属線２４２ａの一端が接続され、金属線２４２ａの他端は接地されている。 （もっと読む）

【課題】ティーチングのための作業者による作業を軽減することができ、かつ、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供すること。
【解決手段】ティーチング時においては、制御部によって、ステッピングモータが駆動される。そして、処理液ノズルがホームポジションに位置することが第１センサによって検出された時、および処理液ノズルが第１周縁相当位置に位置することが第２センサによって検出された時に、それぞれ、ステッピングモータの回転量が取得される。それら取得された回転量に基づいて、第１教示情報および第２教示情報が演算され、これら第１教示情報および第２教示情報がモータ制御部２１に登録される。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の高さが増大することを抑制しつつ、飛散した処理液を好適に回収することができる基板処理装置、および、カップ外に処理液が漏れることを好適に防止できるカバー部材を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部１１と、上部に開口Ａを有する略筒形状を呈して基板保持部１１の周囲を囲むカップ１２と、カップ１２の外側に設けられるカバー本体４１と、を備え、前記開口Ａの縁部は、高さ位置が比較的低い第１縁部ＥＬと高さ位置が比較的高い第２縁部ＥＨとを有する。カバー本体４１は、第２縁部ＥＨの高さ位置より低い範囲で前記第１縁部ＥＬの上方を覆う。これにより、処理液が第１縁部ＥＬの上方からカップの外側に漏れることを防止できる。第１縁部の上端は依然として第２縁部より低いので、基板処理装置の高さが増大することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】安定して基板上に処理液の液膜を保持させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面周縁部を選択的に疎水化させる疎水化手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と含む。この基板処理装置による基板の処理では、基板の主面の周縁部を選択的に疎水化させる疎水化工程（Ｓ１０１）と、前記疎水化工程が実行された後に、水平に保持された基板に処理液を供給して、当該基板の主面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程（Ｓ１０２）とが実行される。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１０には、基板Ｗを保持する保持プレート３０と、保持プレート３０の上方に設けられ、基板Ｗを下方から支持するリフトピン２２を有するリフトピンプレート２０と、保持プレート３０により保持された基板Ｗの裏面に処理液を供給する処理液供給部４０とが設けられている。処理液供給部４０は、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを塞ぐよう設けられたヘッド部分４２を有している。処理液供給部４０およびリフトピンプレート２０は保持プレート３０に対して相対的に昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成されたパターンの倒壊を防止するとともに濡れた基板を短時間で乾燥することができる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆ上の液体膜１１に対し、液体と互いに混合し難く、かつ液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給する。この置換液は液体の凝固点より高い温度を有しており、液体の流動性を損なわないままパターン上層に存在する液体のみ排除する。基板表面が置換液膜１２で覆われた後、基板を冷却して残留した液体を凝固させる。その後、基板表面Ｗｆ上の置換液を除去し、更に液体の凝固体を除去することで基板を乾燥する。これにより、パターン倒壊を防止するとともに、おおむねパターン深さに相当する薄さの液体の凝固体１５を形成することができ、乾燥に要する時間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）