【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ１は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体３と、ロール体３の外周面３ａ上に一体形成された複数の突起５とを有し、これら複数の突起５を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ１を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 （もっと読む）

【課題】高いパーティクル除去能力を維持しつつも、基板に与える物理的ダメージを最小限に抑制することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の筒状体６１には８０個の吐出孔６４が穿設されている。各吐出孔６４の孔径は１０μｍ〜５０μｍである。高圧ポンプによって洗浄ヘッド６０の流路６２に洗浄液を加圧供給すると、洗浄ヘッド６０の内部の液圧が１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に上昇することによって、各吐出孔６４から洗浄液が押し出される。吐出孔６４から押し出された洗浄液は連続した液流である液柱８０を形成し、吐出孔６４と基板Ｗとの距離ｄが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であれば、液柱８０の状態のまま基板Ｗの上面に供給される。これにより、洗浄ヘッド６０が基板Ｗに与える物理力は常に一定となり、高いパーティクル除去能力と物理的ダメージの抑制とを両立することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面及び裏面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、マスク用基板３の側面３ｃ、３ｄを保持する保持部としての基板チャック１４と、マスク用基板３の処理対象面に処理液５を吐出する処理液吐出部１２６と、マスク用基板３に吐出した処理液５に向けて気体４を吐出し、処理液５をマスク用基板３から分離させる気体吐出部１２２と、を備えて概略構成されている。 （もっと読む）

【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノズルから吐出した液滴のミストをノズルの周囲の部位に付着するのを防いで、清浄度を保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対して液滴のミストを供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置１は、液滴のミストを吐出する二流体ノズル２１，２２と、二流体ノズル２１，２２を囲って二流体ノズルから吐出する液滴のミストの飛散を防止するカバー３０を有しており、カバー３０の先端外周部７０は、二流体ノズル２１，２２から吐出する液滴のミストを基板Ｗに供給するための開口部９０を有し、先端外周部７０と基板Ｗとの間には隙間Ｇが形成される。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】短い洗浄時間にて基板の全面を洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の底面には２０個の吐出孔を所定の配列間隔で一列に並べた孔列ＮＲを４列設けている。また、洗浄ヘッド６０の外壁面には圧電素子が貼設されている。洗浄ヘッド６０の内部に洗浄液を供給しつつ、圧電素子により洗浄液に振動を付与することによって、合計８０個の吐出孔６４から直径が一定である洗浄液の液滴を生成して一定速度にて連続して吐出する。洗浄ヘッド６０から液滴を吐出する際には、カバーリンスノズル８０から基板Ｗの上面にカバーリンス液を吐出して液膜を形成しつつ洗浄ヘッド６０を基板Ｗの中心部と端縁部との間でスキャンさせる。８０個の吐出孔６４から液滴を吐出することによって、短い洗浄時間にて基板Ｗの全面を洗浄することができる。 （もっと読む）

【解決手段】板状物品を乾燥させるための方法が開示される。該方法は、水性すすぎ液によるすすぎと、有機溶媒による後続のすすぎとを含み、有機溶媒は、２０重量％未満の含水量を有し、有機溶媒は、少なくとも３０℃で、かつ６０℃を超えない溶媒温度で供給される。 （もっと読む）

【課題】 基板処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板処理方法は、フォトレジスト膜が形成された基板を設け、フォトレジスト膜を除去するために処理液を基板上に提供し、処理液と接触するようにミストを基板上に提供する。ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を使用することなく、目視不可能な程度に薄い液膜や微小な液滴を含めて、濡れた基板表面から液体を残留させることなく迅速かつ完全に除去して、ウォーターマークの生成を最小限に抑えることができるようにする。
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル２８と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル２８で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル４４と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル４４から乾燥ガスを吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板８を支持する基板ホルダー３を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜１８の上に薬液を吐出するノズル５を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ１０を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板Ｗの表面を乾燥させる基板乾燥方法であって、基板Ｗを回転させながら、１２０〜１６０℃に加温され、かつ０．５〜１．０ＭＰａに加圧されたハイドロフルオロエーテルと水溶性アルコールとの混合蒸気２２を基板Ｗの表面に吹付けて基板Ｗの表面の液体を除去する。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを１サイクルとして、これを少なくとも１回、必要に応じて２回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。 （もっと読む）