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Fターム[5F157AB14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 支持手段 (1,596) | 狭むもの、複数の支持手段で挟むもの (475)

Fターム[5F157AB14]に分類される特許

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【課題】高速回転するスピンナーテーブルからフレームとともにウエーハが脱落しないようにすることを目的とする。
【解決手段】ウエーハWを洗浄する洗浄装置2Aに備えるフレーム保持手段30は、フレーム4の下部4bを支持するフレーム支持部31と、フレーム4の上部4aを押さえスピンナーテーブル20の回転中心に対して等角度に配設された複数のフレーム押さえ部32とを備え、フレーム押さえ部32は、アーム部300と、上部301に形成されたフレーム4を押圧する爪部310と、下部302に形成された錘部320と、爪部310がフレーム4の上部4aを押圧するようにアーム部300を回転可能に支持する支点軸330と、を備え、錘部320にはスピンナーテーブル20の回転時に遠心力に加え揚力が生じるように翼321が形成され、フレーム押さえ部32がフレーム4を押さえてウエーハWがスピンナーテーブル20から脱落するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材621に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Tを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tのうち回転防止部材82が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材82を下降させて、被保持面Tのうち回転防止部材82が接触していた部分を露出させ、洗浄部材621を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材82を上昇させ被保持面Tに接触させて洗浄部材621の回転動作によって被保持面Tの未洗浄部分を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品との間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置100はウエハWを上方から支持する回転自在の基板支持部10と、基板支持部10の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハWに対して供給するトッププレートノズル10nとを備えている。トッププレートノズル10nは基板支持部10に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル10nを基板支持部10から離間した状態でトッププレートノズル10nからリンス液をウエハWに対して供給する。トッププレートノズル10nを基板支持部10に接近させた状態で、トッププレートノズル10nからリンス液を基板支持部10の下面に供給して洗浄する。 (もっと読む)


【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第1の移動速度と基板の第1の回転速度とを決定する予備工程S51、S52と、基板の周縁領域より中心側で第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第1の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程S53と、基板の周縁領域より中心側で基板の第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第1の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程S54と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程S56と、を含む基板洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム48を移動させて、基板Wのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材40を基板Wのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム48の移動に伴って、2流体ノズル70を該2流体ノズル70から回転中の基板Wの表面に向けて流体を噴出させて該表面の2流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、2流体ノズル70からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材40を基板Wの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、内部空間S1を有するチャンバー2と、チャンバー2内で基板Wを保持して回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック3と、チャンバー2内で基板Wの上面に対向する遮断板4と、遮断板4と基板Wとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構5と、基板Wに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Wの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル29と、処理液ノズル29に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル15からの液滴が基板Wの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Wの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板W上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体532がDIWの液膜LFを介して基板Wの表面Wfに近接した状態で0℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体532の下面の外周縁近傍に供給され、基板Wの表面Wfと氷体532とに挟まれるDIWが凝固して凝固領域FRが形成される。これによって、凝固領域FRでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Wの表面Wfに対するパーティクルPTなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域FRに取り込まれる。そして、凍結ヘッド53が基板Wに対して相対移動することで凝固領域FRが基板Wの表面Wfから剥離され、パーティクルPTも一緒に基板Wの表面Wfから除去される。 (もっと読む)


【課題】SPM処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1では、基板回転機構5により回転する基板9の上面91に向けて処理液供給部3から液体が吐出される。処理液供給部3は、硫酸供給部31、過酸化水素水供給部32、混合液生成部33およびノズル34を備える。基板処理装置1では、硫酸供給部31により加熱された硫酸がノズル34から基板9に供給され、基板9に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部32からの過酸化水素水とが混合液生成部33にて混合されてSPM液が生成され、SPM液が基板9に供給されてSPM処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、SPM処理の際に、基板9上に供給された高温のSPM液の温度低下を抑制することができる。その結果、SPM処理の効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wを回転可能に保持する基板保持部11と、制御部100と、制御部100の指令により基板Wの表面Sに処理用の液体を供給する液体供給部18と、基板保持部11と基板Wの裏面Bの間に形成される裏面空間領域32に、制御部100の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系15と、制御部100の指令により裏面空間領域32内の空間圧力を制御するエアー吸引系16を備える。 (もっと読む)


【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを保持して回転させる基板保持回転機構2,3と、基板Wの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル11を有する処理液供給機構4と、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり5と、処理液溜まり5に貯留された処理液を一気に基板Wの主面に供給することにより、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット6と、制御ユニット7とを含む。制御ユニット7は、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル11から基板Wの主面に向けて処理液を吐出させる。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、9秒間だけDIWの供給を継続した後に停止し、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置1は、基板保持台20と、基板回転駆動部25と、基板保持台20に保持された基板Wの上面に対して洗浄液を供給するノズル30と、基板保持台20に保持された基板Wの上面を洗浄する第1洗浄具41および第2洗浄具42と、第1洗浄具41および第2洗浄具42が取り付けられた支持部材43と、を備えている。支持部材43は、第1洗浄具41を基板保持台20に保持された基板Wの中心部から基板Wの洗浄領域Wの周縁部に基板Wに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第1洗浄具41および第2洗浄具42は、第1洗浄具41が基板Wの洗浄領域Wの周縁部に配置されている場合に、第2洗浄具42が基板Wの洗浄領域Wの周縁部に配置されるように、支持部材43に取り付けられている。 (もっと読む)


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