【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材６２１に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Ｔを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材８２を下降させて、被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触していた部分を露出させ、洗浄部材６２１を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔの未洗浄部分を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、前記開口部２２２を塞ぐ蓋部２３には流体の供給、排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時の各切断薄板相互間の密着防止方法及びその方法に用いられる密着防止装置を提供し、それによって処理液を各切断薄板表面に十分に供給しようとする。
【解決手段】インゴットを薄板状に連続的に切断し、各切断薄板8の片端を固定した薄板群4を対象とする切断薄板相互間の密着防止方法である。前記各切断薄板8の片端を固定した薄板群4を、処理液1が対流する処理液槽2に浸して、各切断薄板8の表面から不純物を除去する工程の際、薄板群4の薄板8相互間に、気泡11を混入させる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５の周縁部に上方に向けて突設され、この複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。スピンベース５はモータ３により回転される。また、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出する。基板Ｗに働く遠心力より基板Ｗの下面と支持部７との間に発生する摩擦力が大きくなる押圧支持条件が満たされるように制御して、支持部７に押圧させた基板Ｗをスピンベース５に保持させながら回転させる。 （もっと読む）

【課題】微細な凹部に付着した異物の除去が可能な異物除去方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ１３の先端を、異物５が存在する凹部１１に向けて下降させ凹部（溝）１１の底面１１ａにカーボンナノチューブ１３の先端を接触させた後、さらにカーボンナノチューブ１３を下降させてカーボンナノチューブ１３をたわませてカーボンナノチューブ１３の側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付け、その側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付けた状態のままカーボンナノチューブ１３を凹部１１の底面１１ａ上で移動させることで、異物５に対して力を加える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、処理液の浸入防止が必要な被処理体の非処理領域を気密に保持する手段を備え、気密保持の確認を超音波を利用して行うことにより、被処理体にダメージを与えることなく、簡便にかつ確実に気密保持の確認ができるようにした表面処理用治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面処理用治具は、表面処理用の治具において、被処理体の非処理領域を覆うカバー部材と、該カバー部材と被処理体の非処理領域の周囲の間をシールするシール部材とを設け、カバー部材で覆われた内部空間に超音波発生装置を設けることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。
【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で、しかもウオータマークを発生させることなく洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に半導体ウエハを横切る方向に駆動可能に配置され半導体ウエハに処理液をミスト状にして供給する第１のノズル体４６と、半導体ウエハの第１のノズル体から供給されたミスト状の処理液によって処理された部分に処理液を液状の状態で供給する第２のノズル体５６と、第２のノズル体よる処理液の供給量或いは回転テーブルの回転数の少なくともどちらか一方を制御して第１のノズル体によって半導体ウエハにミスト状で供給された処理液を半導体ウエハから排出させる制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の特定部位を効率的に洗浄することのできる基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させるヘリコンＲＦ部と、前記ヘリコンＲＦ部の下方に基板を載置してプラズマによりフォトレジストを剥離する基板設置部とからなるプラズマアッシャーにおいて、前記ヘリコンＲＦ部と基板設置部に間に押さえリングを固定し、前記押さえリングに矩形状スリットを空けたフォーカスプレートを載せることにより、前記基板設置部に載置したフォトマスクの表面及び端面を均一に洗浄することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハをレジスト剥離液中で回転させて、半導体ウエハの一面に設けられたレジスト膜を剥離するとき、半導体ウエハに反りがあっても、半導体ウエハを安定良く回転させるようにする。
【解決手段】 開口部を有するウエハカセット１１内に複数枚の半導体ウエハ１８を間隔をおいて並列に収容する。次に、ウエハカセット１１を一対のウエハカセット挟持部４１で挟持し、このままレジスト剥離液３中に位置させる。次に、モータ４９の回転により、プーリ４０をウエハカセット挟持部４１およびウエハカセット１１と共に回転させる。この場合、半導体ウエハ１８はウエハカセット１１と共に回転されるため、半導体ウエハ１８に反りがあっても、半導体ウエハ１８を安定良く回転させることができる。 （もっと読む）

【課題】 大型化、薄型化した板ガラス等の板材に対してその品質の一層の向上を図り、迅速に効果的な洗浄処理を行いうる板材の洗浄設備を提供すること。
【解決手段】 縦状態の板ガラスの下端を支持するベルトコンベア２と、板ガラスＧの側面に流体圧を作用させることによって板ガラスを立った状態で支持する流体ガイド８と、流体ガイド８から洗浄液を板ガラスの表面に供給する洗剤洗浄装置３と、板ガラスの両面側から高圧液スプレーを噴射する高圧液スプレー部材１９を上下動可能に備えた高圧液スプレー洗浄装置４と、板ガラスの両面側から上下方向に延びる膜状の気流であるエアナイフを吹き付ける水切り部材３０を備えた水切り装置６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体などの基板の全体に対して均一に工程が行なわれるように基板を保持する基板保持ユニット、及びこれを利用する効率の良い基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持ユニットは、第１保持部及び第２保持部を含む。第１保持部は第１方向に移動可能であり、第１方向に対応する方向に工程流体が提供される基板に対して、基板の第１部分を保持する。第２保持部は第２方向に移動可能であり、基板の第２部分を保持する。第１及び第２保持部のうち少なくとも一つは、工程流体が提供される間、基板を保持する。 （もっと読む）