【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】処理流体ノズルから吐出した処理液により、半導体ウエハのような基板の上の異物を洗浄処理するときに、処理液が基板上に拡散することを抑制するとともに、一度基板から脱離した異物の基板外へ除去を効果的にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理流体ノズルの周囲を囲んで配置され一方向に開口部を設けた形に形成され、基板に対し気体を放出するように構成されている拡散抑制部と、拡散抑制部を移動させる移動部とを備え、処理流体ノズルにより処理液が吐出する際に、拡散抑制部の開口部が基板の周縁部に向くように移動部が拡散抑制部を移動することにより、処理液の拡散による基板のダメージを抑制し、処理液及び異物の基板外への除去を効果的にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】 スキャンによって効率的に広い面積の基板を処理できるノズル及び基板処理装置の提供。
【解決手段】 第一の気体導入孔１０１、前記第一の気体導入孔よりも下流に設けられた第一の液体導入孔１０３、該第一の気体導入孔から供給された気体及び該第一の液体導入孔から供給された液体を加速する加速流路１０５、及び加速された混相流体が噴射される噴出口を有する加速ノズル１００を複数備え、該加速ノズルが並列に配されている、複連加速ノズル部１０を具備する複連ノズル１。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなく洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、ターシャリーブタノールを供給した後、ＤＩＷを基板表面Ｗｆに供給してパターン間隙内部にのみターシャリーブタノールを残留させる。その後基板を冷却し、ターシャリーブタノールとＤＩＷを凝固する。ターシャリーブタノールはＤＩＷに対して凝固点が高く、また凝固した際の体積の増加が小さい。従って、ＤＩＷが凝固する前にパターン間隙内部で凝固し、パターンを構造的に補強する。また、体積の増加が少ないためパターンへ与える応力がＤＩＷに比較して小さくなる。従って、パターンへのダメージを防止しながら基板表面Ｗｆを洗浄することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置の提供。
【解決手段】 基板を載置するステージ部Ｆと、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部Ｅと、
槽壁１７１、前記混相廃物を排出する排出管１７２、を有するチャンバ部Ｉと、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構１８１、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段１８２を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Ｇと、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部Ｈと、
を具備する基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄する回転ブラシに、汚染粒子が静電吸着されることを防止することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板９を搬送する搬送機構２と、基板９との摩擦によりマイナスに帯電する材料で形成され、基板９に接触して回転することにより基板９に付着している汚染粒子を除去する回転ブラシ３と、マイナスに帯電している微小気泡を含む洗浄液を回転ブラシ３に向けて供給する第１洗浄液供給部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。 （もっと読む）

【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】裏面洗浄の際に洗浄液が基板裏面に付着するのを抑制して洗浄効率の向上を図れるようにすると共に、装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】基板Ｇを水平状態に保持する基板保持部１０、基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転駆動部２０、基板保持部にて保持された基板の裏面に洗浄液を吐出する洗浄液供給部５０とを具備する基板洗浄装置において、基板保持部は、基板を支持する支持部材１４を立設する環状部材１３と、回転駆動部に連結される中空回転軸１１の頂部に設けられるボス部１２と、ボス部と環状部材とを連結する複数の中空状スポーク１６と、を具備する。洗浄液供給部は、洗浄液供給源５３に接続され、中空回転軸内に遊貫される洗浄液供給筒軸５１と、洗浄液供給筒軸内を流れる洗浄液をスポークの中空部１６ａに案内すべくボス部に設けられる連通流路５４と、スポークの軸方向に沿って設けられる複数の裏面洗浄ノズル５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ノズルを支持するノズル支持アームに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および当該基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４０が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２とを備えている。液処理装置１０には、ノズル支持アーム８２の洗浄を行うためのアーム洗浄部８８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】円形の基板の周縁部の上面及び下面に各々吐出された洗浄液が飛散して基板に再付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】円形の基板を鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板の中心側から外側に向かう方向に第１の液流を形成するように基板の上面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第１の洗浄液吐出口と、基板の中心側から外側に向かう方向に第２の液流を形成するように基板の下面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第２の洗浄液吐出口と、を備え、前記基板の上面の周縁部における前記第１の液流の到達点と、前記基板の下面の周縁部における前記第２の液流の到達点と、が基板の回転方向に離れるように液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）