【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、回転可能な支持部材１０と、支持部材１０の外周部１３との間に環状間隙ＧＰを形成する間隙形成部材２０と、基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を回収するカップ４０と、間隙形成部材２０を昇降させる昇降機構１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液（ＳＬ）を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質（ＳＳ）で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法により２つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１では、被処理基板の回転保持部２１を囲むように設けられた第１、第２のカップ５１、５２は、回転する被処理基板Ｗから飛散した処理液を下方側へ案内し、第１の駆動部６１０及び第２の駆動部６２０は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第１のカップ５１及び第２のカップ５２昇降させる。制御部７は、第１、第２のカップ５１、５２の同時上昇時、第１のカップ５１の上昇速度を第２のカップ５２の上昇速度よりも大きくし、第１のカップ５１またはその第１の昇降部材は、前記第２のカップ５２またはその第２の昇降部材に下方側から重なり合って、第１の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第１のカップ５１と第２のカップ５２とを同時に上昇させる （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄ノズル及び基板洗浄装置並びに基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板洗浄ノズル（３７）に設けた液層保持手段（３８）の液層保持口（４７）で洗浄液の液層（５３）を保持するとともに、前記基板洗浄ノズル（３７）に設けた基板加熱手段（３９）で基板（２）の表面を前記洗浄液の沸点以上に加熱し、前記基板洗浄ノズル（３７）を前記基板（２）の表面に近づけて、前記基板（２）の表面の熱で前記洗浄液の液層（５３）を沸騰させて前記基板（２）の表面と前記洗浄液の液層（５３）との間に前記洗浄液の蒸気の層を形成し、前記洗浄液の蒸気で前記基板（２）の表面を洗浄することにした。 （もっと読む）

【課題】基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部８０によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部Ａ３により搬送する際に、基板搬送部Ａ３に設けられた検出部５により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部８０の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するように環状フレームを支持するフレーム支持工程と、該粘着テープに配設されたウエーハを挟むように該粘着テープ側及びウエーハ側に一対の帯電板を位置付けるとともに該帯電板に直流高電圧を印加して該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する電圧印加工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層（５２）を形成するノズル（４０）を備えた液層保持手段（２５）と、基板（２）の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段（２４）と、ノズル（４０）を基板（２）に近接させる昇降機構（４１ａ）とを有し、ノズル（４０）に形成した液層（５２）を基板加熱手段（２４）で加熱した基板（２）の表面の熱で沸騰させて基板（２）の表面と液層（５２）との間に蒸気層（６０）を形成するように昇降機構（４１ａ）を制御して、基板（２）の表面を洗浄することにした。 （もっと読む）

【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第１の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第１の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するフレーム支持工程と、商用交流電源と、該商用交流電源の交流電圧を高圧交流電圧に変換する電圧変換器と、該高圧交流電圧の周波数を調整する周波数調整器と、該周波数調整器に接続された複数の放電端子を備えた放電器とから構成される放電手段の該放電器を該粘着テープの下方に位置付けて放電し、該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する放電工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面内の噴射領域Ｔ１に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル５と、基板Ｗを保護する保護液を基板Ｗの上面に向けて吐出する保護液ノズル６とを含む。保護液ノズル６は、保護液が基板Ｗの上面に沿って噴射領域Ｔ１の方に流れるように基板Ｗの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域Ｔ１が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域Ｔ１に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板５に噴出する処理流体ノズル７と、基板５から処理流体を回収する回収装置８とを具備している。基板５を処理流体ノズル７からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板５に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）