【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに温水を供給して基板Ｗを温め、カロ酸の固体３０９を保持した酸化剤保持ヘッド３を基板表面Ｗｆに対し走査移動させる。基板表面Ｗｆとカロ酸固体３０９との界面にはカロ酸が融解してなる液体層３０９ａが形成され、基板表面Ｗｆに付着したレジスト膜を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル３を基板の回転中心ＡＯから基板周縁まで回動アーム３５によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル３を基板上方から離れた待機位置（点線）に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル３直下に設けたガス回収ユニット３００により回収し、処理空間ＳＰに冷却ガスが流出するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート５２０が設けられる。スピンプレート５２０には、基板保持機構７００の支持部７２０が取り付けられる。支持部７２０により軸部７３０が軸部７３０の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン７１０が、軸部７３０により周方向に回転可能に保持される。軸部７３０が回転することにより、保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部７３０においては、ねじＮ１が締め込まれることにより保持ピン７１０の周方向の回転が阻止され、ねじＮ１が緩められることにより保持ピン７１０の周方向の回転が許容される。 （もっと読む）

【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水ＤＩＷによる洗浄処理においては、図３（ａ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐが純水ＤＩＷで覆われているが、乾燥処理時においては、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐの側方に純水ＤＩＷが排出される。したがって、基板Ｗの上面に形成されている隣接した微細パターンｍｐの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水ＤＩＷの表面張力によって微細パターンｍｐが倒壊することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板９の上面に向けてノズル３４から処理液を吐出することにより、基板９に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル３４から吐出された処理液が基板９に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板９の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板９上の処理液の基板９の回転に伴う移動が、ノズル３４からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板９上を移動する処理液とノズル３４から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板９から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】 基板を均一に処理することが可能な基板処理装置および搬送ローラを提供する。
【解決手段】 搬送ローラ１は、駆動軸３と、複数のローラ部２とから成る。そして、複数のローラ部２は、各々、同一形状を成す３個のローラ部材２ａ、２ｂ、２ｃから構成される。これらのローラ部材２ａ、２ｂ、２ｃには、その表面が駆動軸３を中心とする円上に配置されたガラス基板との当接領域と、その表面が円より駆動軸３の軸心側に配置されたガラス基板との非当接領域とが形成されている。この当接領域は、円の円周全域の１／３をわずかに越えている。 （もっと読む）

【課題】各構成装置の配置の自由度が低下するのを防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造システム１０は、高温でウエハＷを処理する熱処理装置１２と、低温でウエハＷを処理する洗浄装置１３と、熱処理装置１２及び洗浄装置１３と着脱自在であり、熱処理装置１２と接続された場合に高温の冷却ガスが供給され、洗浄装置１３と接続された場合に低温の加熱ガスが供給される蓄熱モジュール１４とを備え、蓄熱モジュール１４は相変化材料５７が含浸された蓄熱材５２を内蔵し、供給される高温の冷却ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも高い場合には、相変化材料５７が高温の冷却ガスから熱エネルギーを受け取って蓄積し、供給される低温の加熱ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも低い場合には、相変化材料５７が低温の加熱ガスへ蓄積された熱エネルギーを受け渡す。 （もっと読む）

【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。処理流体導入口２５から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Ｗに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板Ｗ上の窒化膜がエッチングされる。処理室１１の内壁は、処理室ヒータユニット５０によって加熱される。均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。制御部が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにした後に、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理性能を低下させることなく処理ユニットの占有スペースを減少し、より多くの処理ユニットが搭載できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、シート部材２３１を基板表面Ｗｆに沿うように近接して張設し、基板表面Ｗｆの上方の空間を外気から遮断する。基板表面Ｗｆとシート部材２３１の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Ｗｆと外気との接触を遮断する。基板表面Ｗｆが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Ｗｆに対して処理液を供給して処理を行う。これにより、外気に接触することによって生ずるウォーターマークや金属配線の腐食等を防止することができる。また、処理液等が付着したシート部材２３１は、処理に応じて基板表面Ｗｆに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材２３１から液体等が落下して基板表面Ｗｆを汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、基板中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口６３０が形成された整流板６３が、基板の上方に配置される。整流板６３は、チャンバ上部の導入口から導入されたエアを整流し、チャンバ内にダウンフローを発生させる。整流板６３では、基板の中央部の真上に位置する中央領域６３１における開口６３０の分布密度が、中央領域６３１の周囲の周辺領域６３２における開口６３０の分布密度よりも大きいため、中央領域６３１の開口率が周辺領域６３２の開口率よりも大きい。これにより、基板の中央部におけるダウンフローを、基板の中央部以外の部位におけるダウンフローよりも強くすることができる。その結果、基板の中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供する。
【解決手段】エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。 （もっと読む）