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Fターム[5F157AB33]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 被洗浄物の姿勢 (1,840) | 被洗浄物が水平 (1,482)

Fターム[5F157AB33]に分類される特許

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【課題】基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】カップ中部51およびカップ下部52は基板Wの周囲を取り囲むように配置される。カップ中部51はカップ下部52の上面52a,52bの上方に配置される。また、側壁部55が、カップ中部51およびカップ下部52の周囲を取り囲むように設けられる。カップ下部52の上面52a,52bとカップ中部51の下面51aとの間隔は、基板Wの外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、カップ中部51およびカップ下部52の外周部で下面51aと上面52bとの間に間隙Sが形成される。側壁部55の内周面55aは、間隙Sの外方で間隙Sから離間しかつ間隙Sを取り囲むように形成される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wを第1回転数で回転させながら基板Wへ乾燥液を供給する第1乾燥処理工程と、第1乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第1回転数より低い第2回転数へ減速させる第2乾燥処理工程とを有する。第2乾燥処理工程において、基板W上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第2乾燥処理工程の後、第3乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第2回転数から第3回転数まで上げ、その後第4乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 (もっと読む)


【課題】切削加工後のワークを傷付けずに、ワーク表面の付着物を効果的に除去して、洗浄品質を向上させる。
【解決手段】ノズル41に接続した給水管45には、純水中にマイクロナノバブルBを発生させるマイクロナノバブル発生器49が接続され、ノズル41の先端はワークWの被洗浄部近傍に配置されている。ノズル41の吐出口部には圧力維持バルブ51が設けられ、マイクロナノバブル発生器49で生成した加圧過飽和状態のマイクロナノバブルBを含む洗浄水Cが、洗浄中にノズル41から吐出して、ワークWの被洗浄部に至近距離から供給する。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第1の領域に接触して、前記基板を保持する第1の基板保持手段と、前記第1の領域以外の前記裏面の第2の領域に接触して、前記基板を保持する第2の基板保持手段と、前記第1の基板保持手段又は前記第2の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第1の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第2の基板保持手段の接触面を洗浄する第2の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1がローラー2で搬送され、ジェット洗浄ノズル3及び最終リンスノズル4で洗浄される。最終リンスノズル4に純水が供給される。最終リンスノズル4からの洗浄排水がタンク7に流入し、ポンプ9からノズル3に供給される。タンク7内の菌体数が増加した場合、タンク7内の水をオゾン水供給装置12に循環通水し、タンク7内にオゾン水を供給し、殺菌する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第1外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第2外壁で取り囲まれており、第2外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第2外壁間の幅が上部チャンバの第1外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近(微細気泡発生領域)を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 (もっと読む)


【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置1は、ワークセット2を保持して回転可能な保持テーブル3と、ワークセット2の上方に配設されエッチング液40を滴下するエッチングノズル4と、保持テーブル3に保持したワークセット2の周囲に配設されワークセット2の側面に向けて水を供給する水供給手段5とを備え、水供給手段5は、水供給源51と、水供給バルブ52と、水供給ノズル50とを少なくとも備え、水供給ノズル50は、リング形状に形成されワークセット2の周囲からワークセット2の側面に向かう方向に複数の水供給口50aを備えている。そして、水供給ノズル50から供給される水がエッチング液40を薄めて洗い流すことにより、樹脂21及びワークWの下面Waのエッチングを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


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