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Fターム[5F157AB36]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 被洗浄物の姿勢 (1,840) | 被洗浄物の姿勢が可変 (12)

Fターム[5F157AB36]に分類される特許

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【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハWを保持するウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、隙間142に溶剤を供給する溶剤供給部150と、隙間142にリンス液を供給するリンス液供給部151と、隙間142に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部152とが設けられている。溶剤供給部150からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、リンス液供給部151からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、不活性ガス供給部152からの不活性ガスによって接合面Wが乾燥されて、当該接合面Wが洗浄される。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部42には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Wが横向きに載置され、基板搬送機構41は、載置台42からこの被処理基板Wを受け取って、液槽32内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Wを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器31では、この液槽32を内部に格納した状態で、当該液槽32内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Wを乾燥する処理が行われる。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部34は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Wを横向きに保持した状態で処理容器31内に搬入し、このとき前記基板保持部34と一体に形成され蓋部材341が処理容器31の開口部311を塞ぐ。雰囲気形成部711、39は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構6が処理容器31の姿勢を変換して、当該処理容器31内の被処理基板Wを縦に向ける。これにより被処理基板Wの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部731より超臨界流体を排出することにより処理容器31内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 (もっと読む)


【課題】2種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽21には、被処理基板Wを浸漬し処理するための第1の薬液と、加熱されることにより、当該第1の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第2の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部412は、処理槽21内の混合液を加熱し、第1、第2の薬液供給部430、420は、混合液に第1、第2の薬液を補充供給する。制御部5は、混合液を第1の温度に加熱して被処理基板Wの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第1の温度より高い第2の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第1の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する(ステップS20)。その後、レジスト膜を液浸露光する(ステップS40)。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する(ステップS50)。その後、レジスト膜を現像する(ステップS70)。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 (もっと読む)


本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第1の回転軸が固定され、上部に移動可能な第2の回転軸が形成され、下部に第1の排水口が形成されているチャンバと、上記第1の回転軸と上記第2の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにIPA/窒素ガスを供給する第1のノズルと、上記第2の回転軸を第1の方向または第2の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 (もっと読む)


【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板処理部と、払出機構70と、搬入機構71と、プッシャ6と、主搬送機構3とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Wに対して一括して処理を施す。払出機構70は、払出チャック73を基板移載位置Sと基板受け渡し位置Pとの間で第1横行経路101に沿って横行させる。搬入機構71は、搬入チャック74を基板移載位置Sと基板受け渡し位置Pとの間で第1横行経路101よりも下方の第2横行経路102に沿って横行させる。プッシャ6は、昇降保持部105を基板移載位置Sにおいて昇降させる。主搬送機構3は、基板受け渡し位置Pと前記基板処理部との間で複数枚の基板Wを一括して搬送する。払出チャック73、搬入チャック74および昇降保持部105は、それぞれ、複数枚の基板Wを一括して保持することができる。 (もっと読む)


【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および/または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 (もっと読む)


【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第1処理部1A及び第2処理部1Bから構成される。第1処理部1Aの処理槽10A内には、傾斜姿勢の基板Sに剥離液を供給するノズル12と、基板Sに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材22とが設けられる。樋部材22の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材22の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 (もっと読む)


【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置500は、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、レジストカバー膜用処理ブロック12、現像処理ブロック13、レジストカバー膜除去ブロック14、洗浄/乾燥処理ブロック15およびインターフェースブロック16を含む。これらのブロック9〜16は上記の順で並設される。インターフェースブロック16に隣接するように露光装置17が配置される。露光装置17においては、液浸法により基板Wの露光処理が行われる。洗浄/乾燥処理ブロック15は、洗浄/乾燥処理部80を有する。洗浄/乾燥処理部80には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄/乾燥ユニットが設けられる。 (もっと読む)


半導体ウェハを処理するためのプロセスチャンバ。プロセスチャンバは、少なくとも1つのロータを含む。このロータは、ウェハの受け入れおよび/または処理に適合する。また、プロセスチャンバの最上部には、チルト可能なリムも含む。このリムは、非傾斜位置から傾斜位置までチルトする。ウェハは、リムがその傾斜位置にあるとき、プロセスチャンバに取り入れら得るし、また、プロセスチャンバから取り出され得る。このプロセスチャンバは、チルト可能なリムより下で囲み、上向きに配置されたシュラウドを備え得るし、また、チルト可能なリムの内部に配置された排気口をさらに備え得る。
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