【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、内部空間Ｓ１を有するチャンバー２と、チャンバー２内で基板Ｗを保持して回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３と、チャンバー２内で基板Ｗの上面に対向する遮断板４と、遮断板４と基板Ｗとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構５と、基板Ｗに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Ｗの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル２９と、処理液ノズル２９に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部１１と、制御部１００と、制御部１００の指令により基板Ｗの表面Ｓに処理用の液体を供給する液体供給部１８と、基板保持部１１と基板Ｗの裏面Ｂの間に形成される裏面空間領域３２に、制御部１００の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系１５と、制御部１００の指令により裏面空間領域３２内の空間圧力を制御するエアー吸引系１６を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置１は、基板保持台２０と、基板回転駆動部２５と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面に対して洗浄液を供給するノズル３０と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面を洗浄する第１洗浄具４１および第２洗浄具４２と、第１洗浄具４１および第２洗浄具４２が取り付けられた支持部材４３と、を備えている。支持部材４３は、第１洗浄具４１を基板保持台２０に保持された基板Ｗの中心部から基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に基板Ｗに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第１洗浄具４１および第２洗浄具４２は、第１洗浄具４１が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されている場合に、第２洗浄具４２が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されるように、支持部材４３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の金属材料やポリシリコンのエッチングを抑制し、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄・リンスした後に、表面が水溶性有機溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバを密閉し、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記水溶性有機溶媒を前記チャンバから排出する工程と、前記チャンバ内の圧力が大気圧まで下がるに伴い、前記チャンバ内へ不活性ガスを供給する工程と、前記半導体基板を冷却する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに、ＤＩＷにポリスチレン微粒子Ｐを分散させた処理液Ｌによる液膜ＬＰを形成する。冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Ｗに対し走査移動させて、液膜ＬＰを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Ｐが凝固核となって氷塊ＩＣの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル３０と、ノズル３０から吐出された現像液が流下する基板処理槽１０と、基板処理槽１０の内部に廃液口４３１が設けられた配管４３と、配管４３と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽１０の内部において回収口４２１が設けられた配管４２と、基板処理槽１０の所定部位に設けられ、揺動軸４４２を中心に揺動することによって、基板処理槽１０内に流下した現像液の流出先を配管４２と配管４３との間で選択的に切り替える揺動部材４４５を有する現像液流路切替部４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプ５と、処理液供給路６と、処理液供給路６から分岐した第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３とを有する。基板処理装置は、さらに、第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３にそれぞれ接続され、第１、第２および第３処理ユニット１，２，３にそれぞれ配置された第１、第２および第３ノズルＮ１，Ｎ２，Ｎ３を有する。第１、第２および第３分岐路１１，１２，１３には、第１、第２および第３一次側バルブＰ１，Ｐ２，Ｐ３が介装されている。制御装置７は、第１一次側バルブＰ１を閉じるときに、ポンプ５を駆動状態に保持したまま、第２一次側バルブＰ２または第３一次側バルブＰ３を開く。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】エッジホイールと基板との界面に付着した流体を効果的に除去できるエッジホイールの提供。
【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイール１４において、エッジホイール１４の外周面に基板１０の端部と係合する溝１３を形成し、該溝１３から内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネル１８を備え、該放射状チャネル１８に、真空源あるいは流体源と連通し、放射状チャネル１８を吸引することにより、基板１０とエッジホイール１４との間の界面に存在する液体を除去し、又逆に放射状チャネル１８に流体を供給することにより、基板１０の端部を濡らすことも可能にする。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高圧流体からシール部材を保護して、長期間、清浄な状態で使用することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は搬入出領域２を介して処理容器１内に搬入された被処理基板Ｗに対して高圧流体を用いて処理を行い、蓋体３は処理容器１に当接して、搬入出領域２を気密に塞ぐ。規制機構２６は蓋体３が処理容器１内の圧力により後退することを規制し、シール部材１２は、蓋体３が搬入出領域２を塞いだときに、この搬入出領域２を囲んだ状態で蓋体３と処理容器１との間に介在する。保護シート１３は、シール部材１２を高圧流体との接触から保護するために、当該シール部材１２を覆うように設けられ、前記高圧流体に対する耐食性を有する材料により構成されている。 （もっと読む）