【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌ中から金属イオンを除去することができ、基板処理装置１は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する基板処理機構部２と、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌを基板処理機構部２に送る送液部２９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】着脱性やメンテナンス性に優れ、梁型のノズル保持機構が無くても撓まない長尺型の処理液吐出ノズルを提供すること。
【解決手段】この処理液吐出ノズル６４に取り付けられるたわみ補正機構７４は、ノズルヘッダ管６８の第１および第２の中間点Ｐ_M1，Ｐ_M2で補強面６８ａに突出して設けられる第１および第２の中間ジョイント部７８，８０と、ノズルヘッダ管６８の第１および第２の中間ジョイント部７８，８０の間たとえば長手方向の中心点Ｐ_Cで補強面６８ａに突出して設けられる中心ジョイント部７６と、中心ジョイント部７４と第１の中間ジョイント部との間に架け渡される第１の連結棒８０と、中心ジョイント部７８と第２の中間ジョイント部８０との間に架け渡される第２の連結棒８４とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に非接触で基板を搬送し、基板を高速かつ安定的に移動させながら、基板の汚染やローラー痕の生成なく、基板の上下両面又は下面のみに処理を行う、非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の上面と下面の両方又は下面のみに、水による洗浄処理、薬液による化学的処理、水によるリンス処理又は空気、窒素ガスといった気体による乾燥処理のいずれかの処理を行う、複数の基板処理ユニット７、８、９を備えてなる基板処理装置が、基板１の下面に向かって水、薬液、空気、窒素ガスといった流体を噴出して、基板１を浮上させ、基板１の下面に非接触でその位置を保持する、複数配置された基板浮上ユニット１０と、基板１の左右両側のエッジ部に水平方向から接触して、基板１を移動させる複数配置された搬送ローラー１２を有する基板搬送ユニットと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 表面処理装置において、搬入、搬出手段の選択の自由度を高められるようにする。
【解決手段】
表面処理装置３は、上側構造部１０と下側構造部２０とを備えている。下側構造部２０は昇降機構３０により、上側構造部１０に当接し上側構造部１０と協働して密封された処理室を形成する閉じ位置と、上側構造部１０から離間した開き位置との間で昇降され、この昇降に際して、垂直の複数のガイドシャフト４１，４２により案内される。下側構造部１０が開き位置にある時、構造部１０，２０間の搬入・搬出空間Ｓは、３方向にわたって連続した開口１００を有している。この連続開口１００に対応する位置に配置された第１のガイドシャフト４１は第２ガイドシャフト４２より短く、その上端が上側構造部１０から離れている。上側構造部１０は、第２ガイドシャフト４２の上端部に支持されるとともに、連続開口１００を横切らない支持機構５０により支持される。 （もっと読む）

【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを７．３５ｋＰａ以下の第１の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第１の洗浄工程と、ロールブラシを７．３５ｋＰａよりも高い第２の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第２の洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 （もっと読む）

【課題】同じ形状面を持ち重なり密着した板状ワークを効率よく高レベルに洗浄する。
【解決手段】同形状面を持つ板状ワークが重なり密着した積層板状ワークを密閉された洗浄槽内の溶剤液中に浸漬して洗浄し、次いで溶剤液を排出後、該洗浄槽内を溶剤液が蒸発する圧力以下の圧力に下げて板状ワークの間隙に浸透した溶剤液をガス化させる洗浄方法、特に前記積層板状ワークを支持部材で積層軸に沿って保持して板状ワークを積層軸に対し傾斜させ、この傾斜を戻すことによって板状ワーク間に間隙を形成させて溶剤液を該間隙に流入しやすくし洗浄する方法。 （もっと読む）

【課題】紫外線処理装置の周囲で大きな気流が発生しても、その影響を受けることなく、被処理物表面に紫外線を均一に照射することができ、被処理物の表面を均一に処理することができる紫外線処理装置、及び、紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】本願発明の紫外線処理装置は、鉛直方向の下方に開口を有するランプハウス１と、ランプハウス１内に収容された紫外線ランプ２及びガス噴出孔３０を有する不活性ガス供給管３と、被処理物Ｗを搬送する搬送機構４と、被処理物Ｗを処理するためのチャンバー５とを備え、被処理物Ｗを搬送しながら紫外線を照射する紫外線処理装置において、ランプハウス１より搬送方向の上流側に被処理物Ｗが搬入される前方緩和室６が連結され、ランプハウス１より搬送方向の下流側に被処理物Ｗが搬出される後方緩和室７が連結され、チャンバー５には、搬送されてくる被処理物Ｗに対して鉛直方向の下方の位置に、排気管８が接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物１１の洗浄乾燥方法であって、該被処理物１１を大気圧下の洗浄乾燥室１８に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室１８内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室１８内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８に搬入した際の該洗浄乾燥室１８内における空隙容積の１００倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置の設置面積を増大させず単位時間当たりの処理能力を低下させずに、長時間の処理が可能で、処理時間を容易に変更できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
第２剥離帯２内のフレームＦには、レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３が設けられ、それぞれにローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と、上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２が設けられる。フレームＦが昇降して各レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３に基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬入して、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の上端に上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２から剥離液を供給する。所定時間の処理が終了するとフレームＦが昇降して処理済みの基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬出する。 （もっと読む）

【課題】必要な洗浄能力が得られる温度にまで加熱可能であり、固体表面の付着物に対する洗浄能力が十分高く、かつ洗浄後の排気に大型の設備を必要とせず、また短時間で洗浄処理を完了することができる洗浄用ノズルを提供する。
【解決手段】加熱及び加圧された水を常圧下にて沸騰させることにより得られる自己生成２流体Ｆを生成する洗浄用ノズル１であって、加熱及び加圧された水の流量を制御する流路を備えたオリフィス部２と、オリフィス部２の下流側に形成され、オリフィス部２の流路の断面積を拡大し、自己生成２流体Ｆを生成する拡径部３と、拡径部３の下流側に形成されると共にオリフィス部２の流路よりも広い断面積を有する流路を備え、自己生成２流体Ｆを下流側に案内する整流部４とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して最終薬液処理を行う薬液処理室３６と、薬液処理室３６の基板搬送方向下流側に設置され基板Ｗに対して置換水洗処理を行う置換水洗室４０とを備えた基板処理装置３００において、薬液処理室３６内に設けられ薬液処理を終えた基板Ｗに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ３７、３７と、基板搬送方向下流側において薬液処理室３６と隣接する薬液除去領域７３内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ７１、７１とを備え、薬液処理室３６において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ３７、３７、７１、７１により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプに対して、隣接ランプ管から放射される紫外線の影響を減少させること
【解決手段】この紫外線照射装置(16-2)は、複数本の紫外線ランプ(L1,L2,…)を並列配置した紫外線照射装置であって、座標軸を、前記複数本の紫外線ランプの並列方向をＸ方向、各紫外線ランプの照射方向を−Ｙ方向、各紫外線ランプ軸線方向をＺ方向と規定したとき、隣接する２本の紫外線ランプ相互間にＺ方向に延在する遮蔽板(26)を備え、前記遮蔽板の−Ｙ方向高さは、隣接する紫外線ランプ(L1)の光源をランプ中心(C1)にある点光源(S1)と見なして、各紫外線ランプ管のいずれの箇所からも隣接する紫外線ランプの点光源を視認できない高さとする。 （もっと読む）

【課題】液中のバブルをより効率的に分割して超微細バブルを生成することのできる超微細バブル生成機構を提供することである。
【解決手段】バブル含有液が圧送される複数の管体１５３、１５４と、その複数の管体１５３、１５４に結合され、その複数の管体１５３、１５４にて圧送されるバブル含有液を衝突させて出力する衝突部１５５とを有し、複数の管体１５３、１５４にて圧送されるバブル含有液が衝突することによって液中のバブルが更に細かく分割されるように構成される。 （もっと読む）