【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的なダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂よりも電気伝導率の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、基板Ｗの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを保持し中空になった保持プレート１と、保持プレート１に固定連結され中空になった回転軸２と、回転軸２を回転駆動する回転駆動部４０と、保持プレート１の中空内に配置され、本体２５と被処理体Ｗを支持するリフトピン２１とを有するリフトピンプレート２０と、を備えている。回転軸２の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部１１と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１０が延在している。リフトピンプレート２０は傾斜面２５ａ，２５ｂを有し、不活性ガス供給部１０の先端が、洗浄液供給部１１の先端よりも高い位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】筐体内部等に対するメンテナンス性を阻害することのない筐体カバー機構を提供する。
【解決手段】少なくとも開口部２３３ａを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有するシート状カバー部材２０２を、移動手段２１５によって開口部２３３ａを閉塞する閉塞位置と開口部２３３ａを開放する開放位置との間で移動させることで、開口部２３３ａを開閉するように構成し、開口部２３３ａの開放時にはシート状カバー部材２０２を筐体２３３内部のメンテナンス性を阻害しない状態に維持することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

【課題】薬液供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薬液供給装置は、それぞれ前後方向に移動可能な複数のノズルと、複数のノズルを内部に収容し、ノズルが出入り自在に一方の側が開放されたノズルカバー及びそれぞれのノズルを前後方向に移動させるノズル駆動部を備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを部分的に洗浄処理することができる処理装置を提供することにある。
【解決手段】半導体ウエハを部分的に洗浄処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持する回転テーブル２と、回転テーブルによって保持された半導体ウエハの少なくとも洗浄処理される部分にナノバブルが混入された処理液を供給するナノバブル発生器１７と、半導体ウエハの洗浄処理される部分に電子ビームを照射して処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる電子銃１２を具備する。 （もっと読む）

処理チャンバの中で基板のはす縁をエッチングするための方法を提供する。該方法は、基板の中心領域より上側で画定される処理チャンバの中心領域に、不活性ガスを流し込むステップと、基板のエッジ領域の上に不活性ガスおよび処理ガスの混合物をエッジ領域流すステップとを含む。該方法は、エッジ領域でプラズマを発生させるステップをさらに含み、不活性ガス流および混合物流は、処理ガスの質量分率を実質的に一定に維持する。基板のはす縁を洗浄するように構成される処理チャンバも提供する。
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【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】異物の除去効率の低下を防止することができる洗浄用ローラおよびこの洗浄用ローラを備えた洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄用ローラ１は、円柱状のロール体１１と、このロール体１１の外周面に設けられた複数の突起部１２とを有する。各突起部１２は、平面楕円形状である。複数の突起部１２は、前記楕円の長軸が、ロール体１１の中央部を通り、円柱状のロール体１１の中心軸Ｂと直交する軸線Ａに対し一方向に傾斜するとともに、千鳥状に配置された第一の突起部群１３と、軸線Ａに対し、前記一方向とは異なる他の一方向に沿って前記楕円の長軸が傾斜するとともに、千鳥状に配置された第二の突起部群１４とで構成されている。第一の突起部群１３の傾斜方向と、および第二の突起部群１４の傾斜方向とは、軸線Ａを挟んで対称である。 （もっと読む）

【課題】銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】 スピンコ−タ−カップ、半導体ウェハ、液晶ガラスなどに付着したレジスト及びレジスト被膜、油膜、塗料及び塗膜等の有機成分及び有機被膜を、短時間で除去すると共に、洗浄液を多数回繰り返し洗浄できる生産性・経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄室内に被洗浄物を保持する保持カゴを回転可能に自立させ、更に洗浄液噴射用、すすぎ液噴射用及び乾燥用を共有するノズルを有するノズルヘッダーを回転可能に配設して、保持カゴとノズルヘッダーとの回転方向が双方対向するように設置して、被洗浄物を炭酸アルキレンによる洗浄後エアーで液切りさせた後、精製水によるすすぎを行って、エアー噴射により短時間で乾燥仕上げ処理することと、洗浄後の洗浄液はオゾンを用いた洗浄液再生装置で有機成分を分解して、循環再使用して経済効率を改善する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ乾燥時にウェハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】ウェーハ用送風乾燥装置１は、窒素ガスＮ２が吹き付けられるウェーハＷの上面に気流を発生させるための回転板１１を備え、回転板１１の下面は円錐状に形成されている。回転板１１は窒素ガス供給ノズル５の外側に回転駆動可能に配設され、該回転板１１の下面には渦巻き状又は放射状に配置された複数の羽根１５,・・が形成されている。羽根１５,・・はウェーハＷ上面の中心部が外周部よりも、羽根１５,・・のピッチが狭く、且つ、羽根１５,・・の高さ寸法及び幅寸法が小さい。また、回転板１１の回転数を調整することにより、ウェーハＷ上に発生する気流の大きさが適宜変更される。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸及び（Ｂ）ＨＬＢ値が５以上１３未満の非イオン型界面活性剤を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 （もっと読む）