【解決手段】プロキシミティヘッドを形成及び使用するシステム並びに方法。プロキシミティヘッドは、ヘッド表面を含み、該ヘッド表面は、第１のゾーンと、第２のゾーンと、内部戻りゾーンとを含む。第１のゾーンは、第１の平坦な表面領域と、複数の第１の個別穴とを含む。複数の第１の個別穴の各穴は、複数の第１の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第１の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第１の平坦な表面領域に広がっている。複数の第１の個別穴の少なくとも一部分は、第１の列に配置される。第２のゾーンは、第２の平坦な表面領域と、複数の第２の個別穴とを含む。複数の第２の個別穴の各穴は、複数の第２の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第２の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第２の平坦な表面領域に広がっている。内部戻りゾーンは、複数の内部戻り個別穴を含む。内部戻りゾーンは、第１のゾーンと第２のゾーンとの間にそれらに隣接して位置している。複数の内部戻り個別穴の各穴は、複数の内部戻り導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の内部戻り個別穴は、ヘッド表面内にあり、ヘッド表面に広がっている。複数の内部戻り個別穴の少なくとも一部分は、内部戻り列に配置される。第１の列と内部戻り列は、実質的に平行である。複数の内部戻り個別穴の各穴の縁の第１の部分は、ヘッド表面内に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】微粒子の除去率を高め、露光装置のスループットを維持し、被洗浄面の損傷を低減する洗浄装置及び方法、並びに洗浄装置を有する露光装置を提供する。
【解決手段】真空環境下に配置されたレチクル２のパターンを投影光学系５を介してウエハ１に露光すると共に、真空環境下でレーザー光Ｌをレチクル２に照射することによってレチクル２を洗浄する洗浄装置を有する露光装置１００において、洗浄装置は、レーザー光Ｌをレチクル２のパターン面２ａに対して１°以上４５°以下の範囲の角度で照射する照射手段を有し、前記照射手段が、レーザー光Ｌのパターン面２ａに対する入射角度を前記範囲内に維持した状態で、レーザー光Ｌをパターン面２ａの法線周りの入射方向が互いに異なる複数の入射方向から入射させることを特徴とする露光装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、界面活性剤を含んだ洗浄液による洗浄後の低誘電率膜のｋ値の変動を回復する。
【解決手段】 基板上にｋ値が３．０以下の低誘電率膜１を成膜したのち、低誘電率膜１に凹部を形成し、次いで、凹部及び低誘電率膜１上に導電体膜を堆積したのち、低誘電率膜１が露出するまで導電体膜を研磨し、次いで、低誘電率膜１の表面を界面活性剤３を含む洗浄剤で洗浄したのち、低誘電率膜１の表面に残存する界面活性剤３を、界面活性剤３が表面に残存した状態における低誘電率膜１の比誘電率の増大分を６０％以下に低減できる界面活性剤除去方法で除去する。 （もっと読む）

【課題】傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができる枚葉式洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持手段２と、該保持手段に保持された基板上面Ｗ１に向けて洗浄液３を噴出する洗浄液噴出手段４とを具備する枚葉式洗浄装置１であって、少なくとも、基板下面Ｗ２に伝播水を供給する伝播水供給手段６と、基板直下に伝播水による膜５が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段７とを具備し、振動手段７から伝播水膜５に印加された超音波振動が、基板Ｗを透過し、該基板上面Ｗ１に載っている洗浄液３に印加されることにより、基板上面Ｗ１を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用し、基板を処理する装置に関する。
【解決手段】プラズマの特性を向上させるため磁気場を形成する磁石のユニットを提供する。ハウジングの側部の内、上部の領域には、第１磁石ユニットが、又、下部の領域には、第２磁石ユニットが提供される。各々の磁石ユニットは、複数の電磁石を有する。電磁石は、磁石ユニットが上部から見る際、正多角型の形状を有するように配置される。下部に配置される磁石ユニットは、上部に配置される磁石ユニットとの整列位置から、その中心軸を基準として一定角度回転された状態に配置される。上述した構造によって、ハウジング内のプラズマ密度の均一度が向上され、特に隣接する電磁石の間の領域でプラズマ均一度が低下することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に処理液を物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行するにあたり、どのような処理液を用いた場合であっても、基板にダメージを与えることなく処理を実行することを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、複数の基板を、処理液中に浸漬させることにより基板Ｗに対する超音波洗浄処理を実行する処理部１を備える。制御部５は、処理液供給部２から処理部１に対して処理液の供給を開始するに先だって、当該供給される処理液が基板にダメージを与えにくい適正処理液であるか否かを、当該処理液の分子密度の値と分子密度閾値との比較によって判断する。処理液が適正処理液でないと判断された場合には、処理液調整部３において処理液に窒素ガスを溶解させる。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を最小限に抑えつつ基板の表面周縁部および裏面から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から塩酸を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から硝酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給することにより、基板表面Ｗｆで塩酸と硝酸が反応してエッチング液が生成される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なｐＨ領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが、容積比で１：２：２００〜１：１：１００となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、ｐＨが８〜１２の_ｕｄＳＣ１組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で１〜１００となる希釈比で含有し、ｐＨが８〜１１のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記_ｕｄＳＣ１のｐＨが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のｐＨより高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Ｗを処理した後，基板Ｗを乾燥させる方法であって，第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と，前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と，前記第二の薬液処理工程の後に基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程とを行い，少なくとも前記乾燥処理工程において，基板Ｗの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、０．０１重量パーセント以上、３０重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、０．０１重量パーセント以上、２．０重量パーセント以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するユニットを提供する。
【解決手段】基板支持ユニットは、工程時に基板に旋回流を供給して基板をチャックプレート上から浮揚及び回転させる工程を行う。したがって、本発明は、基板を非接触方式でチャックプレートから浮揚させて支持し、工程速度で回転させる。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】流体混合ノズルを用いて疎水性ウェハの処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液を供給する処理液供給手段６６と，不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６７と，前記処理液に前記不活性ガスを混合し、不活性ガスによって圧力を加えられた処理液を基板に吐出する二流体混合ノズル６５を備え，前記処理液によって基板を処理する基板処理装置であって，前記処理液供給手段６６に，前記処理液の表面張力を低下させる流体と前記処理液とを混合する流体混合手段１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の表面と溝内部のクリーニングを同時に行うとともに、一旦除去された微粒子の再付着を防止して、高い洗浄度の洗浄を行なうことができる基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１０により基板Ｗを保持して回転させ、揺動アーム１４を下降させて回転する基板Ｗの表面に洗浄体４２の下端を接触させ、揺動アーム１４を揺動させて洗浄体４２で基板Ｗのスクラブ洗浄を行うとともに、高圧ノズル３６から高圧洗浄液を噴出して洗浄体４２の内壁と基板Ｗで囲まれる空間を洗浄液で満たし、空間内に満たされた洗浄液と該洗浄液中を通過する高圧ノズル３６から噴出する高圧洗浄液との界面付近にキャビテーションによる気泡を発生させ、該キャビテーションによる気泡が潰れることで基板の高圧液洗浄を並行して行う。 （もっと読む）

少なくとも１つのフッ素ベース構成要素、少なくとも１つのキレート化成分、界面活性剤成分、酸化成分又はこれらの組み合わせ、及びおよび少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素と少なくとも１つの溶媒又は溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液およびその製造方法も本明細書で説明する。
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ポスト化学的機械的研磨（ＣＭＰ）残渣および汚染物質をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記残渣および汚染物質を洗浄するための酸性組成物および方法。この酸性組成物は、界面活性剤、分散剤、スルホン酸含有炭化水素、および水を含む。この組成物は、低ｋ誘電材料および銅相互接続材料を損傷することなくマイクロ電子デバイス表面からポストＣＭＰ残渣または汚染物質材料を非常に効果的に洗浄する。
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【解決手段】基板の上方に洗浄剤が配される。洗浄剤は、液体媒質の中に分散された固体成分を含む。液体媒質の中の固体成分に力が加えられ、固体成分を基板の上に存在する汚染物質に接近させる。固体成分に加えられる力は、液体媒質の中の不混和成分によって作用される。固体成分が汚染物質に十分に接近すると、固体成分と汚染物質との間に相互作用が確立される。次いで、固体成分と相互作用した汚染物質が基板から除去されるように、固体成分は基板から遠ざけられる。 （もっと読む）