【課題】切削加工後のワークを傷付けずに、ワーク表面の付着物を効果的に除去して、洗浄品質を向上させる。
【解決手段】ノズル４１に接続した給水管４５には、純水中にマイクロナノバブルＢを発生させるマイクロナノバブル発生器４９が接続され、ノズル４１の先端はワークＷの被洗浄部近傍に配置されている。ノズル４１の吐出口部には圧力維持バルブ５１が設けられ、マイクロナノバブル発生器４９で生成した加圧過飽和状態のマイクロナノバブルＢを含む洗浄水Ｃが、洗浄中にノズル４１から吐出して、ワークＷの被洗浄部に至近距離から供給する。 （もっと読む）

【課題】基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】カップ中部５１およびカップ下部５２は基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ中部５１はカップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂの上方に配置される。また、側壁部５５が、カップ中部５１およびカップ下部５２の周囲を取り囲むように設けられる。カップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂとカップ中部５１の下面５１ａとの間隔は、基板Ｗの外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、カップ中部５１およびカップ下部５２の外周部で下面５１ａと上面５２ｂとの間に間隙Ｓが形成される。側壁部５５の内周面５５ａは、間隙Ｓの外方で間隙Ｓから離間しかつ間隙Ｓを取り囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近（微細気泡発生領域）を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第１の領域に接触して、前記基板を保持する第１の基板保持手段と、前記第１の領域以外の前記裏面の第２の領域に接触して、前記基板を保持する第２の基板保持手段と、前記第１の基板保持手段又は前記第２の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第１の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第２の基板保持手段の接触面を洗浄する第２の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置１は、ワークセット２を保持して回転可能な保持テーブル３と、ワークセット２の上方に配設されエッチング液４０を滴下するエッチングノズル４と、保持テーブル３に保持したワークセット２の周囲に配設されワークセット２の側面に向けて水を供給する水供給手段５とを備え、水供給手段５は、水供給源５１と、水供給バルブ５２と、水供給ノズル５０とを少なくとも備え、水供給ノズル５０は、リング形状に形成されワークセット２の周囲からワークセット２の側面に向かう方向に複数の水供給口５０ａを備えている。そして、水供給ノズル５０から供給される水がエッチング液４０を薄めて洗い流すことにより、樹脂２１及びワークＷの下面Ｗａのエッチングを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を保持する基板保持手段（２２）と、前記基板保持手段（２２）で前記基板（２）を正常に保持したときに前記基板（２）の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段（２５）と、前記撮影手段（２５）で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段（２２）による前記基板（２）の保持状態を判断する制御手段（２６）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）