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Fターム[5F157AB91]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内での洗浄時の運動 (1,468) | 回転運動 (1,212) | 水平軸 (36)

Fターム[5F157AB91]に分類される特許

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【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】1対のブラシローラ1A,1Bがそれぞれ挿着された2つの回転軸の回転方向と略直交してこれら2つの回転軸の軸心を含む断面において、第1の被洗浄面11Aと接触する複数の第1の突起5Aの各基端部分を第1の被洗浄面11Aの略垂直方向から被洗浄体10に投影した複数の第1領域Laと、第2の被洗浄面11Bと接触する複数の第2の突起5Bの各基端部分を第2の被洗浄面11Bの略垂直方向から被洗浄体10に投影した複数の第2領域Lbとが重なる複数の重複範囲Lpは、2つのブラシローラ1A,1Bの回転位置に関わらず、当該重複範囲Lpを含む第1領域La及び第2領域Lbの何れに対しても80%以下の範囲に制限される。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板20をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液26に半導体基板20を浸漬する。 (もっと読む)


【課題】超音波の減衰や洗浄槽内での不均一な液流の影響を受けることなくウェーハ面内をムラ無く均一に洗浄することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液2で満たされた洗浄槽11と、洗浄槽11内でウェーハ1を揺動可能に保持する受け台12と、ウェーハ1を保持して上下方向に移動させるウェーハチャック13とを備えている。ウェーハ1の回転動作時には、受け台12の揺動角度が−θ度の位置でウェーハ1が受け台12から浮いた状態となるようにウェーハチャック13でウェーハ1を持ち上げる。次に、受け台12だけを回動させて+θの角度まで傾けた後、ウェーハチャック13を開放してウェーハ1を再び受け台12に載せることによって、ウェーハ1を周方向に回転させる。 (もっと読む)


【課題】基板に付着した異物を効率的に除去することができ、異物の再付着を抑制しうる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ基板を支持する支持台と、処理室内に設けられ基板に気体を噴射する気体噴射機構と、基板に噴射する気体の温度が処理室の内壁の温度よりも高くなるように制御する温度制御機構とを有し、気体噴射機構から噴射した気体の風圧により、基板に付着した異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハWを浸漬可能なリンス槽31に満たされた洗浄液Lの液面L1より上方に上方ノズル34を設け、ウェーハWを立てた状態で洗浄液Lに浸漬し、上方ノズル34からリンス槽31の底部に向かって噴射液Fを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Fをリンス槽31内に導入することでウェーハWを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の割れ・欠けだけでなく、ヒビの検出も可能であり、且つ、割れ・欠け・ヒビが発生した工程から次工程に入る前に欠陥を検出し、そのことによって欠陥のあるガラス基板を排除可能な欠陥検査機構を備えた搬送装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置の製造装置に使用されるガラス基板の搬送装置であって、
前記搬送装置は、駆動力を備えた複数の駆動ローラーと駆動力を備えていない複数の搬送ローラーを備えており、
少なくとも前記搬送ローラーは、荷重測定機構を備えていることを特徴とするガラス基板の搬送装置。 (もっと読む)


【課題】ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を提供する。回転ブラシをローラーで置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって洗浄される。洗浄材のウェブ116を各ローラー110と基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。 (もっと読む)


【解決手段】低表面張力液体を用いてウエハを処理及び乾燥するシステムは、低表面張力液体の沸点よりも25℃低い温度以上の温度まで低表面張力液体を加熱することが可能な第1の熱源を備える低表面張力液体源と、加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する供給機構と、空気/液体界面領域に向けて配置される第2の熱源であって、低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで空気/液体界面領域を加熱可能な第2の熱源と、を備える。また、低表面張力液体を用いてウエハを処理する方法を記載する。 (もっと読む)


【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ1は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体3と、ロール体3の外周面3a上に一体形成された複数の突起5とを有し、これら複数の突起5を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ1を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 (もっと読む)


【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具13aに載置された被洗浄物13をIPA蒸気雰囲気4に浸漬して蒸気乾燥を行うIPA蒸気乾燥槽2の後段に余熱乾燥槽6を設け、IPA蒸気乾燥槽2で蒸気乾燥を終え、IPA蒸気雰囲気4の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物13および搬送治具13aを、余熱乾燥槽6に搬入し、当該被洗浄物13および搬送治具13a自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、IPA蒸気乾燥槽2におけるIPA蒸気雰囲気4への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物13や搬送治具13aの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物13のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの1つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板1を保持し、基板1を回転させる基板回転手段30と、基板面と平行で基板回転軸aと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された2つの洗浄ブラシ7、8(10)を備え、2つの洗浄ブラシ7、8(10)がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ7、8、10が基板1の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ40(50)と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段12とを備える基板洗浄装置20とする。 (もっと読む)


【課題】 リンス流体の消費を抑え、洗浄・リンス・乾燥プロセスに要する総時間を削減する基板洗浄乾燥技術を提供する。
【解決手段】 線状の流体が基板表面に沿って吹き付けられて空気/流体境界線を形成し、線状の蒸気がマランゴニ乾燥を達成するためにこの境界線に供給される。好適な装置は、洗浄流体および/またはリンス流体のタンクを使用する。タンク流体の上方ではリンス流体源が基板表面にリンス流体を向け、基板が洗浄流体から持ち上げられるときに基板表面にメニスカスを形成し、乾燥用蒸気源が乾燥用蒸気をメニスカスに向ける。リンス流体タンクは、基板受取洗浄部分と基板リンス部分とを有する。リンス流体源と乾燥用蒸気源とはリンス部分上方の乾燥エンクロージャによって囲まれる。基板のローディング、洗浄、リンス、乾燥およびアンローディングが少なくとも部分的な時間的重複をもって実行される。 (もっと読む)


半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 (もっと読む)


【課題】撥水面を有する洗浄処理後の基板に対し気体を噴出して液切り乾燥させる場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向に対して交差するように、基板Wの主面へその幅方向全体にわたって気体を噴出して基板上から液体を除去するエアナイフ32を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方に、基板搬送方向に対して交差するように、基板の主面へその幅方向全体にわたって液体をカーテン状に吐出する液体ノズル34、36を配設する。液体ノズル34のエアナイフ32側に、下端が基板Wの主面と近接するように基板の幅方向全体にわたって板状カバー38を取着し、板状カバーにより、液体ノズルからカーテン状に吐出される液体が基板搬送方向における前方へ流動するのをせき止め、エアナイフから噴出する気体による水膜40の乱れを抑える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板100の表面に洗浄液402を供給しながら当該表面をブラシ300を用いて洗浄する際に、半導体基板100の表面におけるブラシ300と最初に接触する箇所に予め洗浄液402を供給しておく。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ101は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板201から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド213、215、217を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置1は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるSiC基板50を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液16を保持する洗浄槽11と、洗浄槽11の内部に配置され、SiC基板50を保持する基板ホルダ12と、洗浄液16の温度を調整することにより、洗浄液16を対流させるヒータ13と、SiC基板50から脱落した付着物を捕集するフィルター14とを備えている。 (もっと読む)


【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム11は、メガソニックタンク式洗浄機15および後続のスクラバ17,19を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール13は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール23は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール(入力、洗浄および出力)は、基板支持体25を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ33を有するオーバヘッド搬送機構31によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離(X)で離間されている。 (もっと読む)


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