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Fターム[5F157AC02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | すすぎ工程 (161)

Fターム[5F157AC02]に分類される特許

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【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ1の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部4を含む表面を一般式[1]で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


(Rは一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の1価の炭化水素基、Rはそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の炭化水素基を含む1価の有機基、aは0〜2の整数である。) (もっと読む)


【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式(1)


で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)


で表される含フッ素3級ジオールを含む。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Wの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Wの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Wを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Wをベルヌーイ吸着させるために当該基板Wの被処理面の背面に向けてN2ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Wの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wを回転可能に保持する基板保持部11と、制御部100と、制御部100の指令により基板Wの表面Sに処理用の液体を供給する液体供給部18と、基板保持部11と基板Wの裏面Bの間に形成される裏面空間領域32に、制御部100の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系15と、制御部100の指令により裏面空間領域32内の空間圧力を制御するエアー吸引系16を備える。 (もっと読む)


【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54の長手方向X1の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部46とを含む。一対のガイド部46は、長手方向X1に間隔を空けて対向する一対のガイド面66をそれぞれ含む。一対のガイド部46のそれぞれには、ガイド面66より凹んだ凹部68が形成されている。 (もっと読む)


【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを保持して回転させる基板保持回転機構2,3と、基板Wの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル11を有する処理液供給機構4と、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり5と、処理液溜まり5に貯留された処理液を一気に基板Wの主面に供給することにより、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット6と、制御ユニット7とを含む。制御ユニット7は、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル11から基板Wの主面に向けて処理液を吐出させる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハ21に対してSPM液を吐出する吐出機構50と、吐出機構50に硫酸を供給する第1液供給機構12と、吐出機構50に過酸化水素水を供給する第2液供給機構14と、を備えている。第1液供給機構12は、第1温度に加熱された第1の液を保持する一次温調機構30と、一次温調機構30に接続された二次温調機構40と、二次温調機構40と吐出機構50を接続する吐出ライン51と、を有している。二次温調機構40は、一次温調機構30の第1循環ライン33から分岐し、一次温調機構30に戻る第2循環ライン41と、第2循環ライン41に設けられ、第1の液を第1温度よりも高い供給温度に加熱する第2加熱器42と、を有している。吐出ライン51は、第2加熱器42よりも下流側で第2循環ライン41から切替弁44を介して分岐している。 (もっと読む)


【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されている基板Wの外周より外側に配置されているカップ6とを含む。カップ6は、気体吐出口から基板W上に向けて気体を吐出することにより、基板Wの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Wの上面がパーティクルやミストから保護される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 (もっと読む)


【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハW表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル5を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハWの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハWに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハW上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハW表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な手順によって、Si−H終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、HF系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、HF濃度が2500ppm以下のHF水溶液でリンスする希薄DHFリンス工程と、を備え、前記HF系薬液は、前記希薄DHFリンス工程で用いられるHF水溶液よりも高いHF濃度を有するHF水溶液からなるか、若しくは複数種のHF系薬剤を混合してなる。 (もっと読む)


【課題】高濃度の炭酸水を簡易かつ迅速に製造することができる炭酸水の製造装置及び製造方法と、この製造装置で製造された炭酸水で電子材料部材を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】原水を、原水配管11を経由して脱気膜モジュール1の液相室1bに供給する。真空ポンプ3を作動させて気相室1c内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜1aを透過し、気相室及び排気配管13を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管12を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール2の液相室2b内に流入する。また、炭酸ガス供給器4から、炭酸ガス配管15を経由して気相室1cに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜2aを透過し、液相室2b内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管14から流出する。 (もっと読む)


【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Wを液処理する液処理装置1において、基板Wを水平に支持し、回転可能な支持部材10と、支持部材10の外周部13との間に環状間隙GPを形成する間隙形成部材20と、基板Wに上方から処理液を供給する液供給部材30と、環状間隙GPを取り囲み、環状間隙GPを介して、回転する基板Wから振り切られる処理液を回収するカップ40と、間隙形成部材20を昇降させる昇降機構122とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ1の、少なくとも凹部4表面に撥水性保護膜10を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式[1]及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が50質量%以上である。


は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基。Rはそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基。aは0乃至2の整数。 (もっと読む)


【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。保護液ノズル6は、保護液が基板Wの上面に沿って噴射領域T1の方に流れるように基板Wの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域T1が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域T1に衝突させる。 (もっと読む)


【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される(S2)。その後、水酸基を含まない第1溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第1溶剤に置換される(S4、S5)。その後、水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される(S6)。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸41を有し、回転軸41の回転によって基板を回転させるスピンナー40と、基板に相対する位置であってスピンナー40の回転軸41からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル24及びノズル25と、を備え、スピンナー40の回転軸41の方向に見て、ノズル24の噴射口24Aがスピンナー40の回転軸41が回転する向きと向き合っており、ノズル25の噴射口25Aが第一ノズル24の噴射口24Aの向きとは逆向きである。 (もっと読む)


【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をIPAに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Wを保持して回転させる工程と、基板の下面にDIW(純水)を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にIPA(イソプロピルアルコール)とNガスとを含むミストを供給してDIWをIPAで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口62を有する、基板の下方に設けられたノズル60により行われる。 (もっと読む)


【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第1センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第2センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第3センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第1乃至第3センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 (もっと読む)


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