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Fターム[5F157AC14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 単槽(室) (1,331) | 単一の工程 (620) | すすぎ (22)

Fターム[5F157AC14]に分類される特許

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【課題】研磨後の多数枚のウェハを効率的に省スペースで水没させて保管し、また、ウェハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェハ収納装置を提供する。
【解決手段】水槽5の水面より上部に置かれたカセット4を水平にし、且つリンス機構9のノズルバー9aをカセット4の後部へ移動して、研磨後のウェハ3をカセット4に上下方向多段に個別に効率よく収納する。全てのウェハ3がカセット4に収納されたら、傾斜手段8によってカセット4を1°〜20°の範囲で傾斜させ、ノズルバー9aによってウェハ3の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構7によって、カセット4を水槽5の内部の水中へウェハ1枚分の間隔で沈める。カセット4を水槽5から引き上げるときも、傾斜手段8によってカセット4を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェハ3が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェハ3の収納・洗浄・搬送を行える。 (もっと読む)


マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも1つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも1つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび/またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【課題】PVAスポンジ等親水性部材を容易に効率良く液飛散防止カップ本体の内面に装着できる基板処理装置の液飛散防止カップ、該液飛散防止カップを備えた基板処理装置、及びその方法を提供すること。
【解決手段】基板を保持し回転させる基板回転機構、該基板回転機構に保持された基板の外周を囲むように配置され、該回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップを備えた基板処理装置の液飛散防止カップであって、液飛散防止カップ本体11の内周面全面又は該内周面の所定部分に表面に親水性材層12を設けた液飛散防止シート16aを該親水性材層12がカップの内側を向くように装着手段で装着した。 (もっと読む)


【課題】研磨後にウェーハを水没させて搬送及び洗浄する工程において、ウェーハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェーハ収納リンス装置を提供する。
【解決手段】水槽5の水面より上部に置かれたカセット4を水平にし、且つリンス機構9のノズルバー9aをカセット4の後部へ移動して、研磨後のウェーハ3を一枚ずつカセット4に収納する。全てのウェーハ3がカセット4に収納されたら、傾斜手段8によってカセット4を1°〜20°の範囲で傾斜させ、ノズルバー9aによってウェーハ3の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構7によって、カセット4を水槽5の内部の水中へウェーハ1枚分の間隔で沈める。カセット4を水槽5から引き上げるときも、傾斜手段8によってカセット4を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェーハ3が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェーハ3の収納・洗浄・搬送を行える。 (もっと読む)


【課題】ノズルの入れ替えに要する時間を短縮可能な技術を提供する。
【解決手段】DIW供給部13が移動するエリア内に、現像ノズル21と純水ノズル130との干渉エリアAiを特定する。基板Wに対する純水の吐出処理(プリウェット処理)を終えた純水ノズル130が、干渉エリアAiの外に移動したことが確認されると、現像ノズル21が所定の待機位置T21から基板Wの上方の吐出開始位置へと移動開始する(AR13)。 (もっと読む)


【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル21を、第1の高さにある水平面(移動走行面H1)上で移動させることによって、現像ノズル21を現像処理セット10間で移動させる(AR2,AR6)。ただし、移動走行面H1は、純水ノズル130の移動エリア(純水ノズル130を処理位置S130と待避位置T130との間で移動させる際に純水ノズル130が移動するエリア)の上方に形成される。したがって、純水ノズル130との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル21を現像処理セット10間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル21と純水ノズル130との稼働率が向上する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ101は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板201から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド213、215、217を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Na共存下において、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 (もっと読む)


【課題】シートフィルムに担持させた薄膜を基板に転写することで基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板や薄膜を損傷させることなく、また大量処理に適した技術を提供する。
【解決手段】薄膜Rを担持させたPVDF樹脂シートフィルムFをウエハWに密着させてなるワークWKを複数枚、DMAまたはDMF溶剤L3を貯留する溶剤槽3に浸漬することでシートフィルムFのみを溶解させる。その後、アセトンによるリンス処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行うことで、表面に薄膜Rが形成されたウエハWを得る。 (もっと読む)


【課題】被処理体の周縁部の所定の範囲を精度良く処理し、ミストとして残った処理液が次回以降に処理する被処理体に悪影響を及ぼすことを防止し、さらに、被処理体を処理するための処理空間を小さくする液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体20と、第二筐体20に当接可能な第一筐体10と、被処理体Wを保持する保持部1と、を備えている。第一筐体10は、保持部1によって保持された被処理体Wの表面の周縁部に対向する位置に、被処理体Wの周縁方向に向かうにつれて被処理体Wから離れるように傾斜した表面側傾斜部11を有している。表面側傾斜部11には、被処理体Wの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル51a,52aが設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板と基板の表面に対向配置される遮断部材と間にそれらの周囲の雰囲気が進入するのを防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック3の上方には、処理カップ5の開口16を閉塞するための蓋部材17が、遮断板22を取り囲むように設けられている。蓋部材17と遮断板22の上面との間には、ダウンフロー導路31が形成されている。ウエハWの処理時には、処理室2内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝37内が強制的に排気されている環境下において、空隙47を介してダウンフロー導路31に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック3に保持されたウエハWの側方に導かれる。そして、クリーンエアの気流がウエハWの側方を包囲するように形成される。 (もっと読む)


【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は1〜30質量%が好ましく、水の含有量は20〜99質量%が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 (もっと読む)


【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Wを保持し中空になった保持プレート1と、保持プレート1に固定連結され中空になった回転軸2と、回転軸2を回転駆動する回転駆動部40と、保持プレート1の中空内に配置され、本体25と被処理体Wを支持するリフトピン21とを有するリフトピンプレート20と、を備えている。回転軸2の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部11と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部10が延在している。リフトピンプレート20は傾斜面25a,25bを有し、不活性ガス供給部10の先端が、洗浄液供給部11の先端よりも高い位置に位置している。 (もっと読む)


(a)1以上の金属イオンを含まない塩基;(b)水溶性の金属イオンを含まない多面体シルセスキオキサン;(c)酸化剤;および(d)金属イオンを含まない水を含む、集積回路基板から粒子状物質を除去するための組成物、ならびに(a)、(b)、(c)および(d)を含む成分を組み合わせることよって得られる組成物。(a)、(b)、(c)および(d)を含む組成物を表面に付与する工程、または(a)、(b)、(c)および(d)を含む成分を組み合わせることによって得られる組成物を表面に付与する工程を含む、集積回路デバイスの表面から粒子状物質を除去するための方法。 (もっと読む)


【課題】処理液に改良を加えることにより、半導体表面に、安定かつ均一な保護膜を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】処理槽に、マイクロナノバブルを含有する処理液を導入する工程と、この処理液中に半導体基板を浸漬し、半導体基板表面に保護膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法である。このマイクロナノバブルを含有する処理液は、半導体基板の処理に先立ち半導体基板処理装置に備えられるマイクロナノバブル水生成装置で生成され、処理槽に導入される。 (もっと読む)


【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 (もっと読む)


【課題】処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェット処理装置1は、処理液を貯留して、ウェハWを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽2と、処理槽2の第1の側壁3側に吐出口4aを備えた処理液供給機構4と、第1の側壁3と対面している第2の側壁5に排出口6とを備え、吐出口4aから処理液を吐出した後、排出口6からその処理液を排出できることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ201を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ201をノズルユニット11に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ202と、相対移動される半導体ウェハ201の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット11とを有する。ノズルユニット11は、薬液を吐出するスリット101が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット101に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路102が内部に形成されており、流路102が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置1は、搬送中の基板Sの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ16と、この液ナイフ16に向けてエアを噴射するエアノズル32を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ40による制御に基づき、液ナイフ16の下方に基板Sが存在しないときに、前記エアノズル32から液ナイフ16に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Gを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック10と、スピンチャック10にて保持された基板Gの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Gの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート11と、スピンチャック10にて保持された基板Gの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル12と、スピンチャック10にて保持された基板Gの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル13と、を具備する基板処理装置において、各プレート11を基板Gの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構20を設ける。これにより、プレート移動機構20を作動して、基板Gとプレート11との隙間の有無を選択的に行うことができる。 (もっと読む)


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