【課題】処理対象の基板の周囲において、簡素な構成により、金属製の処理容器から溶出した金属の濃度を低減することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】高圧流体を用いて基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置において、基板Ｗの処理が行われる金属製の処理容器１には、密閉自在な基板Ｗの搬入出口２が設けられると共に、高圧流体やその原料流体を供給する流体供給ライン２３１、処理容器内１の高圧流体を排出する流体排出ライン２３９が接続されている。基板保持部２は基板Ｗを保持した状態で処理容器１の内部に配置され、樹脂製の筒状体６は、基板保持部２に保持された基板Ｗにおける、板面を含むこの基板Ｗの周囲を囲むように、当該基板Ｗと処理容器１の内壁面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥処理装置のチャンバーにおける配管の引き回し施行の簡略化と、装置の構造の簡素化を図ることにある。
【解決手段】隔壁部１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な１乃至複数の基板ｐを収容する減圧チャンバー室Ａと、該チャンバー室Ａ内に装備され収容する前記１乃至複数の基板ｐを載置する可動式又は固定式の加熱用プレートＣと、隔壁部２１にて大気と隔離して密封状態を保持可能な加圧チャンバー室Ｂとを備え、前記減圧チャンバー室Ａと加圧チャンバー室Ｂは、互いに近接位置に隣接して開閉する密閉シャッタ部２５にて区画され、該密閉シャッタ部の開動作による連通状態と閉動作による互いに独立した密封状態とを保持可能であり、前記密閉シャッタ部２５を閉鎖して減圧チャンバー室Ａ内の基板ｐの減圧乾燥を行い、開放して減圧チャンバー室Ａ内を大気圧に戻すことができる。 （もっと読む）

【課題】蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法において、被乾燥物に付着した水分中や溶剤中に不純物が含まれていても、シミが発生しにくくなるようにする。
【解決手段】溶剤蒸気４Ａを供給する蒸気源３と、被乾燥物Ｗを搬入および搬出する開口部２ａを有し開口部２ａの下方に蒸気源３から供給された溶剤蒸気４Ａを充満させて蒸気充満領域Ｖを形成する乾燥槽２と、被乾燥物Ｗを乾燥槽２の内外にわたる搬送路Ｍに沿って搬送する搬送機構７と、搬送機構７によって乾燥槽２に搬入された被乾燥物Ｗを、溶剤蒸気４Ａの温度以上であって溶剤蒸気４Ａとは異なる加熱源によって加熱する加熱部８と、を備える蒸気乾燥装置１を用いて乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】流体収容部の加熱及び冷却を速やかに行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプ２１の周囲にスパイラル管４を設け、前記ハロゲンランプ２１とスパイラル管４との間に、ハロゲンランプ２１を覆うように、ハロゲンランプ２１の熱線を透過する材料により構成された筒状体５を設ける。また、スパイラル管４に向けて冷却液を供給する冷却液ノズルを設ける。スパイラル管４はハロゲンランプ２１により速やかに加熱され、冷却液を直接供給されることにより速やかに冷却される。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板の前端面が高温加熱プレート１０の上流側端部を通過するときに、基板を高速で搬送する。その後、基板を低速で搬送し、基板の後端面が高温加熱プレート１０の下流側端部を通過するときに、再び基板を高速で搬送する。基板の前端面および後端面は、高温加熱プレート１０の上流側端部および下流側端部を、それぞれ迅速に通過する。このため、高温加熱プレート１０から基板の前端面および後端面に与えられる熱量が、抑制される。その結果、基板の熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや稼働コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることができ、また、装置のメンテナンスを容易に実行することが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 移動支持部を構成する整流板４１と接続する一対の仕切板４７に連結された１０本の支持棒３１およびその支持棒３１に配設された支持ピン３２を、一対のスライドレール７１の作用により、メンテナンス位置に移動させる。そして、扉部６２を側壁６１から取り外すことにより、オペレータがメンテナンス空間にアクセスすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや可動コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 乾燥ゾーン２１を有するチャンバー２４と、乾燥ゾーン２１内において複数の基板１００を上下方向に多段状に支持する支持ピン３２と、チャンバーにおける搬入・搬出領域に配設された整流板４１と、乾燥ゾーン２１における整流板４１とは逆側に配設された複数の排気口を有する仕切板４７と、均圧ゾーン２２と、均圧ゾーン２２を介して整流板４１における排気口から排気を行うための排気管２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の端部領域におけるレジスト表面難溶化層の剥離及び再付着で生じるスジ状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】基板１の板厚中心に位置する中央面を含む仮想平面１ｂより上方に位置する上方吹き出し部２ａから、基板を乾燥させるための第１の気流４を基板に向けて斜め下向きに供給し、かつ仮想平面より下方に位置する下方吹き出し部２ｂから、基板を乾燥させるための第２の気流５を基板に向けて斜め上向きに供給しながら、基板が上方吹き出し部と下方吹き出し部との間を、端部領域を基板先頭部として通過するように、上方及び下方吹き出し部と、基板と、を相対移動させる。第２の気流の仮想平面と垂直な上向きの速度成分が、第１の気流の仮想平面と垂直な下向きの速度成分より小さくなるように第１及び第２の気流を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の原料収容部４１では加熱機構４２により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路４１１の供給用バルブ４１２を開いて処理容器３１に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Ｗの乾燥を行う。第２の原料収容部４１は、第２の冷却機構４３ａ、４３ｂにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ４１２を開き、原料回収路処理容器３１内の高温高圧流体を当該第２の原料収容部４１に回収する。回収された原料は第１の原料収容部４１から処理容器３１に供給される原料として再利用される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の被乾燥物表面の水分を効率よく、かつ、再現性良く除去し、被乾燥物へのパーティクルの付着、および、ウォータマークや乾燥不良の発生を抑制することができ、且つ、装置のセットアップを容易に行うことのできる蒸気乾燥装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、水で洗浄された被乾燥物を有機溶剤の蒸気中に曝し、前記被乾燥物の表面で前記蒸気を凝縮させることにより、前記被乾燥物の表面に残留する水分を前記有機溶剤で置換した後に、前記被乾燥物の表面の前記有機溶剤を揮発させることによって、前記被乾燥物を乾燥する蒸気乾燥方法に用いられ、前記被乾燥物および前記蒸気を収容する処理槽と、該処理槽内に設置され、前記蒸気を前記被乾燥物の表面に導入するための孔を有する蒸気導入部材とを備えることを特徴とする蒸気乾燥装置である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を抑制することができる基板乾燥方法、制御プログラム及び基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】基板乾燥装置１は、リンス液ノズル２０と、乾燥気体ノズル３０と、リンス液ノズル２０及び乾燥気体ノズル３０を移動させる移動機構４０と、基板Ｗを回転させる回転機構１０と、制御プログラムがインストールされた制御装置５０とを備える。制御装置５０の制御プログラムで実行される基板乾燥方法は、乾燥気体流Ｇｆが基板Ｗに衝突する範囲に基板Ｗの回転中心Ｗｃが存在する範囲である中心エリアを乾燥させる工程と、中心エリアの外側を乾燥させる工程とを備える。乾燥気体流Ｇｆに含有するＩＰＡが、中心エリア乾燥工程中は２ｍｏｌ％未満を維持し、外側エリア乾燥工程では中心エリア乾燥工程中よりも高濃度とする。これで、遠心力が小さい中心エリアで欠陥の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面及び裏面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、マスク用基板３の側面３ｃ、３ｄを保持する保持部としての基板チャック１４と、マスク用基板３の処理対象面に処理液５を吐出する処理液吐出部１２６と、マスク用基板３に吐出した処理液５に向けて気体４を吐出し、処理液５をマスク用基板３から分離させる気体吐出部１２２と、を備えて概略構成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱体の劣化を防止しつつ、流体の加熱効率を高めた流体加熱装置およびそれを用いた基板処理装置を提案する。
【解決手段】非磁性材料より成り内部空間内に流体が給送される配管５と、配管５の外側に巻回される誘導加熱コイル６と、磁性材料より成り誘導加熱により発熱される発熱体７とを具備してなり、誘導加熱コイル６に高周波電流を流して発熱体７を発熱させ、発熱された発熱体７により配管５内を流れる流体を加熱する流体加熱装置において、配管５は、内部中空を有する筒状の本体部５０と、本体部５０の軸中心Ｃ上に沿って内部空間の中途部まで延出されるとともに、本体部５０の内部空間と区画されかつ外部空間と連通される収容部５１とが設けられ、発熱体７が収容部５１に収容されて配設される。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上に貢献すると共に、大気雰囲気にパターンを露出せずに超臨界流体による処理を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄槽２１は、基板Ｗを収容し、洗浄液を通流させて当該基板Ｗを洗浄し、処理容器２２は、この洗浄槽２１を収容し、前記基板Ｗに対して超臨界流体による処理を行う。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を使用することなく、目視不可能な程度に薄い液膜や微小な液滴を含めて、濡れた基板表面から液体を残留させることなく迅速かつ完全に除去して、ウォーターマークの生成を最小限に抑えることができるようにする。
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル２８と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル２８で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル４４と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル４４から乾燥ガスを吹き付ける。 （もっと読む）

本発明の目的は、乾燥時間が短く、染みなどが発生せず、ＩＰＡを使用しないことにより、火事の危険性を低減し、有機汚染が発生しないようにする真空乾燥機およびこれを用いた乾燥方法を提供することである。本発明は、蓋部分にディスペンサノズルが形成され、下部にガスが排出される排出口が形成されている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に位置し、複数のウエハまたはディスクが配列されるようにするスタンドと、真空チャンバ内において前記スタンドと前記排出口との間に位置し、複数のホールが形成されているパンチングプレートとを備える乾燥機と、これを利用した乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥を用いた光学素子の製造方法において、基板面内での膜厚ムラ（ばらつき）を抑制するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】給気口１０と排気口１１を具備した減圧乾燥装置において、基板１を支持するステージ３上部に、基板１に対する角度を変更可能な変速板１２を取り付ける。この装置により、基板１上の流速分布が、排気口１１に近づくにしたがって大きくなる分布となり、この結果、基板１上部の溶媒蒸気濃度を場所によらず、かつ時間によらず一定とすることができる。このため、乾燥状態が基板１全面にわたって同一となるため、膜厚ムラの少ない光学素子を得ることができる。 （もっと読む）