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Fターム[5F157AC53]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 多槽(室) (264) | 複数の工程 (177) | 洗浄と乾燥 (36)

Fターム[5F157AC53]に分類される特許

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【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するフレーム支持工程と、商用交流電源と、該商用交流電源の交流電圧を高圧交流電圧に変換する電圧変換器と、該高圧交流電圧の周波数を調整する周波数調整器と、該周波数調整器に接続された複数の放電端子を備えた放電器とから構成される放電手段の該放電器を該粘着テープの下方に位置付けて放電し、該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する放電工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より簡易な構造で安全性を確保することができる処理装置を提供することである。
【解決手段】発火及び爆発に対する所定の安全対策の施された設備が配置され、引火性のある処理液を用いて所定の処理が行われる処理室と、該処理室とは隔離されつつ一体となり、電気設備及び前記処理室にて用いられる前記処理液の通路が配置された遮蔽室とを備えた処理装置であって、前記遮蔽室内から気体を導出する気体導出手段と、該気体導出手段にて導出された気体のガス濃度を検出するガス濃度検出手段とを有する構成となる。 (もっと読む)


【課題】チャックテーブルに侵入した数μmの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される2流体洗浄水820aを高圧噴射する構成とすることにより、数μmほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー83と、飛散防止チャンバー83においてチャックテーブル2の上面2a又は被加工物Wの表面Wa上で飛散するミスト820bを外部へ排出する排出手段84とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー83の側壁830の下端がチャックテーブル2の上面2a又は上面2aに保持された被加工物Wの表面Waと所定の隙間C1をもち、チャックテーブル2の上面2a上又は被加工物Wの表面Wa上に形成された洗浄水層87により隙間C1が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の上端部に付着した水が被処理基板表面を流れることを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、洗浄槽52内に収容された洗浄液DIWに被処理基板Wを接触させて洗浄処理する。次に被処理基板Wを洗浄槽52内から乾燥室10内に移動し、乾燥室10内の被処理基板Wの上端部Tを加熱装置13によって乾燥する。その後、乾燥室10内の被処理基板Wに向けて乾燥ガスG1を供給することにより、乾燥ガスG1を被処理基板Wに接触させ、被処理基板W表面の洗浄液DIWを除去する。 (もっと読む)


【課題】IPA等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Wの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Wの表面と近接した位置に近接板16を該基板Wの表面に対向させて平行に配置して、基板Wの表面と近接板16との間に該基板Wの表面及び該近接板16にそれぞれ接する連続した被覆液膜28を形成し、基板Wと近接板16とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜28の基板Wの表面に対する位置を変更させることで、基板Wの表面の近接板16で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜28を基板Wの表面から除去する。 (もっと読む)


【課題】たとえCMP後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、簡素な構成の基板搬送装置等を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の搬送トレイ50は基板を保持する底板511、521と、その周囲に設けられた側周壁512、522とから構成されると共に、底板511、521には基板の受け渡しを行う相手である昇降部材が通過するための開口部53が設けられている。さらに搬送トレイ50には、開口部53内の昇降部材を搬送トレイ50の外側に通り抜けさせる空間54が一時的に形成されると共に、基板の搬送時には搬送トレイ50内に液体が溜められ、基板の上面側が当該液体に接した状態で基板を搬送する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板が処理されるべき基板処理容器のチャンバーの容積を小さくすることができ、また、被処理基板の搬送にかかる時間が長くなってしまうことを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、被処理基板Wが収容されるチャンバー30aを内部に有する基板処理容器30と、基板処理容器30に対して被処理基板Wの受け渡しを行う第1搬送ユニット40と、第1搬送ユニット40への被処理基板Wの受け渡しおよび第1搬送ユニット40からの被処理基板Wの受け取りを行う第2搬送ユニット14とを備えている。第1搬送ユニット40は、被処理基板Wの上面に接触することなく当該被処理基板Wを上方から保持する非接触式のものである。第2搬送ユニット14は、被処理基板Wに接触することにより当該被処理基板Wを保持する接触式のものである。 (もっと読む)


【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、基板(2)を処理するための基板処理部(21)と、基板(2)を処理する処理流体を基板処理部(21)に供給するための処理流体供給部(22)と、噴霧ノズル(48,49)から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部(21)より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部(23)とを設けることにした。また、前記排気処理部(23)は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板(52、53、54)を設けることにした。 (もっと読む)


【課題】簡単にしかも低コストでウォータマークの発生を少なくできる洗浄・乾燥条件の選択を可能とした半導体ウェハと半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウォータマークの検出を容易にしたTEGとしての半導体ウェハとして、同じパターンの繰り返しが第1方向に並ぶ第1ウォータマーク検出パターンを含む第1領域と、同じパターンの繰り返しが上記第1方向と直交する第2方向に並ぶ第2ウォータマーク検出パターンを含む第2領域とを設ける。上記半導体ウェハを用いてウォータマークが最も少なくなる洗浄・乾燥条件を探し出して、その洗浄・乾燥条件により実際の回路機能を持つ半導体集積回路を形成する半導体ウェハの洗浄・乾燥を行う。 (もっと読む)


本発明の実施形態は概して、半導体基板を研磨プロセス後に洗浄する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、加圧流体を使用して基板を洗浄する装置及び方法に関するものである。本発明の一実施形態は、基板を略垂直な姿勢で支持し、回転させる2つのローラと、押圧力を加えて、前記基板を前記2つのローラに係合させる圧力ホイールと、加圧流体を前記基板に向けて放出するように構成される揺動ノズルと、を備える。
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【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハWを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート5は、ウエハの下端部を支持する下側保持体20と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体30とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝21を有する保持溝部22と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝23を有する転倒防止溝部24と、を一体に形成してなる。 (もっと読む)


【課題】乾燥処理中における基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液処理エリアCAの上方に設けられた乾燥処理エリアDAにおいて、ウエハWに対して乾燥処理が施される。最終リンス処理が終了すると、回転部材昇降機構87が駆動されて、基板保持部材4に保持されたウエハWが薬液処理位置から乾燥処理位置(図に示す位置)まで上昇される。乾燥処理時においては、CDAバルブ29が開かれて、CDAユニット26の吐出口およびCDAノズル109から、下方に向けてCDAが吐出される。これにより、乾燥処理位置に位置するウエハWの表面に、FFU2の吐出口からのクリーンエアおよびCDAが上方から吹き付けられる。 (もっと読む)


【課題】ウエハの剥離面を劣化させることなく、ウエハを支持する支持板をウエハから剥離する処理を実現する支持板剥離装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る支持板剥離装置は、薄化されたウエハからウエハを支持する支持板を剥離させて、ウエハの剥離面を洗浄液で洗浄した後、当該剥離面に残留する接着剤を除去する除去手段を備えていることを特徴とし、洗浄液では除去しきれなかったウエハの剥離面の接着剤を除去し、剥離工程を良好に完了させることができる支持板剥離装置である。 (もっと読む)


【課題】トッププレートで基板の上方を覆う基板処理装置において、基板処理装置の小型化や処理能力の向上を図るとともに、基板を良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置において、基板の下方に回動自在に配置され、前記基板を保持するターンテーブルと、前記ターンテーブルを回転させる回転駆動機構と、前記基板の上方に回動自在に配置され、前記基板の上方を覆うトッププレートと、前記ターンテーブルと前記トッププレートとの間に形成された処理流体流路に処理流体を供給する処理流体供給手段と、前記処理流体流路を挟んで前記ターンテーブル及び前記トッププレートそれぞれに非接触状態で引き合うように設けた磁石とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置1の液処理部2において洗浄槽6に貯留された洗浄液に基板Wを浸す。また、乾燥処理部3においてチャンバー5を内部に形成するチャンバー壁60を加熱する。チャンバー壁60を加熱した後、チャンバー5内に流体のミストを供給する。チャンバー5内に流体のミストを供給した後、基板Wを洗浄槽6からチャンバー5内まで移動させる。そして、基板Wを内側槽30からチャンバー5内まで移動させる間に、または基板Wを移動させた後に、チャンバー5内に乾燥ガスを供給し、基板Wの乾燥を行う。 (もっと読む)


チャンバー内の均一な流体流れのための流体分配ネットワークを備えたチャンバーを提供する。チャンバーは、第1の面及び反対の内面を有する第1のチャンバー壁を含む。前記第1の面には、第1の組のチャンネルが形成され、内面はチャンバーの内部に曝され、かつ、複数の第1の組のチャンネルに接続された複数の内部ポートを含む。チャンバーは、また、第2の面及び反対の外面を有する第2のチャンバー壁を含む。第2の面は、第1の面が第2の面と合わされたときに、第1の組のチャンネルに部分的に交差する第2の組のチャンネルを有する。外面は、また、第2の組のチャンネルへの出入口を提供する、少なくとも一つの外部ポートを含む。 (もっと読む)


【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット23においてチャンバー壁39を加熱する。そして、チャンバー壁39の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット23のチャンバー23a内に供給することによりチャンバー23a内にある加熱されたN2ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる。そして、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる間に、またはウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させた後に、チャンバー23a内に乾燥ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ531は、鉛直方向に延びるブラシ軸540を有する。ブラシ軸540の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材542が取り付けられ、緩衝部材542の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材543が取り付けられている。緩衝部材542および洗浄部材543の下端部はブラシプレート541に固定されている。ブラシプレート541上における洗浄部材543の外側の領域には、環状の洗浄部材544が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材543として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材542および洗浄部材544として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。 (もっと読む)


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