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Fターム[5F157AC56]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 多槽(室) (264) | 複数の工程 (177) | 洗浄とすすぎと乾燥 (85)

Fターム[5F157AC56]に分類される特許

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【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記遮蔽扉(33)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(36)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽4に運び、このフッ酸槽4内でHF溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽5に運び、この純水リンス槽5内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置6に運び、この乾燥装置6内でウェハーを乾燥させる。このように、HF溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽2に運び、このアルカリ槽2内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽3に運び、純水リンス槽3内でウェハーをリンスする。 (もっと読む)


【課題】着脱性やメンテナンス性に優れ、梁型のノズル保持機構が無くても撓まない長尺型の処理液吐出ノズルを提供すること。
【解決手段】この処理液吐出ノズル64に取り付けられるたわみ補正機構74は、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間点PM1,PM2で補強面68aに突出して設けられる第1および第2の中間ジョイント部78,80と、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間ジョイント部78,80の間たとえば長手方向の中心点PCで補強面68aに突出して設けられる中心ジョイント部76と、中心ジョイント部74と第1の中間ジョイント部との間に架け渡される第1の連結棒80と、中心ジョイント部78と第2の中間ジョイント部80との間に架け渡される第2の連結棒84とを有している。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ210と、チャンバ210の内部を加熱するヒータ212と、チャンバ210に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ210から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ210を回転させる回転部270と、を備えている。回転部270は、チャンバ210を水平方向に対して90°以上180°以下回転させる。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 (もっと読む)


【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも2つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第1の回転軸の周りを回転する第1の回転部と、前記第1の回転部から第1の方向に離間して配置され、前記第1の回転軸と平行な第2の回転軸の周りを回転する第2の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第1の回転部の回転により、前記少なくとも2つの処理部が前記第1の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第1の方向と直交する第2の方向に移動できるように前記第1の回転部及び前記第2の回転部に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ41と、スポンジ41に処理液を供給する貯留槽40と、基板Wを保持する基板搬送ロボット21とを含む。基板搬送ロボット21は、スポンジ41と基板Wとを相対移動させてスポンジ41と基板Wの下面とを接触させることにより、スポンジ41に吸収されている処理液を基板Wの下面に供給させる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に液処理することができる2流体ノズルや同2流体ノズルを用いた基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、第1の液体を吐出する第1の液体吐出口(45)と、気体を吐出する気体吐出口(47)とを有し、第1の液体吐出口(45)から吐出した第1の液体と気体吐出口(47)から吐出した気体とを外部で混合して被処理体(基板2)に向けて混合流体(52)を噴霧する2流体ノズル(34)において、被処理体(基板2)に噴霧された混合流体(52)の被処理体上での外縁部に第2の液体を供給するための第2の液体吐出口(53)を有することにした。 (もっと読む)


【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)の周縁を保持する保持プレート(30)と、基板を下方から支持するリフトピン(22)を有するリフトピンプレート(20)と、保持プレートを回転させる回転駆動部(39)と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管(40)と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル(60)と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構(44,46,50,52)を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口(61)を有する。 (もっと読む)


【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを7.35kPa以下の第1の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第1の洗浄工程と、ロールブラシを7.35kPaよりも高い第2の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第2の洗浄工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Wfに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にHFEを残留させる。その後、HFEは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Wfを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のHFEが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Wf等の領域を洗浄することができる。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板12を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板12を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板12の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板12を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段9と、それに設けられる観察窓10と、観察窓10から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の1/10以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、処理液を貯留して、複数の基板Wを処理する処理槽11と、処理槽11に対して昇降自在に設けられ、基板Wを保持して処理液に浸漬させる基板保持部12とを有する処理部10と、処理部10の上方に設けられ、処理槽11に気体を供給する気体供給部40と、基板の空き状態を検出する検出部70とを備えている。処理槽11を収容する収容ケース30の下部に、気体供給部40から供給された気体を排気する排気部31が設けられている。制御部60は、検出部70により検出された基板Wの空き状態に基づいて、気体供給部40から排気部31に流れる気体の流量調整するように、気体供給部40および排気部31を制御する。 (もっと読む)


【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第1処理液を前記被洗浄物にかける第1ステップ(S3)と、該第1ステップの後に、前記第1処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第2処理液を前記第1処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第2ステップ(S4)とを有し、第1処理液での洗浄の後に、該第1処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第2処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第1処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第2処理液による洗浄を行うことができるようになる。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器31内では、被処理基板Wが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器31より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器31から排出して当該処理容器31内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Wを乾燥する。 (もっと読む)


【課題】基板の被洗浄面の半径方向に沿った各位置(領域)における洗浄強度を考慮して、基板の全被洗浄面をより均一な洗浄強度でスクラブ洗浄できるようにする。
【解決手段】ロール状洗浄部材24の外周面を回転中の基板Wの被洗浄面に所定の接触幅で接触させて該被洗浄面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法であって、洗浄部材24によるスクラブ洗浄中の全過程の少なくとも一部において、洗浄部材24の軸線Oが基板Wの回転中心線Oから接触幅の0.14〜0.5倍離れたオフセット洗浄位置に該洗浄部材24を配置してスクラブ洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Wに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤106を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液103を供給するか、又はUV光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部45と、ノズル部45に処理液を供給する供給系70とノズル部45とを接続する供給流路68aを絞る絞り部132aと、絞り部132aの両側の供給流路68a内の圧力を計測する圧力計測部132bと、供給流路68a上に設けられた流量制御弁133と、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。流量制御部134は、第1の流量F1で処理液を供給するときは、絞り部132aの両側の圧力差に基づいて流量制御弁133を制御し、第1の流量F1よりも小さい第2の流量F2で処理液を供給するときは、絞り部132aの片側の圧力に基づいて流量制御弁133を制御する。 (もっと読む)


【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 (もっと読む)


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