【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに温水を供給して基板Ｗを温め、カロ酸の固体３０９を保持した酸化剤保持ヘッド３を基板表面Ｗｆに対し走査移動させる。基板表面Ｗｆとカロ酸固体３０９との界面にはカロ酸が融解してなる液体層３０９ａが形成され、基板表面Ｗｆに付着したレジスト膜を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング部位に汚染を生じることなく、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供すること。該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を有するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部のアスペクト比が５以上であり、該クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が１．０×１０^８個／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される（ａ）エーテル型非イオン界面活性剤０．３〜３重量部および（ｂ）水（（ａ）との合計量１００重量部中残部）からなるものとする；
Ｒ−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ ・・・（１）
但し、式（１）中、Ｒは炭素数８〜２４の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基を示し、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、１〜１００である。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴わずに異なる種類の研磨加工を実現可能な研磨工具、研磨装置および研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】研磨工具４３の研磨面は、第１の研磨パッド４５によって形成され、ワークの被研磨面の外形以上の大きさを有する中央研磨面と、第２の研磨パッド４６によって形成され、中央研磨面の外周を囲繞する外周研磨面とで構成される。そして、中央研磨面と外周研磨面とが段差を形成して外周研磨面が中央研磨面から突出しており、研磨工具４３は、全体として内側が窪んだ断面視凹型形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】実質的に粘着力を有さないクリーニング層を備えるクリーニング機能付搬送部材であって、搬送性能に優れ、エッジ付近を含むチャックテーブル全面にわたって均一に異物除去性能に優れ、さらに、ウェハのハンドリング部であるウェハエッジ部分付近への異物付着や汚れ付着が効果的に防止でき、機械式固定方式におけるウェハ接触部への異物付着や汚れ付着が効果的に防止できる、クリーニング機能付搬送部材を提供する。また、そのようなクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクリーニング機能付搬送部材は、クリーニング層を有するクリーニング機能付搬送部材であって、該クリーニング層は実質的に粘着力を有さず、該クリーニング層は、搬送部材の一方の面の全面と、搬送部材のエッジ部分と、搬送部材のもう一方の面の一部とを連続的に覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質を、プラズマエッチングを行うことなく、安価且つ簡便に除去できるようにした静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート３の表面にダミー基板６を吸着した状態で、ダミー基板６を加熱又は冷却してクリーニングを行う。ダミー基板６のチャックプレート３に対する接触面６ｂの硬度を、被処理基板の硬度よりも高く、チャックプレートの硬度よりも低くする。チャックプレートが窒化アルミニウム製であり、被処理基板がシリコンウエハである場合、前記接触面６ｂは窒化シリコンで形成される。ダミー基板６を加熱又は冷却すると、ダミー基板６とチャックプレート３との熱膨張差により、チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質Ｓがダミー基板６で擦り取られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後、次工程へ搬出可能な研削装置等の加工装置を提供することである。
【解決手段】 外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、回転可能な保持テーブルを有し、半導体ウエーハのマークを検出して半導体ウエーハを所定の向きに位置付ける位置合わせ手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄装置を備えている。洗浄装置は、ウエーハの洗浄及びスピン乾燥後にスピンナテーブルへの搬入時と同一位置にスピンナテーブルを停止させた後、搬出手段でウエーハを次工程へ搬出する。 （もっと読む）

【課題】ブラシに付着した異物を十分に除去し得るブラシの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄に用いられたブラシ１４を洗浄槽２２内に貯留された洗浄液４４に浸漬し、洗浄液に超音波振動を印加するステップと、ブラシを洗浄槽内に設けられた洗浄用基板２４に接触させながら回転させるステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】搬送ユニット（３５）の吸引部（３６）によりウェーハ（２０）の裏面（２２）が吸引されるときに、ウェーハの表面（２１）に貼付けられた保護フィルム（３）を洗浄する第一洗浄手段（５０）と、ウェーハを吸引していないときの搬送ユニットの吸引部を洗浄する第二洗浄手段（６０）と、第一洗浄手段を第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段（４６）とを具備するクリーニング装置（４０）が提供される。第一洗浄手段の第一洗浄部材（５５）はスポンジまたはブラシであり、第二洗浄手段の第二洗浄部材（６５）は砥石であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理テーブルや基板搬送系に付着している種々の大きさの異物を簡便かつ確実に除去するクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、シリコンウェハのミラー面搬送による異物捕集能力とは異なる異物捕集能力を有するクリーニング部材を搬送すること、および、該クリーニング部材の搬送の後、シリコンウェハのミラー面搬送を行うことを含む。好ましくは、異物捕集能力は、異物の大きさにより規定される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に故障が発生した場合、特に重大な故障でない限り、装置全体を停止させることなく、基板に対する一部の処理を継続して、基板を洗浄・回収したり、装置内の基板を容易に外部に排出したりすることで、基板が処理不能となるリスクを低減できるようにする。
【解決手段】研磨部３、洗浄部４及び搬送機構７，２２を有する基板処理装置の運転方法であって、研磨部３、洗浄部４及び搬送機構７，２２のいずれかで異常を検知した際に、異常を検知した場所及び基板の基板処理装置内の位置によって基板を分類し、異常検知後における基板に対する処理を分類した基板毎に変えて行う。 （もっと読む）

【課題】表面荒れや欠陥、または汚染源となる不要な付着材などの発生した基板の周縁部を効率良くかつ効果的に処理すること。
【解決手段】基板の周縁部における基板面の処理を行う基板の周縁部の処理方法であって、前記基板の周縁部の表面状態をモニタする表面状態モニタ工程と、前記基板面の処理を実行するための条件であって前記基板面の処理の必要性の有無を含む基板面処理条件を、前記表面状態のモニタ結果に基づいて決定する処理条件決定工程と、前記基板面処理条件に基づいて、前記基板面の処理の必要性がある場合に前記基板の周縁部に対して前記基板面の処理を実行する基板面処理工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クリーニング搬送部材を用いて基板処理装置をクリーニングする方法であって、該クリーニング搬送部材は、被着体に対して必要な粘着力を有し、クリーニング部位に汚染を生じることなくサブミクロンレベルの異物も除去でき、耐熱性に優れ、高温下でも十分な粘着力と凝集力を発揮し、使用後に被着体から引き剥がす際に被着体に糊残りを生じることなく容易に剥離する事が可能であり、使用後に再利用することが可能である、基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、クリーニング搬送部材を用いて基板処理装置をクリーニングする方法であって、該クリーニング搬送部材は搬送部材の表面に該表面からの仰角が９０度未満で突出したアスペクト比が１以上の斜め柱状構造体の集合層を備え、該クリーニング搬送部材を清浄処理した後に用いる。 （もっと読む）

破片除去の方法が提供される。その方法は、基板上の一つの破片の近傍にナノメートルスケールのチップを位置付けることを含む。その方法はまた、その一つの破片をそのチップに付着させることを含む。更に、その方法はまた、そのチップをその基板から遠ざけることによって、その一つの破片をその基板から除去することを含む。高アスペクト構造における破片除去。
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【課題】銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 （もっと読む）