【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第１の移動速度と基板の第１の回転速度とを決定する予備工程Ｓ５１、Ｓ５２と、基板の周縁領域より中心側で第１の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第１の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程Ｓ５３と、基板の周縁領域より中心側で基板の第１の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第１の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程Ｓ５４と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程Ｓ５６と、を含む基板洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】隣接するブラシ毛同士の熱融着を防止し、合成繊維からなるブラシ毛に粒子を適切に熱融着したブラシ、ブラシの製造方法、クリーニングシステム、化学物質処理システムおよび電子写真装置を提供する。
【解決手段】ブラシ毛１２はポリエステル等からなり、芯部１２ａと鞘部１２ｂとを有する芯鞘構造を備え、芯部１２ａの融点が鞘部１２ｂの融点よりも高い。ブラシ毛１２を鞘部１２ｂの融点よりも高く芯部１２ａの融点よりも低い温度にて加熱することにより、鞘部１２ｂの少なくとも一部にはブラシ毛１２の繊維径に対して４０％以下の平均最大径を有する粒子１３が鞘部１２ｂから少なくとも一部が露出するように熱融着されている。ブラシ毛１２の総本数のうちの少なくとも７０％以上の本数の各ブラシ毛１２には、熱融着された粒子１３がブラシ毛１２一本当りの表面積の少なくとも５０％以上に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ブラシの回転により残渣を除去する方法において、柔らかい材質で構成されたブラシ用いて残渣を十分に除去できる残渣除去装置及び残渣除去方法を提供する。
【解決手段】基板に残存した異方性導電膜の残渣を除去する残渣除去装置であって、残渣に当接して所定の駆動力を受けて回転し、残渣に当接する部分が植物樹脂で構成されるブラシと、残渣を除去するための圧力を、ブラシと残渣との当接部分に加える加圧手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板７を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部８を形成し、一括封止部８および多数個取り基板７をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部８の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板７の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 （もっと読む）

【課題】疎水性ウェーハを洗浄する優れた方法および装置を提供する。
【解決手段】疎水性ウェーハを洗浄するために界面活性剤を使用する方法および装置が提供される。第１の態様では、本方法は、純ＤＩ水をウェーハへ供給することなくウェーハを洗浄および乾燥することができる。第２の態様では、本方法は、界面活性剤溶液がウェーハからリンスされると直ちに、またはその前にＤＩ水の供給が停止するように、短い時間だけ純ＤＩ水をウェーハへ供給することによってウェーハを洗浄することができ、その後、ウェーハが乾燥される。別の態様では、疎水性ウェーハは、洗浄装置間で移送される間、界面活性剤で湿潤されたままであり、希釈界面活性剤により、または短時間のＤＩ水の噴霧によりリンスされた後、乾燥される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面に残存するナノパーティクルを効率的に除去するとともに、パーティクルの再付着や凝集を防止するために洗浄液の排出を促進することのできる洗浄加工布を提供する。
【解決手段】洗浄加工布は、単繊維の数平均直径が１〜１０００ｎｍであり、撚数が１０００Ｔ／Ｍ以上で撚糸されたマルチフィラメントの織物または編物からなる洗浄層１がクッション材３と積層一体化されなる積層体であり、その積層体のアスカーＣ硬度が７０以下の洗浄加工布である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基を２個以上有する有機酸あるいはその塩と、（Ｂ）水溶性（共）重合体（塩）と、（Ｃ）有機重合体粒子とを含有し、前記（Ａ）成分の含有量（Ｍ_Ａ）［質量］および前記（Ｃ）成分の含有量（Ｍ_Ｃ）［質量］は、Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｃ＝５〜２０の関係を有し、ｐＨの範囲が５〜７である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】テープかすなどの付着物の再付着を招くことなく、付着物を効率良く除去することができ、薄片化された半導体ウェーハの割れを確実に防止することができる付着物排出機構付きクリーナ及びそれを用いたチャックテーブルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを吸着するチャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している不要な付着物２０を除去する付着物排出機構付きクリーナ１であって、付着物２０を削り取る刃部７ａ及び削り取った付着物２０を捕捉する捕捉部６とを有するクリーナ本体２と、捕捉した付着物２０を吸引して排出する排出手段１０と、を備え、クリーナ本体２内には、チャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している付着物２０をクリーナ本体２内に進入させるための開口部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ブラシから異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシ１８およびブラシ洗浄液供給機構５３を備えている。ブラシ１８は、基板に接触する接触面４５,４６を外表面に有し、内方から接触面４５,４６に向けてブラシ洗浄液を供給するためのブラシ洗浄液導入孔４７が形成されている。ブラシ１８は、所定の基板処理位置で接触面４５,４６を基板に接触させて当該基板を洗浄する。ブラシ１８が前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置には、当該ブラシ１８を収容するための待機ポッド２１が設けられている。また、ブラシ洗浄液供給機構５３は、待機ポッド２１の底部５１に設けられており、ブラシ洗浄液導入孔４７にブラシ洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、処理液を吸引するための吸引ノズル７０が設けられている。吸引ノズル７０の先端部は、第１接触面３２と第２接触面３３との境界部分３４に対向する先端面７２と、第１接触面３２および第２接触面３３と当接する当接面７３とを有している。先端面７２には、吸引口７４が形成されている。吸引ノズル７０に接続された吸引管７６は、処理室２の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置６０に接続されている。真空発生装置６０が駆動されると、ブラシ１１の内部に含まれる処理液は吸引口７４に吸引され、ブラシ１１の内部に吸引口７４に向かう処理液の流れが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供する。
【解決手段】 洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１が、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１に付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー付きセラミックスブロックの表面とセラミックスブロック側のウェハー外周部に残留する油等の溶媒とダイヤモンド粉末を除去する洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置は、回転電動部を内蔵した洗浄機本体と、回転電動部の回転が伝達されるように洗浄機本体に取り付けられた回転ブラシ部と、回転ブラシ部に複数の整列体を形成するようにその中心から外周に向くように円弧状に植設されたブラシと、を有する。洗浄方法は、洗浄液に沈めたウェハーに洗浄装置を当てることにより、残留している溶媒とダイヤモンド粉末を除去する。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】
ウェーハを効率的に洗浄、枚葉化するとともに、ウェーハ表面の加工の際にウェーハに欠損や割れを生じさせない面取り機能つき洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
剥離洗浄部１０と端面研削部２０と洗浄収納部３０とが設けられた面取り機能つき洗浄装置１により、ウェーハＷの洗浄、枚葉化、端面研削、再洗浄を行う。 （もっと読む）