【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部１４１と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部１４２と、ウェハ洗浄部１４１とウェハ検査部１４２との間でウェハＷを搬送する搬送手段１４３を有している。ウェハ洗浄部１４１、ウェハ検査部１４２及び搬送手段１４３は、筐体１４０の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ノズルを十分清浄に洗浄でき、かつ、そのメンテナンスが容易なノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置を提供する。
【解決手段】 洗浄機構６０は、超音波振動子１５を収納するとともに、この超音波振動子１５を冷却するための冷却水１３を貯留する冷却水貯留部１１を備える。また、洗浄機構６０は、冷却水貯留部１１に貯留された冷却水１３中にその下面が浸漬された状態で配設され、その内部に溶液１４を貯留する溶液貯留部１２を備える。スリットノズル４１を溶液１４中に浸漬した状態で超音波振動子１５が超音波振動を発振した場合には、この超音波振動は、冷却水１３および溶液貯留部１２を介して溶液１４に伝達される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】除去処理体の処理部材で有効に除去処理できる有効除去範囲を拡大させて、基板処理装置での処理時間を短縮してスループットを向上させること。
【解決手段】本発明では、基板（２）の表面に処理部材（３８）を押圧した状態で基板（２）に対して相対的に移動しながら基板（２）の表面から除去対象物を除去する基板処理装置（１）、及び同基板処理装置（１）の処理部材（３８）、並びに基板処理方法において、処理部材（３８）は、円環状に形成され、所定の硬度を有する基準硬度処理部（４０）と、基準硬度処理部（４０）に隣接し、基準硬度処理部（４０）よりも硬度の低い低硬度処理部（４１，４２）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の洗浄エリアに基板の回転速度とロール洗浄部材の回転速度の相対速度がゼロとなる点（領域）が存在しても、基板の表面をその全域に亘ってより均一に洗浄できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの直径方向に沿って延びるロール洗浄部材１６を基板Ｗの表面に接触させつつ、ロール洗浄部材１６と基板Ｗを共に回転させて基板Ｗの表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、ロール洗浄部材１６及び基板Ｗの少なくとも一方の回転速度または基板の回転方向をスクラブ洗浄処理中に変更する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送時間を短縮することができる基板搬送装置における基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】メインロボットＭＲは、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂと、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂと、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂを移動させる上進退駆動機構２９と、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂを移動させる下進退駆動機構３０とを含む。メインロボットＭＲは、各基板保持ハンド１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂを用いて基板保持位置に対して基板を搬入および搬出することができ、複数の基板保持位置の間で基板を搬送することができる。 （もっと読む）

【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第１洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをＸＹ座標としてプロットした第１洗浄点までの第１距離を求め、第２洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第２洗浄点までの第２距離を求め、第２距離が第１距離よりも長いときに第２洗浄条件で基板を洗浄した方が第１洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 （もっと読む）

【課題】ロール洗浄部材の形状の最適化を図り、基板表面を高い洗浄度で効率的に洗浄して、基板表面に残存するディフェクト数を低減できるようにする。
【解決手段】表面に多数のノジュールを有し基板の直径のほぼ全長に亘って直線状に延びて基板表面との間に洗浄エリアを形成するロール洗浄部材と基板とを共に一方向に回転させつつ、ノジュールと基板表面とを互いに接触させて該表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、洗浄エリア（長さＬ）上のロール洗浄部材１６と基板Ｗの相対回転速度が相対的に低い順方向洗浄エリア（長さＬ_ｆ）では、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対回転速度が相対的に高い逆方向洗浄エリア（長さＬ_ｉ）よりも少ない面積でノジュール１６ａと基板Ｗの表面とを互いに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置２は、処理されるウエハＷと同じ外形のベース４００と、ベース４００の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ４０２と、ブラシ４０２を動かす駆動源の振動発生装置４０４とからなり、ハンド１１上で清掃装置２の振動発生装置４０４が振動してブラシ４０２が振動し、ハンド１１のウエハ支持部材８１の支持面８６ａを清掃する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに温水を供給して基板Ｗを温め、カロ酸の固体３０９を保持した酸化剤保持ヘッド３を基板表面Ｗｆに対し走査移動させる。基板表面Ｗｆとカロ酸固体３０９との界面にはカロ酸が融解してなる液体層３０９ａが形成され、基板表面Ｗｆに付着したレジスト膜を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を１個以上有するアミン（Ａ１）、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上のアミン（Ａ）、２〜５個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも２個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつＨＬＢが１５〜４０であるポリフェノール化合物（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）、並びに水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に非接触で基板を搬送し、基板を高速かつ安定的に移動させながら、基板の汚染やローラー痕の生成なく、基板の上下両面又は下面のみに処理を行う、非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の上面と下面の両方又は下面のみに、水による洗浄処理、薬液による化学的処理、水によるリンス処理又は空気、窒素ガスといった気体による乾燥処理のいずれかの処理を行う、複数の基板処理ユニット７、８、９を備えてなる基板処理装置が、基板１の下面に向かって水、薬液、空気、窒素ガスといった流体を噴出して、基板１を浮上させ、基板１の下面に非接触でその位置を保持する、複数配置された基板浮上ユニット１０と、基板１の左右両側のエッジ部に水平方向から接触して、基板１を移動させる複数配置された搬送ローラー１２を有する基板搬送ユニットと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、周縁部にベベルが形成され、周縁部の状態が径方向で異なっている基板を回転可能に保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持されている基板を回転する基板回転機構と、基板保持機構に保持されている基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、洗浄時に基板の周縁部に接触する周縁部洗浄部２１ｃを有するブラシ２１と、周縁部洗浄部２１ｃを基板の周縁部に押しつける押しつけ機構とを有する洗浄機構とを具備する。周縁部洗浄部２１ｃは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分５２を有し、状態変化部分５２は、径方向に沿って、高さが変化するとともに、径方向に沿って複数の部分５４ａ〜５４ｃに分割されており、隣接する部分間で高さが異なっている。 （もっと読む）

【課題】表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去し、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去する。
【解決手段】処理装置は、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０を備えている。処理装置は、周縁部の一方の面に加わる押圧力を調整する第一調整機構１０と、周縁部の他方の面に加わる押圧力を調整する第二調整機構２１，２５と、をさらに備えている。第二洗浄機構４０は、周縁部の他方の面に当接可能であり、横断面の中心部が硬質部からなり、中心部の周りを囲む外周部が硬質部よりも軟らかい軟質部からなる第二洗浄部を有する。被処理体Ｗの周縁部を洗浄する際、硬質部は被処理体Ｗの周縁部の側端面に当接され、軟質部は被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接される。 （もっと読む）