【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法等に関し、半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去するための洗浄装置及び洗浄方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。
【解決手段】本発明に係るの洗浄装置は、半導体ウエハ３の最外端から内側に５ｍｍ以内の部分を挟んで押し当てる第１及び第２のブラシ１ａ、１ｂと、第１及び第２のブラシを保持する第１及び第２のブラシ軸２ａ、２ｂと、第１及び第２のブラシ軸を回転させる回転機構と、半導体ウエハを回転させる回転機構と、洗浄液を供給する機構と、制御機構とを具備し、制御機構は、半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍ以内の部分に第１及び第２のブラシを押し当て且つ半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍより更に内側の表裏面には第１及び第２のブラシを押し当てないことにより、半導体ウエハのエッジ部に成膜された膜を除去するように制御する機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ後洗浄組成物およびそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】洗浄組成物において、その組成物のｐＨが９．５〜１１．５の範囲にあり、水、有機塩基、ならびにアミノポリカルボン酸およびヒドロキシルカルボン酸を含む複数のキレート剤を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して微小気泡を含む液体Ｌを供給して基板Ｗを処理する基板処理装置１は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部１０と、微小気泡を含む液体Ｌを基板に吐出すノズル１５と、ノズル１５から吐出された微小気泡を含む液体Ｌを加温する加熱手段５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カップ内のミストが基板に再付着することを防止できるようにした基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に処理液が供給される基板１１を保持するステージ１２２と、基板１１をステージ１２２とともに回転させ、基板１１の表面上に供給した処理液（例えば、現像液）を、前記回転により生じた遠心力を用いて基板１１の表面上に広げる回転駆動部１２と、ステージ１２２によって保持された基板１１を側方から包囲するとともに、前記遠心力を受けて基板１１から飛散する処理液を受け止めるカップ１３と、を備え、カップ１３は、カップ１３内を浮遊する処理液の粒子をカップ１３の壁面に吸着させる吸着手段として、冷却装置１４を有する。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】有機物質、特に半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにする。
【解決手段】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体１８から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。支持体は、液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、液状硫酸組成物は、液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。支持体は次いで好ましくは洗浄されて物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に帯電した電荷を確実に除去することができるようにした帯電除去装置を提供することにある。
【解決手段】基板に帯電した電荷を除去する帯電除去装置であって、
基板が供給される処理槽１と、基板の被処理面の電位レベルを検出する表面電位計３１と、表面電位計が検出する基板の被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を選択する制御装置２０と、液体及び制御装置によって選択された気体が供給されこれら液体と気体によって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給するナノバブル発生器１１を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面に付着するワックスの均一的な除去を可能とし、洗浄中のパーティクルの再付着および洗浄槽のフィルター詰まりの問題を低減することが可能な、ワックスの除去方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を用いてウエハ表面に付着するワックスを除去する半導体ウエハの洗浄方法において、当該洗浄液がマイクロバブルを含むことを特徴とする、洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板の帯電防止のために、超純水よりも導電性の高い液体で基板を洗浄するに当たり、この洗浄用液体による帯電抑制効果を簡便かつ的確に確認する。
【解決手段】洗浄用液体の一部を分取し、被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させ、該モデル片の静電電位を測定することにより、基板の帯電状況を監視する基板洗浄方法。洗浄用液体を被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させる液体接触手段と、該液体接触手段で洗浄用液体と接触しているモデル片の静電電位を測定する静電電位測定手段とを備えてなる帯電抑制効果監視モニター。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、リニア・ウエットシステムは、チャンバ内に、キャリアと近接ヘッドとを備える。近接ヘッドは、直線的に配置される３つの部分を含む。第１の部分は、キャリアによって近接ヘッドの下を半導体ウエハが移送される際に、ウエハの上部表面から液体を吸引する。第２の部分は、非ニュートン流体である洗浄泡の膜（すなわち、メニスカス）をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、近接ヘッドの下をさらにウエハが移動する際に、すすぎ流体の膜をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、第１の部分に至るまで、部分的に、第２の部分の周囲に伸長するように規定され、第３の部分と第１の部分とで、チャンバに対して洗浄泡の閉じ込め部を形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する疎液性が基板Ｗよりも高い疎液面とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】加工後の被加工物表面の乾燥を防ぐことができ、洗浄工程においてコンタミネーションを充分良好に除去することができる搬送機構を提供する。
【解決手段】加工後の被加工物Ｗを含む被搬送物１９をチャック手段（２６）から洗浄及び乾燥域（１４）へ搬送する搬送機構（５２）に被加工物Ｗを覆う洗浄水貯留部材（４４）を装備する。 （もっと読む）