【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】 低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有するアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、特定のアミン又はアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。
【解決手段】１チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のＧａＡｓ基板１に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸９７ｗｔ％、過酸化水素水３０ｗｔ％、水、１：１：５０〜２５０の割合で、温度２０〜２５℃にて２０〜５０秒処理する。この処理後、純水洗浄を５分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜４の形成を実施する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法を提供すること。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。
【解決手段】被処理基板を薬液４を用いて洗浄する処理チャンバ１と、薬液４を循環させる循環機構とを有する洗浄処理装置において、循環機構又は処理チャンパ内に、薬液４に接触するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板５を着脱可能に設置する。薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。金属板５は、塵埃を発生せず、安価かつ着脱容易であるから、製造コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】スクラブ洗浄の際に被洗浄面を均一に洗浄する。
【解決手段】ロール体３は、湿潤状態で弾性を有する多孔質素材によって構成され、ロール体３の回転軸２は、ロール体３の内径部に挿通されロール体３を固定的に支持する。回転軸２を回転させるとともに、回転軸２と略平行に配置された平面状の被洗浄面１１を、回転軸２と略直交する仮想平面内に配置された仮想回転軸１２を中心に回転させることによって、回転する被洗浄面１１にロール体３の外周部分を回転接触させてスクラブ洗浄を行う。ロール体３の外周部分は、被洗浄面１１のうち仮想回転軸１２に近接する内側領域１３に接触する中央領域６と、被洗浄面１１のうち仮想回転軸１２から離間した外側領域１４に接触する外端領域７とを含む。ロール体３が１回転する間のロール体３の外周部分の被洗浄面に対する接触強さは、中央領域６の方が外端領域７よりも低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】金属（特にアルミニウムおよびモリブデン）の腐食を抑えつつ、優れた洗浄性を有するポリイミド用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、アルカリ剤［Ｂ］、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤［Ｃ］、多価アルコール［Ｄ］、下記一般式（１）で表わされるシラン系化合物［Ａ］を含有し、前記［Ｃ］成分の含有量が３０〜９５重量％であるポリイミド用剥離剤。
[（Ｘ_２Ｎ−（ＣＨ_２）_ｌ−）_ｍＮＨ_２−ｍ−（ＣＨ_２）_ｋ−]_ｎＳｉ（ＯＲ）_４−ｎ （１）
［但し、式中ｋ、ｌは１〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素又は炭素１〜４のアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】可燃性有機溶剤を基板に供給して所定の表面処理を施す基板処理装置および方法において、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置が行う一連の処理のうち可燃性雰囲気が形成される処理はＩＰＡ液を用いた置換処理に限定されることから、Ｘ線照射を用いた除電処理を置換処理に限定して用いる。すなわち、Ｘ線照射の開始および停止をＩＰＡ液（可燃性有機溶剤）の供給タイミングに対応して設定している。したがって、Ｘ線照射が必要最小限に止められ、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

【課題】 ブラシアセンブリ及びこれを有する基板洗浄装置が開示される。
【解決手段】 ブラシを用いて基板を洗浄するための装置において、ブラシアセンブリは工程チャンバー内で回転可能に配置されるシャフトと、前記シャフトの中央部位に配置され、基板を洗浄するための洗浄液の供給を受け、基板の表面と接触して前記基板の洗浄を行うブラシと、前記基板を洗浄する間、前記ブラシに供給された洗浄液が前記シャフトに沿って前記シャフトの端部に向かって流れることを防止するために気流を発生させる送風ユニットを含む。従って、前記ブラシに供給された洗浄液が前記工程チャンバーの外部に漏洩することが防止されることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｅ）を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
（ａ）下記一般式（１）で示されるアルキルポリグルコシド ５〜４０重量％
Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ ……（１）
（式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１〜５である。）
（ｂ）金属イオン封鎖剤（キレート剤） １〜２０重量％
（ｃ）アルカリ剤 １〜３０重量％
（ｄ）エーテル型非イオン界面活性剤 １〜３０重量％
（ｅ）水 残部 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、基板の主面に接触することなく基板を保持することができる基板保持回転機構およびそのような基板保持回転機構を備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板保持回転部材２は、円盤状のスピンベース７を備えている。スピンベース７の上面には、その周縁部に複数個の固定支持部材１０ａ〜１０ｆがほぼ等角度間隔で固定配置されている。ウエハＷは、その周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに点接触して、基板保持回転部材２に保持される。スピンベース７が回転されると、スピンベース７の上面とウエハＷの下面との間の雰囲気が、遠心力によって、スピンベース７の外方へと吐き出されて減圧され、ウエハＷの下方の空間が負圧空間となる。ウエハＷがスピンベース７側に引き寄せられ、ウエハＷの周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに押し付けられる。 （もっと読む）