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Fターム[5F157BB11]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689)

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基板から1、2またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約3重量%未満であり、および/または、乾燥係数が少なくとも約1である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】処理室で平坦な壊れやすい基板(2)に処理液(14)を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。
【解決手段】基板(2)は、搬送装置(3)によって水平通過で処理室を通して案内される。円筒状の回転可能に軸受けされる側面案内ローラ(20)を備える側面案内装置は、送給方向(4)に配向された基板(2)の有利な送給を確実にする。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。
【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。 (もっと読む)


本発明は、超音波を利用した洗浄装置に関するものであり、より詳細には、オシレータを一側面側に有するハウジングと、オシレータに結合されてウェハーの上面に塗布された洗浄水に対してオシレータから発生した超音波を伝播するロッドとを備え、オシレータが近傍領域及び遠方領域を有する拡散層に圧電素子を接着することで構成され、ロッドがその径を徐々に縮径されてオシレータから発生した超音波を増幅させることにより、被洗浄物としてのウェハーの異物を効果的に除去する超音波を利用した洗浄装置に関するものである。

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【課題】実施が容易で、デバイス性能に影響を与えずに、レジスト層を基板から除去する方法を提供する。
【解決手段】基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、基板に接触するレジスト層に、バルクレジストについて可溶でレジスト外皮について不溶である液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給して、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすステップとを含む。 (もっと読む)


ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】排液カップから速やかに処理液を排出することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWを水平に保持し、ウエハWとともに回転可能な基板保持部2と、基板保持部2に保持されたウエハWを囲繞するように環状をなし、ウエハWとともに回転可能な環状をなす回転カップ4と、回転カップ4および基板保持部2を一体的に回転させる回転機構3と、ウエハWの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル5と、回転カップ4に対応した環状をなし、回転カップ4から排出された処理液を受け止め、処理液を排液する排液口60を有する排液カップ51と、排液カップ51の内部に挿入され、回転カップ4の回転にともなって回転することにより排液カップ51内に旋回流を形成し、その旋回流に随伴させて排液カップ51内の処理液を排液口60に導く旋回流形成部材32aとを具備する。 (もっと読む)


【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第1の洗浄溶液が適用される。第1の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第2の洗浄溶液が適用される。第2の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 (もっと読む)


【課題】 実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【解決手段】 有機酸(A)の第4級アンモニウム塩(B)を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて0.01重量%以下あり、第4級アンモニウム塩(B)が、pKaが11〜40の第3級アミン(C)と炭酸ジメチルとの反応で得られた第4級アンモニウム炭酸塩と、有機酸(A)とのアニオン交換反応によって得られた第4級アンモニウム塩であることが好ましい。また、第4級アンモニウム塩(B)の重量平均分子量は1,000〜1,000,000であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第1のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


有機アミン及び/又は4級アンモニウム水酸化物を含む少なくとも2つの塩基性化合物、少なくとも1つの有機酸化合物、及び材料の腐食を防止する腐食剤化合物を含むアルカリ性のCMP後洗浄溶液が提供される。防止剤化合物は、好ましくは、メルカプタン化合物である。1つの具体例では、洗浄溶液は、少なくとも2つの有機アミンを含むが、4級アンモニウム水酸化物は含まない。洗浄溶液は、好ましくは、約7〜約12の範囲のpHを有する。 (もっと読む)


有機酸化合物を含む少なくとも1つの洗浄剤、洗浄溶液中での微生物の生育を実質的に最小化し若しくは防止する少なくとも1つの防腐剤化合物、及び少なくとも1つのアミン化合物を含むCMP後洗浄溶液が提供される。防腐剤化合物は、洗浄溶液を微生物の生育に対して洗浄溶液を保護する別の有機酸化合物であり得る。洗浄溶液は、好ましくは、約2〜約7の範囲のpHを有する。 (もっと読む)


本発明は、物体の洗浄用の超音波アクチュエータに関し、当該超音波アクチュエータは超音波用の伝播容積3、4、13を有し、当該伝播容積に1つ又は複数の超音波振動子5が配置されている。伝播容積3、4、13は、洗浄される物体1、12に音響結合する結合面を有する音響放出窓8と、放射された超音波のための1つ又は複数の反射面6、7とによって画定されている。超音波振動子5は、放射された超音波が、反射面6、7における1回又は複数回の反射の後に初めて、放出窓8を介して伝播容積3、4、13から出るように、伝播容積3、4、13に配置されている。反射面は、放出窓8において、強度ピークを伴わずに超音波エネルギーの事前設定可能な分散が生じるように設計されている。本発明の超音波アクチュエータによって、洗浄液をわずかに利用して物体を傷めない洗浄が達成される。 (もっと読む)


ポスト化学的機械的研磨(CMP)残渣および汚染物質をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記残渣および汚染物質を洗浄するための酸性組成物および方法。この酸性組成物は、界面活性剤、分散剤、スルホン酸含有炭化水素、および水を含む。この組成物は、低k誘電材料および銅相互接続材料を損傷することなくマイクロ電子デバイス表面からポストCMP残渣または汚染物質材料を非常に効果的に洗浄する。
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【課題】化学的分離のための装置及び方法を提供する。
【解決手段】処理化学物質又は他の流体が基板の上面又は他の表面上で使用され、脱イオン化水(DI)又は他の流体の洗浄がそれに続くシリコンウェーハのような基板を処理するための装置及び方法。使用された処理化学物質又は流体は、洗浄流体から2つの流体間の相互汚染が非常に僅かであるか又は全くなく分離される。装置は、環状回収チャンバ及びスピンチャックから成る。化学処理中に、流体は、回転するウェーハの上面又は他の表面上で実質的に水平に流れ、回収チャンバによってその周囲で回収される。化学処理が完了した状態で、回収チャンバは、図2に示すように閉鎖位置まで下方に移動する。次に、DI水又は他の流体が分注され、チャンバに回収された化学物質又は他の処理流体と混合することなくウェーハを洗浄することができる。 (もっと読む)


(a)選択された1種以上のフッ素化物類と(b)選択された1種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物(未反応構成成分を包含するもの)から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 (もっと読む)


残渣を表面から除去する方法であって、表面を、式E−またはZ−RCH=CHRを有する化合物(式中、RおよびRは独立に、C〜Cペルフルオロアルキル基、またはC〜Cヒドロフルオロアルキル基である)からなる群から選択される少なくとも1つの不飽和フッ素化炭化水素を含む組成物と接触させるステップと、表面を組成物から回収するステップとを含む方法が開示されている。フッ素系潤滑剤を表面に被着させる方法、および少なくとも水の一部分を濡れた基板の表面から除去する方法において、フッ素化炭化水素は溶媒組成物としても使用される。 (もっと読む)


ロボットアーム等の基板搬入機構を基板の搬入後速やかに基板の把持から解放し、基板を保持する時間を短縮し、スループットを向上させることができる基板処理ユニット、基板搬送方法、基板洗浄処理ユニットおよび基板めっき装置を提供する。基板11を所定の保持位置に保持する基板保持機構10と該基板保持機構で保持された基板に所定の処理を施す処理機構32を備えた基板処理ユニットにおいて、基板を保持位置近傍に案内するガイドピン15を具備する基板ガイド機構20を設け、基板保持機構は基板の保持位置外周上に複数のローラー14を備え、複数のローラーは保持位置近傍にある基板をその外周を挟持して保持するようになっており、ローラーは大径部と大径部の上部に小径部が一体に形成された構造であり、大径部の上部に基板搬送の際に基板を仮置きできる肩部を備え、肩部には外周に向かって下がる勾配の傾斜面が形成される。
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【解決手段】多孔質低誘電率材料に又はこれを貫通してエッチングされた構造の底又は側壁に露出した孔を密封するのに、ミセル溶液を使用する。ミセル溶液は、エッチングされた構造からエッチング残渣を洗い流すのにも効果を発揮する。 (もっと読む)


化学機械研磨(CMP)後残渣、エッチング後残渣及び/又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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