Fターム[5F157BB11]の内容

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【課題】HFガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ11と、真空チェンバ11内でガラス基板100を保持する基板ステージ12と、真空チェンバ11内にガラス基板100を処理する処理ガスを供給するガス供給機構20と、基板ステージ12の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ12に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド13と、真空チェンバ11内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ11内を洗浄水110で洗浄するシャワーヘッド31と、真空チェンバ11内に貯留した洗浄水110を排水する排水機構40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも1種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも1種と、組成物全量に対して0.01〜2重量%のフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 (もっと読む)


【課題】塵PおよびレジストRを基板Wの周縁部Eから同時に除去する。
【解決手段】基板Wの周縁部Eに液状の被覆剤Cを塗布して、基板Wの周縁部Eに付着した塵Pを液状の被覆剤Cによって覆う。そして、基板周縁部Eに付着した塵Pを覆う被覆剤Cを硬化させることで、当該塵Pを硬化された被覆剤Cの内部に捕捉する。したがって、被覆剤Cを基板Wの周縁部Eから除去することで、基板Wの周縁部Eから塵Pを除去することができる。さらに、基板Wの周縁部Eに被覆剤Cを塗布した後に、基板表面WfにフォトレジストRを塗布するため、基板Wの周縁部Eでは、フォトレジストRは被覆剤Cの上に塗布される。したがって、基板Wの周縁部Eから被覆剤Cを除去した際には、被覆剤Cの上に塗布されたフォトレジストRも被覆剤Cとともに基板Wの周縁部Eから除去される。こうして、塵PおよびフォトレジストRを基板Wの周縁部Eから同時に除去できる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】a)処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること;b)液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること;及びc)水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び/または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】蛋白質汚れに対して良好な洗浄力を示し、アルマイトに対する防食性に優れ、且つ保存安定性に優れたアルマイト用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルカノールアミン、(B)脂肪族カルボン酸及び/又はその塩、並びに、(C)ポリカルボン酸及び/又はその塩を、それぞれ特定範囲の質量%で含有するアルマイト用洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の膜種、表面状態等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台32と、載置台32に載置されている基板の周縁部を保持する保持部44と、保持部44に光を照射する光源98と、保持部44からの光の光量を検出することによって、保持部に保持されている基板の保持状態を検出する検出部99とを有する。 (もっと読む)


【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄(プレ洗浄)技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル(研削屑等の異物)の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも20℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、pHを8〜10に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またpH値が8〜10にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ1の、少なくとも凹部4表面に撥水性保護膜10を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式[1]及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が50質量%以上である。


は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基。Rはそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基。aは0乃至2の整数。 (もっと読む)


【課題】非有毒かつ環境に優しいクリーニング組成物、従来の高有機含有量系クリーニング組成物に比肩するクリーニング効率を有するクリーニング組成物を提供すること。
【解決手段】A半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後/アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。クリーニング組成物は、約2〜約15wt%のヒドロキシルアミン;約50〜約80wt%の水;約0.01〜約5.0wt%の腐食防止剤;約5〜約45wt%の、:pKa<9.0を有するアルカノールアミン、水混和性溶媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む。そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Al基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 (もっと読む)


【課題】従来、基板の超音波洗浄に用いられているオゾンガス溶解水よりも更に微粒子除去効果に優れた電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとしてオゾンとアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水。溶存オゾンガス濃度が0.5mg/L以上であり、溶存アルゴンガス濃度が、当該ガス溶解水の水温における飽和アルゴンガス溶解濃度の2体積%以上である。このオゾン/アルゴンガス溶解水であれば、オゾンによる有機物及び微粒子除去効果と、アルゴンガスによる微粒子除去効果で著しく優れた洗浄効果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも1個有する有機酸0.05〜50重量%、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の錯化剤0.01〜30重量%、〔III〕炭素数1〜5の飽和脂肪族1価アルコール、炭素数3〜10のアルコキシアルコール、炭素数2〜16のグリコール、炭素数3〜20のグリコールエーテル、炭素数3〜10のケトン及び炭素数2〜4のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒0.05〜50重量%を含んでなる洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部が、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の物質を含むウェハ(金属系ウェハ)の凹部表面に撥水性保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること、及び、前記薬液を用いて凹部表面に保護膜を形成することで、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄において、
該ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液。 (もっと読む)


【課題】被加工物に洗浄液を噴射することによって切削屑が混入したミストが飛散しても、この飛散したミストに混入されている切削屑が再び被加工物の表面に付着することがないスピンナー洗浄装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持し回転可能なスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄液を噴射する噴射口を有する洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄液噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置であって、洗浄液噴射ノズルの噴射口の背部を覆って配設された集塵傘と、集塵傘に設けられた吸引口に一端が連通して配設された吸引チューブと、吸引チューブの他端が接続された吸引源とを具備するミスト吸引手段を備えている。 (もっと読む)


【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム1は、被処理ウェハW、支持ウェハS又は重合ウェハTを搬入出する搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTに所定の処理を行う剥離処理ステーション3と、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間に設けられた搬送ステーション7とを有している。剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを剥離する剥離装置30と、第1の洗浄装置31と、第2の洗浄装置33とを有している。搬送ステーション7内の圧力は、剥離装置30内の圧力、第1の洗浄装置31内の圧力及び第2の洗浄装置33内の圧力に対して陽圧である。 (もっと読む)


【課題】チャンバー内のダクトから遠い位置にあるミストもダクト側に運ぶことができ、従来よりも効率よくチャンバー内を排気する。
【解決手段】チャンバー40内の保持テーブル10上にワークWを保持し、保持テーブル10を回転させた状態でワークWの上面に洗浄水Cを供給するスピンナ洗浄装置において、保持テーブル10の外周側面12に形成した複数の羽13によって保持テーブル10の外周周囲に該外周周囲に沿った空気の流れを発生させ、この空気の流れによってチャンバー40内におけるダクト50の反対側のミストもダクト50側に導く。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置10は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を案内する案内回転カップ21と、案内回転カップ21により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ31と、を備えている。案内カップ31は、案内カップ本体32の内周端部32aから下方に延びる下方延長部33と、この内周端部32aから下方延長部33より内周側に延び、案内回転カップ21および下方延長部33と共に案内回転カップ21が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間35を形成する内周側延長部34とを有している。 (もっと読む)


【課題】基板の汚染を防ぎつつ、安定的に基板を洗浄することができる洗浄装置および基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置100であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、基板が接着されていない露出面に、当該露出面側から紫外線を照射する紫外線照射ユニット10と、上記紫外線が照射された支持膜に接着されている上記基板を洗浄する洗浄ユニット20とを備える。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物12の表面に界面活性剤膜11を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑15が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜11は、好ましくは後で、この界面活性剤膜11上に被着した切削屑151といっしょに除去される。 (もっと読む)


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