少なくとも１つのフッ素ベース構成要素、少なくとも１つのキレート化成分、界面活性剤成分、酸化成分又はこれらの組み合わせ、及びおよび少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素と少なくとも１つの溶媒又は溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液およびその製造方法も本明細書で説明する。
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基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供され、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を提供する。
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【課題】二相の基板洗浄化合物を使用するための方法およびシステム
【解決手段】基板表面から汚染物質を除去するための洗浄化合物、装置、および方法が提供される。半導体基板の表面から粒子状汚染物質を除去するための代表的な洗浄化合物が提供される。洗浄化合物は、約１ｃＰから約１０，０００ｃＰまでの間の粘度を有する粘性液体を含む。洗浄化合物は、また、粘性液体の中に分散された複数の固体成分を含み、複数の固体成分は、基板表面から粒子状汚染物質を除去するために、基板表面上の粒子状汚染物質と相互作用する。 （もっと読む）

【解決手段】基板を洗浄するための方法が提供される。方法は、中に固体成分を有する流体層を、基板の表面に配することから開始する。次いで、基板の表面に実質的に平行にかつ基板の外縁に向くように方向付けられたせん断力が形成される。せん断力は、一実施形態では、流体層に接触する固体物に加えられる力の法線成分または接線成分に起因することが可能である。基板の表面は、流体層を除去するためにすすがれる。洗浄システムおよび洗浄装置もまた、提供される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】粒子状物質が付着した基板の表面を洗浄するための方法およびシステムは、結合要素を混入された液体の噴流を表面に衝突させることを特徴とする。結合要素に十分なドラッグ力が与えられることにより、結合要素は、液体に対して移動すると共に、粒子状物質を基板に対して移動させる。 （もっと読む）

基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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本発明は、半導体製造工程中、洗浄工程、エッチング工程などのように基板を回転させながら工程を行うために使用するスピンチャックに関する。本発明のスピンチャックは、基板が載置される回転可能なスピンヘッドと、スピンヘッドを回転させる駆動部と、スピンヘッドに設けられ、基板の回転の時、基板のフラットゾーンによる渦流現象を防止するために、基板のフラットゾーンに対応する位置にフラットゾーンのフラット面と接する接触面を有する固定ブラケットと、を含む。
上述した構成のスピンチャックは、基板のフラットゾーンと同一な形状の固定ブラケットを備えることによって、基板のフラットゾーンによる気流の不均衡を防止できる。従って、基板の背面に噴射されるエッチング液が均一に広がるようにすることができるという利点を有する。 （もっと読む）

第１の表面の平面Ｗ１、第２の表面の平面Ｗ２及び縁の表面を有するウェーハ状物品の決められた縁の領域をウエット処理するための方法及び装置である。装置は、ウェーハ状物品を保持するための支持具、ウェーハ状物品の支持具に面していない前記第１の表面Ｗ１の平面上に液体を分配するための液体分配手段、及びウェーハ状物品の縁の表面のまわりの前記液体の少なくも一部を、支持具に面しているウェーハ状物品の第２の表面の平面Ｗ２に向けて案内しこれにより少なくも縁の部分を濡らすために支持具に連結された液体案内部材を備える。
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超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
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水性清浄化媒体が前記半導体表面に供給され、清浄化媒体がコロイド状の形状で懸濁されている清浄化粒子を含んでなり、そして機械的振盪が粒子に印加されて、清浄化段階の間の少なくとも一部の時間除去される清浄化段階を含んでなる、表面を清浄化する方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】枚葉式ウエハ洗浄システムにおいて処理後の残留物を除去するための方法が提供されている。その方法は、基板の上に配置された近接ヘッドに、加熱された第１の流体を供給する動作から始まる。次に、第１の流体のメニスカスが、基板の表面と、近接ヘッドの対向する表面との間に生成される。基板は、近接ヘッドの下で直線的に移動される。また、枚葉式ウエハ洗浄システムも提供されている。 （もっと読む）

超小型電子装置前駆体構造物等のウェハ基材の表面調製及び／又は洗浄のための、超小型電子装置製造に有用な組成物。本組成物は、例えば、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄等の操作において、銅メタライゼーションを含めるために更に処理されなければならないウェハ、又は更に処理することが意図されているウェハの処理のために、用いることが可能である。本組成物は（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含有し、酸素曝露下において耐黒ずみ性及び耐劣化性を呈するだけでなく、貯蔵安定である。
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【課題】
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子（Backside Particles(BSP’s)）を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し；前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し；そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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【課題】 効率の良い半導体基板処理装置及び半導体基板を処理するための方法の提供すること。
【解決手段】 半導体基板処理装置には、半導体基板支持体と、半導体基板支持体の上に位置する分配ヘッドと、液体容器と、搬送サブシステムが含まれる。半導体基板は半導体基板支持体上に載置されてもよく、第１半導体処理液がその上に分配される。第１半導体処理液を除去するためにウエハを半導体基板支持体によってスピンさせてもよい。半導体基板を第２半導体処理液に浸漬させてもよい液体容器に搬送サブシステムが半導体基板を搬送させてもよい。その後、半導体基板が第２半導体処理液の表面と接触している半導体基板の表面に蒸気を送るとともに半導体基板が第２半導体処理液から取り出されてもよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）

処理室内で超小型電子基板を処理するためのシステムであって、湿式処理から乾式処理への移行（特に、洗浄から乾燥への移行工程）のための改良された技術を含む。湿式処理語に流体供給ラインに残留する液体の少なくとも一部が、基板上に直接パージされるのを避ける通路を介して取り除かれる。また、本発明は、関連した方法を含んでいる。
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膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）