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Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

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【課題】 設備コスト、設置場所の縮小を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Wに対して剥離処理と洗浄処理を行なう基板処理装置において、導入された空気を窒素ガスと酸素ガスのガス成分に分離して取り出し可能とするガス分離モジュール9と、この分離モジュール9から分離取り出された窒素ガス、酸素ガスをそれぞれ用いたマイクロナノバブル発生装置5、6を設け、各発生装置で発生した微小気泡を剥離部2、洗浄部3にそれぞれ供給する。 (もっと読む)


【課題】被処理層を所望の形状に形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】この現像方法(基板処理方法)は、基板100上に配置されたレジスト層101を現像する現像方法であって、レジスト層101上に現像液を供給し、現像液の表面張力を利用してレジスト層101上に液層102を形成する液層形成工程と、液層102によるレジスト層101の現像を進行させる処理工程と、を備える。処理工程は液層102を攪拌する攪拌工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】専用の洗浄機構を設けることなくカップの上面および周囲を洗浄することができる洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】スピンベース21を250rpm〜350rpm(第1の回転数)にて回転させつつ、スピンベース21の周囲を取り囲む処理カップ40の上端をスピンベース21の保持面21aよりも低くして吐出ヘッド31から保持面21aに洗浄液を供給する。そして、回転するスピンベース21の保持面21aから飛散した洗浄液によって処理カップ40の外側上面43dを洗浄する。その後、スピンベース21を第1の回転数よりも大きな350rpm〜450rpm(第2の回転数)にて回転させつつ、吐出ヘッド31から保持面21aに洗浄液を供給し、回転する保持面21aから飛散した洗浄液によって処理カップ40よりも外側の仕切板15およびチャンバー10の側壁11を洗浄している。 (もっと読む)


【課題】簡素な手法により2つのカップを一体に上昇させることが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置1では、被処理基板の回転保持部21を囲むように設けられた第1、第2のカップ51、52は、回転する被処理基板Wから飛散した処理液を下方側へ案内し、第1の駆動部610及び第2の駆動部620は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第1のカップ51及び第2のカップ52昇降させる。制御部7は、第1、第2のカップ51、52の同時上昇時、第1のカップ51の上昇速度を第2のカップ52の上昇速度よりも大きくし、第1のカップ51またはその第1の昇降部材は、前記第2のカップ52またはその第2の昇降部材に下方側から重なり合って、第1の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第1のカップ51と第2のカップ52とを同時に上昇させる (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層(52)を形成するノズル(40)を備えた液層保持手段(25)と、基板(2)の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段(24)と、ノズル(40)を基板(2)に近接させる昇降機構(41a)とを有し、ノズル(40)に形成した液層(52)を基板加熱手段(24)で加熱した基板(2)の表面の熱で沸騰させて基板(2)の表面と液層(52)との間に蒸気層(60)を形成するように昇降機構(41a)を制御して、基板(2)の表面を洗浄することにした。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するように環状フレームを支持するフレーム支持工程と、該粘着テープに配設されたウエーハを挟むように該粘着テープ側及びウエーハ側に一対の帯電板を位置付けるとともに該帯電板に直流高電圧を印加して該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する電圧印加工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部80によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部A3により搬送する際に、基板搬送部A3に設けられた検出部5により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部80の位置を決定する。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するフレーム支持工程と、商用交流電源と、該商用交流電源の交流電圧を高圧交流電圧に変換する電圧変換器と、該高圧交流電圧の周波数を調整する周波数調整器と、該周波数調整器に接続された複数の放電端子を備えた放電器とから構成される放電手段の該放電器を該粘着テープの下方に位置付けて放電し、該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する放電工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。保護液ノズル6は、保護液が基板Wの上面に沿って噴射領域T1の方に流れるように基板Wの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域T1が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域T1に衝突させる。 (もっと読む)


【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル11は中心に開口11gを有する円環状で、本体11aの外側の側面11bには上下2列に並んだ多数の外側気体吐出穴11cが、開口11gの側面11dには1列に並んだ多数の内側気体吐出穴11eが形成される。処理中に、基板Wは外側気体吐出穴11c、内側気体吐出穴11eからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 (もっと読む)


【課題】微小気泡の安定供給を実現する。
【解決手段】送液装置1は、微小気泡を含む液体が流れる配管3と、その配管3の途中に設けられ、配管3内を流れる液体に旋回運動を与えて配管3内に旋回流を発生させる旋回流発生部8とを備える。これにより、前述の旋回流が配管3内に発生するため、液体中の微小気泡が配管3の内周面に付着することが抑止されるので、微小気泡の安定供給を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wは、表面Wfを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック2に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル5から基板Wの表面Wfに疎水化剤が供給されて、基板Wの表面Wfが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル97から基板Wの表面Wfに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル3から基板Wの表面Wfに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル6から基板Wの表面Wfに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 (もっと読む)


【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング1と、前記ハウジング1内に基板3を保持する保持手段2と、前記基板3の処理面3aに対して処理液を供給する供給手段8と、前記ハウジング1内に気体を取り込む取り込み口1aと、前記ハウジング1内の処理液の蒸気を当該ハウジング1から排出する排出口1cとを備え、前記保持手段2は前記処理面3aを前記ハウジング1の底部1bに向けて前記基板3を保持し、前記取り込み口1aから前記排出口1cへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング1から排出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第3配管33において第1分岐管41が接続されている部位45よりも下流側の位置の部位51に、第2分岐管47の上流側の一端が接続されており、第2分岐管47の下流側は第1回収タンク23に接続されている。制御部が、開閉弁43及び開閉弁49を開にし、開閉弁53を閉にした状態で、ヒータ35及び駆動ポンプ39をONにした後に、ヒータ35により加熱された処理液は、第3配管33から第2分岐管47に流れて、第1回収タンク23に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第1回収タンク23に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第1回収タンク23において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置において、基板中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口630が形成された整流板63が、基板の上方に配置される。整流板63は、チャンバ上部の導入口から導入されたエアを整流し、チャンバ内にダウンフローを発生させる。整流板63では、基板の中央部の真上に位置する中央領域631における開口630の分布密度が、中央領域631の周囲の周辺領域632における開口630の分布密度よりも大きいため、中央領域631の開口率が周辺領域632の開口率よりも大きい。これにより、基板の中央部におけるダウンフローを、基板の中央部以外の部位におけるダウンフローよりも強くすることができる。その結果、基板の中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも2つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第1の回転軸の周りを回転する第1の回転部と、前記第1の回転部から第1の方向に離間して配置され、前記第1の回転軸と平行な第2の回転軸の周りを回転する第2の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第1の回転部の回転により、前記少なくとも2つの処理部が前記第1の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第1の方向と直交する第2の方向に移動できるように前記第1の回転部及び前記第2の回転部に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Wは、処理室11内においてヒータユニット13上で保持される。処理流体導入口25から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Wに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板W上の窒化膜がエッチングされる。処理室11の内壁は、処理室ヒータユニット50によって加熱される。均熱リング40は、基板Wの周縁部に接し、基板Wの温度を均一化する。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板9の上面に向けてノズル34から処理液を吐出することにより、基板9に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル34から吐出された処理液が基板9に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板9の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板9上の処理液の基板9の回転に伴う移動が、ノズル34からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板9上を移動する処理液とノズル34から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板9から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】各構成装置の配置の自由度が低下するのを防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造システム10は、高温でウエハWを処理する熱処理装置12と、低温でウエハWを処理する洗浄装置13と、熱処理装置12及び洗浄装置13と着脱自在であり、熱処理装置12と接続された場合に高温の冷却ガスが供給され、洗浄装置13と接続された場合に低温の加熱ガスが供給される蓄熱モジュール14とを備え、蓄熱モジュール14は相変化材料57が含浸された蓄熱材52を内蔵し、供給される高温の冷却ガスの温度が相変化材料57の温度よりも高い場合には、相変化材料57が高温の冷却ガスから熱エネルギーを受け取って蓄積し、供給される低温の加熱ガスの温度が相変化材料57の温度よりも低い場合には、相変化材料57が低温の加熱ガスへ蓄積された熱エネルギーを受け渡す。 (もっと読む)


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