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Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

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【課題】水の静的接触角が85度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を9mm〜15mmに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 (もっと読む)


【課題】円形の基板の周縁部の上面及び下面に各々吐出された洗浄液が飛散して基板に再付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】円形の基板を鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板の中心側から外側に向かう方向に第1の液流を形成するように基板の上面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第1の洗浄液吐出口と、基板の中心側から外側に向かう方向に第2の液流を形成するように基板の下面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第2の洗浄液吐出口と、を備え、前記基板の上面の周縁部における前記第1の液流の到達点と、前記基板の下面の周縁部における前記第2の液流の到達点と、が基板の回転方向に離れるように液処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】 基板上のパターンにダメージを与えることなく基板を良好に乾燥処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板表面Wfに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Wfに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にHFEを残留させる。その後、HFEは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Wfを凍結する。次に、凍結膜を昇華乾燥すると侵入防止液の表面が露出することで平行して侵入防止液の除去が行われる。この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Wfを乾燥することができる。 (もっと読む)


【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に対してめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。また、基板回転保持機構110に保持された基板2に対して物理力を印加することにより基板2を洗浄する物理洗浄機構70が設けられている。物理洗浄機構70は、基板2が乾燥されるよりも前に基板2に対して物理力を印加することにより、基板2上のめっき膜からデフェクトを除去する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Wの回転中心P(0)から基板Wの外縁側に離れた初期位置P(Rin)の上方に冷却ガス吐出ノズル7を配置し、回転している基板Wの初期位置P(Rin)に冷却ガスを供給して、初期位置P(Rin)および回転中心P(0)を含む初期領域に付着するDIWを凝固させる。そして、初期凝固領域FR0の形成に続いて、ノズル7から冷却ガスを供給しながら初期位置P(Rin)の上方から基板Wの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Wの外縁側に広げて基板表面Wfに付着していた全DIW(凝固対象液)を凝固して液膜LF全体を凍結する。 (もっと読む)


【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置(10)は、基板保持機構に保持された基板(W)の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル(60)を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第1の吐出口(61)を有している。第1吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。 (もっと読む)


【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Wの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第1飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第2飽和溶解度とした場合に、第2飽和溶解度と第1飽和溶解度との差の10〜70%を第1飽和溶解度に加えたものとする。 (もっと読む)


【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー11内においてウェーハ1を支持する回転テーブル12と、ウェーハ1の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル13と、回転テーブル12の外周部に設けられたスピンカップ14と、回転テーブル12の外周部に設けられた排気口15と、スピンカップ14を昇降制御するスピンカップ昇降機構16と、チャンバー11の側面側に設けられた排気口17と、排気口17を開閉するシャッター18とを備え、シャッター18は、スピンカップ14に連動して昇降し、スピンカップ14が上昇して排気口15を開放しているときには排気口17を閉止し、スピンカップ14が降下して排気口15を閉止しているときには排気口17を開放する。これにより、チャンバー11の内圧をほぼ一定に保持することができる。 (もっと読む)


【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】揮発性を有する乾燥液を用いて基板を乾燥させる際に、基板の表面にウォーターマークが発生して微細なパーティクルが付着するのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液で乾燥処理する基板処理方法及び基板処理装置において、前記基板に処理液を供給して処理する工程と、前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、前記処理液の液膜が形成された基板へ揮発性処理液を供給する工程と、前記基板への前記揮発性処理液の供給を停止する工程と、前記揮発性処理液を除去して基板を乾燥する工程とを有し、前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱されることにした。 (もっと読む)


【課題】基板に付着した異物を効率的に除去することができ、異物の再付着を抑制しうる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ基板を支持する支持台と、処理室内に設けられ基板に気体を噴射する気体噴射機構と、基板に噴射する気体の温度が処理室の内壁の温度よりも高くなるように制御する温度制御機構とを有し、気体噴射機構から噴射した気体の風圧により、基板に付着した異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】水の静的接触角が85度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を9mm〜15mmに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 (もっと読む)


【課題】マスクブランク用基板の洗浄時に、超音波を印加した洗浄水を用いた洗浄方法を適用した場合でも、ガラス基板内部に潜傷が発生することを抑制でき、しかも基板主表面に存在するパーティクルを確実に排除できるマスクブランク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、ガラス材料からなる基板の表面に向かって、周波数が1.5MHzよりも高い超音波が印加された洗浄水を当てて基板の表面を洗浄する洗浄工程を有する。 (もっと読む)


【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置(1)及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク(53)の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第1の希釈液と撥水処理液とを混合して第1の希釈撥水処理液を生成し、第1の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。また、混合タンク(53)から第1の希釈撥水処理液を供給する第1供給流路(54)の中途部に撥水処理液を希釈する第2の希釈液を供給し、第1の希釈撥水処理液を第2の希釈液で希釈して第2の希釈撥水処理液を生成し、第2の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。 (もっと読む)


【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置10において、基板を保持する基板保持部30、40と、基板保持部30、40に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部70と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部80と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子112とを有する。 (もっと読む)


【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Wと、基板本体部Wに突設された複数の凸状部Wとを有し、基板本体部W上であって凸状部W間に下地面Wが形成された被処理基板Wに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Wの下地面Wが親水化し、かつ凸状部Wの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Wに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Wからリンス液を除去する。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、a)半導体ウェハを研磨板から第1の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも1回、1000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、b)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、c)半導体ウェハの側面に、70000Pa以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、d)半導体ウェハの側面に、20000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、e)半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、f)回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、g)半導体ウェハに水を吹付ける工程と、h)半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を下方へ案内する第1案内カップ31および第2案内カップ41と、基板保持台12と、第1案内カップ31および第2案内カップ41との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第1案内カップ31および第2案内カップ41により案内された処理液を回収する第1処理液回収用タンク61および第2処理液回収用タンク62と、を備えている。第1処理液回収用タンク61と第2処理液回収用タンク62との間には、排気部材71が設けられている。第2案内カップ41の下端部41bに、第1案内カップ31からの処理液を第1処理液回収用タンク61に案内すると共に、第2案内カップ41からの処理液を第2処理液回収用タンク62に案内する案内部材81が設けている。 (もっと読む)


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