【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を下方へ案内する第１案内カップ３１および第２案内カップ４１と、基板保持台１２と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１により案内された処理液を回収する第１処理液回収用タンク６１および第２処理液回収用タンク６２と、を備えている。第１処理液回収用タンク６１と第２処理液回収用タンク６２との間には、排気部材７１が設けられている。第２案内カップ４１の下端部４１ｂに、第１案内カップ３１からの処理液を第１処理液回収用タンク６１に案内すると共に、第２案内カップ４１からの処理液を第２処理液回収用タンク６２に案内する案内部材８１が設けている。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板からレジスト膜を除去する際に、下地膜を除去することなくレジスト膜を除去できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理方法において、硫酸と硝酸とを所定の比率で混合してなる、１２０℃以上の温度の処理液を、下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板に供給することによって、基板からレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構造で安全性を確保することができる処理装置を提供することである。
【解決手段】発火及び爆発に対する所定の安全対策の施された設備が配置され、引火性のある処理液を用いて所定の処理が行われる処理室と、該処理室とは隔離されつつ一体となり、電気設備及び前記処理室にて用いられる前記処理液の通路が配置された遮蔽室とを備えた処理装置であって、前記遮蔽室内から気体を導出する気体導出手段と、該気体導出手段にて導出された気体のガス濃度を検出するガス濃度検出手段とを有する構成となる。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】排ガス中の非水溶性有機溶剤成分を除去し、ＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１は、容器１１及び容器１１内に水を噴霧する噴霧器１２を有するスクラバーユニット１０と、外部装置から排出された非水溶性有機溶剤を含む第１ガスＧ１を容器１１に供給する第１配管２１と、水溶性有機溶剤を含む第２ガスＧ２を、第１配管２１を介して、又は直接、容器１１に供給する第２配管２２と、を備える。容器１１内において、噴霧器１２から噴霧された水により、前記水溶性有機溶剤及び前記非水溶性有機溶剤が吸着除去された第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の混合ガスＧ３’は、第３配管２３を介して容器１１から排出される。 （もっと読む）

【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Ｗの一部は、洗浄槽１０の内壁１４に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Ｗは、第１の出口１６から排出される。ここで、導入口１２と内壁１４との間に導入口１２を取り囲むように設けられた中間壁１５が存在するため、内壁１４に沿って下方に向かった洗浄液Ｗは、中間壁１５に邪魔されて導入口１２に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口１２から噴出した洗浄液Ｗの流れによって再びウェーハー基板Ｓに向かいにくくなり、効率よく第１の出口１６から排出され、洗浄槽１０に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Ｓに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。
【解決手段】処理室４６、基板保持手段、処理液を供給するノズル６０、第１速度又は該第１速度以上の速度である第２速度で回転させる回転機構、処理液体格納容器７６を有し、処理液体を回収及び循環し、再度前記ノズル６０から供給する処理液体循環回収機構７３、処理液体を廃棄する処理液体廃棄機構、処理液体が前記基板保持手段が前記第１速度で回転するときには前記処理液体循環回収機構に、前記第２速度で回転して前記ノズル６０から前記処理液体が供給されるときには前記処理液体廃棄機構に導かれるように接続を変更する制御装置を有する。前記処理液体格納容器７６は、底部に廃液ライン１０７、壁面に前記処理液体格納容器内を洗浄するスプレーノズル１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部付近であってもムラの無い表面処理を可能にする。
【解決手段】基板１２の被処理面を水平に支持した状態でテーブル１０の中央部表面に、当該テーブル１０の回転軸をその中心軸とする突起部１３を形成しておく。表面処理時には、突起部１３の基端からテーブル１０の外周端部方向に所定距離だけ離れ、且つ、それぞれ突起部１３の先端から等距離となるテーブル１０上の複数の部位に、基板１２をその被処理面が水平になるように支持した状態でテーブル１０を回転させる。そして、回転中のテーブル１０の突起部１３の先端から鉛直下方にノズル１４から処理液を供給して拡散させた後、各基板１２の被処理面に到達した処理液を、遠心力によってテーブル１０の外部に払拭させる。 （もっと読む）

【課題】液処理装置において、角型の基板から飛散する処理液が基板に付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の辺に沿って形成されると共に外縁部が円形に形成され、前記基板を保持する基板保持部と共に回転する液受け部と、前記液受け部を囲むように設けられ、その上縁部が当該液受け部との間に排気空間を形成するように液受け部の上方側に屈曲すると共にその内周縁が円形に形成され、前記基板保持部と共に回転する円筒状の回転カップと、を備えるように液処理装置を構成する。回転カップの内外で周方向に均一性高く気流を形成すると共に気流の淀みを防ぎ、液受け部により基板の周縁部から外側上方へ飛散した処理液をその下面で受け止めて基板の外側方向へ排出することができるので、基板の周囲から効率良く処理液を排出して基板への付着を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。
【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Ｗに、薬液供給部６２から薬液を供給して液処理を行う液処理装置１において、被処理基板Ｗの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材５には、ガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材５１の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Ｗとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Ｗの周縁部を加熱するランプヒーター６１が被処理基板Ｗの周方向に沿って配置されており、薬液供給部６２から供給される薬液はこのランプヒーター６１の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。 （もっと読む）

【課題】回転中の事故を防ぐスピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法を提供すること。
【解決手段】スピンナテーブル１０Ａのウェーハ吸着面１２外側に設けられた吸着確認部１６で、フレームＦとウェーハＷとの間のテープＴを吸着し、検出部１８で吸着確認部１６の圧力の変化を検出する。テープＴが正しく吸着確認部１６に吸着され、吸着確認部１６の圧力が下がりフレームＦの位置に異常がないと判断された場合はスピンナ洗浄が開始される。吸着確認部１６でテープＴが吸着されず圧力が下がらない場合は、フレームＦの位置が異常であるとしてスピンナテーブルの回転が行われない。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）