【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】放射光の透過により内部の液体が加熱される液体貯留槽または導管の温度を監視することができる液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液体処理方法を提供する。
【解決手段】放射光を放射するランプヒータと、前記ランプヒータを内部空間に挿通可能な円筒形状を有し、前記放射光を透過する材料で形成される円筒部材と、前記円筒部材の外周部に沿って配置され、前記放射光によって内部を流れる液体を加熱する液体通流部と、前記液体通流部を外側から覆い、前記放射光を反射する反射板と、前記反射板の外部に取り付けられる第１の温度センサとを備える液体加熱ユニットが開示される。 （もっと読む）

【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、２０℃での蒸気圧が１７ｍｍＨｇ以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスパターンに形成されたホール内をより高い洗浄能力で洗浄する。
【解決手段】ホールや溝が形成されたパターン面を有するウェハを一枚ずつ洗浄する本発明の半導体洗浄装置では、ウェハスピンベース７に固定されたウェハ２上のパターン面に２流体ノズル１からミスト化した薬液を吐出してから、ＤＩＷノズル５によりウェハ２のパターン面を純水で洗う。その後、該パターン面の全面にＩＰＡノズル６によりイソプロピルアルコールを塗布する。しかる後、ウェハ２を、そのパターン面が重力方向下向きになるように反転させ、ウェハ２を回転した状態において２流体ノズル８より該重力方向下向きのパターン面に向けて、ミスト化したイソプロピルアルコールを吐出する。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び／又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び／又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び／又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び／又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び／又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１疎水化剤が基板に供給されることにより、基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第１疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０７）。そして、第１疎水化剤とは異なる第２疎水化剤が基板に供給されることにより、溶剤が第２疎水化剤に置換され、基板の表面がさらに疎水化される（Ｓ１０８）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第２疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０９）。そして、溶剤が基板から除去されることにより、基板が乾燥する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】保守作業の容易化および省スペース化が実現されつつ安定に飛散防止部材を昇降させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１００は、基板Ｗを水平に保持するとともに鉛直方向の回転中心線Ｐ周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１を取り囲むように、カップ１０が設けられている。カップ１０は、内構成部材１１、中構成部材１２および外構成部材１３からなる。内構成部材１１の下方には、一対の第１昇降機構８１が設けられている。一対の第１昇降機構８１のサーボモータ１１９は、制御部により互いに同期して駆動される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】超音波エネルギが調整可能な超音波洗浄ユニットを有する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置は、被洗浄基板を回動させる保持台と、前記被洗浄基板表面に洗浄液を供給し、前記洗浄液の膜を形成する洗浄液ノズルと、前記洗浄液の膜中に超音波を照射する超音波照射ユニットと、を含み、前記超音波照射ユニットは、超音波発生源と、前記超音波発生源で発生された超音波エネルギを伝達する媒体と、前記洗浄液の膜中に挿入され、前記洗浄液の膜中に、前記媒体を伝達された超音波エネルギを放射する放射部材と、を含み、前記媒体は、前記超音波エネルギの伝搬経路に配置された一または複数の振動伝達ブロックよりなる超音波伝達部を含み、前記一または複数の振動伝達ブロックは、前記超音波エネルギの伝搬経路上に、保持手段により保持されて配置され、前記保持手段は、前記一又は複数の振動伝達ブロックの各々を、個別に着脱自在に保持し、前記超音波発生源と前記放射部材との間の距離が可変である。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープによって支持されたウエハを効率よく洗浄する。
【解決手段】本発明の洗浄装置は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、上記基板が接着されていない露出面に保護膜を形成する保護膜形成手段と、上記保護膜が形成された支持膜に接着されている上記基板を洗浄液で洗浄する洗浄手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨後の多数枚のウェハを効率的に省スペースで水没させて保管し、また、ウェハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェハ収納装置を提供する。
【解決手段】水槽５の水面より上部に置かれたカセット４を水平にし、且つリンス機構９のノズルバー９ａをカセット４の後部へ移動して、研磨後のウェハ３をカセット４に上下方向多段に個別に効率よく収納する。全てのウェハ３がカセット４に収納されたら、傾斜手段８によってカセット４を１°〜２０°の範囲で傾斜させ、ノズルバー９ａによってウェハ３の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構７によって、カセット４を水槽５の内部の水中へウェハ１枚分の間隔で沈める。カセット４を水槽５から引き上げるときも、傾斜手段８によってカセット４を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェハ３が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェハ３の収納・洗浄・搬送を行える。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板１２を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板１２を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板１２の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板１２を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段９と、それに設けられる観察窓１０と、観察窓１０から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の１／１０以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）