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Fターム[5F157BB32]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの構造 (606)

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【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近(微細気泡発生領域)を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第1外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第2外壁で取り囲まれており、第2外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第2外壁間の幅が上部チャンバの第1外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1がローラー2で搬送され、ジェット洗浄ノズル3及び最終リンスノズル4で洗浄される。最終リンスノズル4に純水が供給される。最終リンスノズル4からの洗浄排水がタンク7に流入し、ポンプ9からノズル3に供給される。タンク7内の菌体数が増加した場合、タンク7内の水をオゾン水供給装置12に循環通水し、タンク7内にオゾン水を供給し、殺菌する。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】1つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ第1処理液供給ノズルおよび第2処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ(40,42,44)と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口(50n)が形成された筒状の第1カップ外周筒(50A)と、その外側の第2カップ外周筒(50B)を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒50A、50Bを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル5は、複数の噴射口31が形成された噴射部6と、吐出口36が形成された吐出部7とを含む。複数の噴射口31は、複数の液滴がそれぞれ基板W内の複数の衝突位置P1に衝突するように形成されている。吐出口36は、各衝突位置P1からの距離Dが等しい基板W内の着液位置P2に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル5は、吐出口36から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Wに複数の噴射口31から噴射された複数の液滴を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、内部空間S1を有するチャンバー2と、チャンバー2内で基板Wを保持して回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック3と、チャンバー2内で基板Wの上面に対向する遮断板4と、遮断板4と基板Wとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構5と、基板Wに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Wの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル29と、処理液ノズル29に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを保持して回転させる基板保持回転機構2,3と、基板Wの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル11を有する処理液供給機構4と、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり5と、処理液溜まり5に貯留された処理液を一気に基板Wの主面に供給することにより、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット6と、制御ユニット7とを含む。制御ユニット7は、基板Wの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル11から基板Wの主面に向けて処理液を吐出させる。 (もっと読む)


【課題】SPM処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1では、基板回転機構5により回転する基板9の上面91に向けて処理液供給部3から液体が吐出される。処理液供給部3は、硫酸供給部31、過酸化水素水供給部32、混合液生成部33およびノズル34を備える。基板処理装置1では、硫酸供給部31により加熱された硫酸がノズル34から基板9に供給され、基板9に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部32からの過酸化水素水とが混合液生成部33にて混合されてSPM液が生成され、SPM液が基板9に供給されてSPM処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、SPM処理の際に、基板9上に供給された高温のSPM液の温度低下を抑制することができる。その結果、SPM処理の効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 ノズルを十分清浄に洗浄でき、かつ、そのメンテナンスが容易なノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置を提供する。
【解決手段】 洗浄機構60は、超音波振動子15を収納するとともに、この超音波振動子15を冷却するための冷却水13を貯留する冷却水貯留部11を備える。また、洗浄機構60は、冷却水貯留部11に貯留された冷却水13中にその下面が浸漬された状態で配設され、その内部に溶液14を貯留する溶液貯留部12を備える。スリットノズル41を溶液14中に浸漬した状態で超音波振動子15が超音波振動を発振した場合には、この超音波振動は、冷却水13および溶液貯留部12を介して溶液14に伝達される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体532がDIWの液膜LFを介して基板Wの表面Wfに近接した状態で0℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体532の下面の外周縁近傍に供給され、基板Wの表面Wfと氷体532とに挟まれるDIWが凝固して凝固領域FRが形成される。これによって、凝固領域FRでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Wの表面Wfに対するパーティクルPTなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域FRに取り込まれる。そして、凍結ヘッド53が基板Wに対して相対移動することで凝固領域FRが基板Wの表面Wfから剥離され、パーティクルPTも一緒に基板Wの表面Wfから除去される。 (もっと読む)


【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54に供給される液体が流通する液体流路55が形成された供給部43と、液体流路55を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第1接続路64が形成された第1拡散板47とを含む。 (もっと読む)


【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54の長手方向X1の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部46とを含む。一対のガイド部46は、長手方向X1に間隔を空けて対向する一対のガイド面66をそれぞれ含む。一対のガイド部46のそれぞれには、ガイド面66より凹んだ凹部68が形成されている。 (もっと読む)


【課題】着脱性やメンテナンス性に優れ、梁型のノズル保持機構が無くても撓まない長尺型の処理液吐出ノズルを提供すること。
【解決手段】この処理液吐出ノズル64に取り付けられるたわみ補正機構74は、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間点PM1,PM2で補強面68aに突出して設けられる第1および第2の中間ジョイント部78,80と、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間ジョイント部78,80の間たとえば長手方向の中心点PCで補強面68aに突出して設けられる中心ジョイント部76と、中心ジョイント部74と第1の中間ジョイント部との間に架け渡される第1の連結棒80と、中心ジョイント部78と第2の中間ジョイント部80との間に架け渡される第2の連結棒84とを有している。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時における薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板の温度調整を効率良く行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持する基板保持部材(22)と、基板保持部材を回転させる回転機構(25)と、基板保持部材に保持された基板に加熱された薬液を供給する薬液ノズル(56a)と、基板保持部材に保持された基板の上方を覆うトッププレート(50)と、トッププレートの上方から、トッププレートを透過させて、所定の波長の光を基板保持部材に保持された基板に照射することにより薬液処理中に基板を加熱する少なくとも1つのLEDランプ(62)と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して処理液を供給するためのノズル81と、ノズル81を支持するノズル支持アーム82とを備えている。ノズル支持アーム82には吸引機構71が設けられている。この吸引機構71は、ノズル支持アーム82の表面に形成された吸引部78と、吸引部78を介してノズル支持アーム82の表面に付着した液滴を吸引する吸引管73と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


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