【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品との間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌ中から金属イオンを除去することができ、基板処理装置１は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する基板処理機構部２と、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌを基板処理機構部２に送る送液部２９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】パターンにダメージが発生することを抑制または防止しつつ、パーティクルの除去率を向上させること。
【解決手段】噴射ノズル５から基板Ｗの上面に向けて複数の処理液の液滴を噴射させながら、基板Ｗに対して噴射ノズル５を移動させて、基板Ｗに対する液滴の衝突位置を移動させる。基板Ｗに付着しているパーティクルは、液滴の衝突によって除去される。基板Ｗの上面に向けて噴射された液滴の断面積と液滴の数との積である総液滴衝突面積は、基板Ｗの上面の面積の１４倍以上である。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能であり、さらに、処理液を回収して再利用することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 各塗布ユニット１ａ、１ｂは、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に処理液を供給するための第１処理液吐出ノズル２と、この第１処理液吐出ノズル２との間に処理液の液溜まりを形成するとともに、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面に処理液を供給するための第２処理液吐出ノズル４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、このような構成を有する２個の塗布ユニット１ａ、１ｂの作用により、その表面および裏面への処理液の塗布が、繰り返し実行される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にウエハＷをカバー機構６０から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード３１をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にカバー機構６０とウエハＷとの間でウエハＷをカバー機構６０から遮蔽することができる遮蔽機構３０をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面内の噴射領域Ｔ１に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル５と、基板Ｗを保護する保護液を基板Ｗの上面に向けて吐出する保護液ノズル６とを含む。保護液ノズル６は、保護液が基板Ｗの上面に沿って噴射領域Ｔ１の方に流れるように基板Ｗの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域Ｔ１が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域Ｔ１に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗに向けて処理液の液滴を吐出するノズル４とを含む。ノズル４には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口３３が一列に並べられた列Ｌ１が複数列配置されている。ノズル４はノズルアーム１８に保持されて、スピンチャック２に保持された基板Ｗの主面に垂直な垂直方向Ｄ１から見たときに基板Ｗの主面の回転中心Ｃ１を通る軌跡Ｘ１に沿って移動する。ノズル４は、垂直方向Ｄ１から見たときに複数の列Ｌ１と軌跡Ｘ１とが交差するようにノズルアーム１８に保持される。 （もっと読む）

【課題】各構成装置の配置の自由度が低下するのを防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造システム１０は、高温でウエハＷを処理する熱処理装置１２と、低温でウエハＷを処理する洗浄装置１３と、熱処理装置１２及び洗浄装置１３と着脱自在であり、熱処理装置１２と接続された場合に高温の冷却ガスが供給され、洗浄装置１３と接続された場合に低温の加熱ガスが供給される蓄熱モジュール１４とを備え、蓄熱モジュール１４は相変化材料５７が含浸された蓄熱材５２を内蔵し、供給される高温の冷却ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも高い場合には、相変化材料５７が高温の冷却ガスから熱エネルギーを受け取って蓄積し、供給される低温の加熱ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも低い場合には、相変化材料５７が低温の加熱ガスへ蓄積された熱エネルギーを受け渡す。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、被処理体を第１開口から収容し、側面に第２開口を有する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に延び、複数の第１の孔を有する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置し、第２の孔を有し、中央部分となる第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と処理槽の底面との間の処理槽の側面を覆い、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記底面に向かうように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の部分よりも高い第２の圧力がかかる。 （もっと読む）

【課題】薬液又はリンス液よりなる処理液を供給する処理液供給ノズルの表面への処理液の付着を防止或いは低減することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板Ｗ上に、第１の処理液を吐出する複数の第１の処理液吐出口が配列されてなる第１の処理液吐出口列を含む第１の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と略平行に、第２の処理液を吐出する複数の第２の処理液吐出口が配列されてなる第２の処理液吐出口列を含む第２の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と第２の処理液吐出口列との間に、ガスを吐出する複数の第１のガス吐出口が配列されてなる第１のガス吐出口列を含む第１のガス供給部とを有する。複数の第１のガス吐出口の各々は、第２の処理液供給部側へ向けてガスを吐出するように、配列されている。 （もっと読む）

【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第１の方向に沿って長尺に形成され、第１の処理液を供給する第１の処理液供給部８１と、第１の方向に沿って長尺に形成されており、第１の処理液供給部８１と平行に設けられた、第２の処理液を供給する第２の処理液供給部８３と、第１の処理液供給部８１と第２の処理液供給部８３とを、第２の方向に移動させる移動駆動部１２３と、制御部２００とを有する。制御部２００は、第１の処理液を供給するときは、第１の処理液が基板の回転中心に到達するように、第１の処理液供給部８１を移動駆動部１２３により移動させ、第２の処理液を供給するときは、第２の処理液が基板の回転中心に到達するように、第２の処理液供給部８３を移動駆動部１２３により移動させる。 （もっと読む）